A temperature measurement circuit includes: the first MOS transistor, the gate-connected signal input terminal of the first MOS transistor; the source and drain of the first MOS transistor are connected with the substrate; the comparator, the gate-connected positive input terminal of the first MOS transistor; the reverse input terminal of the source and drain-connected comparator of the first MOS transistor with the substrate; the transistor, the emitter-connected comparator of the first MOS transistor, and the reverse phase of the emitter-connected comparator. Input terminal; collector and base of transistor are common ground; second MOS transistor, drain of second MOS transistor connects gate of first MOS transistor, source and substrate of second MOS transistor are common ground; single pulse logic circuit unit, input terminal of single pulse logic circuit unit connects output terminal of comparator, output terminal of single pulse logic circuit unit connects gate of second MOS transistor; current source connects current source, current source connects current source. Connect the emitter of the transistor. The temperature measuring circuit has the advantages of small area, low power consumption and high reliability.
【技术实现步骤摘要】
温度测量电路
本技术涉及集成电路
,尤其涉及一种温度测量电路。
技术介绍
逻辑集成电路应用广泛,其中许多情形下要求测量温度并转换成数字形式。常用的温度测量电路是采用温敏电阻测量与温度相关的电压,然后用模数转换器,将此电压转换为数字形式。然而这种电路系统复杂,成本高,可靠性不好。
技术实现思路
本技术解决的问题是提供一种温度测量电路,以采用更加简单地电路结构,实现对温度的测量,在保证温度测量可靠性的同时,节省成本。为解决上述问题,本技术提供了一种温度测量电路,包括:第一MOS管,所述第一MOS管的栅极连接信号输入端;所述第一MOS管的源极、漏极与衬底相连接;比较器,所述第一MOS管的栅极连接所述比较器的正相输入端;所述第一MOS管的源极、漏极与衬底连接所述比较器的反相输入端;三极管,所述三极管的发射极连接所述比较器的反相输入端;所述三极管的集电极和基极共地;第二MOS管,所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极,所述第二MOS管的源极与衬底共地;单脉冲逻辑电路单元,所述单脉冲逻辑电路单元的输入端连接所述比较器的输出端,所述单脉冲逻辑电路单元的输出端连接所述第二MOS管的栅极;电流源,所述电流源连接所述三极管的发射极。可选的,所述信号输入端包括反相器和连接在所述反相器输出端的电阻,所述电阻连接至所述第一MOS管的栅极。可选的,所述第一MOS管为增强型PMOS。可选的,所述三极管为PNP管或NPN管。可选的,所述第二MOS管为增强型NMOS。为解决上述问题,本技术提供另一种温度测量电路,包括:第一MOS管,所述第一MOS管的栅极连接信号输入端;所述第一MO ...
【技术保护点】
1.一种温度测量电路,其特征在于,包括:第一MOS管,所述第一MOS管的栅极连接信号输入端;所述第一MOS管的源极、漏极与衬底相连接;比较器,所述第一MOS管的栅极连接所述比较器的正相输入端;所述第一MOS管的源极、漏极与衬底连接所述比较器的反相输入端;三极管,所述三极管的发射极连接所述比较器的反相输入端;所述三极管的集电极和基极共地;第二MOS管,所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极,所述第二MOS管的源极与衬底共地;单脉冲逻辑电路单元,所述单脉冲逻辑电路单元的输入端连接所述比较器的输出端,所述单脉冲逻辑电路单元的输出端连接所述第二MOS管的栅极;电流源,所述电流源连接所述三极管的发射极。
【技术特征摘要】
1.一种温度测量电路,其特征在于,包括:第一MOS管,所述第一MOS管的栅极连接信号输入端;所述第一MOS管的源极、漏极与衬底相连接;比较器,所述第一MOS管的栅极连接所述比较器的正相输入端;所述第一MOS管的源极、漏极与衬底连接所述比较器的反相输入端;三极管,所述三极管的发射极连接所述比较器的反相输入端;所述三极管的集电极和基极共地;第二MOS管,所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极,所述第二MOS管的源极与衬底共地;单脉冲逻辑电路单元,所述单脉冲逻辑电路单元的输入端连接所述比较器的输出端,所述单脉冲逻辑电路单元的输出端连接所述第二MOS管的栅极;电流源,所述电流源连接所述三极管的发射极。2.如权利要求1所述的温度测量电路,其特征在于,所述信号输入端包括反相器和连接在所述反相器输出端的电阻,所述电阻连接至所述第一MOS管的栅极。3.如权利要求1所述的温度测量电路,其特征在于,所述第一MOS管为增强型PMOS。4.如权利要求1所述的温度测量电路,其特征在于,所述三极管为PNP管或NPN管。5.如权利要求1所述的温度测量电路,其特征在于,所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭建魁,
申请(专利权)人:深圳元顺微电子技术有限公司,厦门元顺微电子技术有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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