温度测量电路制造技术

一种温度测量电路，包括：第一MOS管，第一MOS管的栅极连接信号输入端；第一MOS管的源极、漏极与衬底相连接；比较器，第一MOS管的栅极连接比较器的正相输入端；第一MOS管的源极、漏极与衬底连接比较器的反相输入端；三极管，三极管的发射极连接比较器的反相输入端；三极管的集电极和基极共地；第二MOS管，第二MOS管的漏极连接第一MOS管的栅极，第二MOS管的源极与衬底共地；单脉冲逻辑电路单元，单脉冲逻辑电路单元的输入端连接比较器的输出端，单脉冲逻辑电路单元的输出端连接第二MOS管的栅极；电流源，电流源连接三极管的发射极。温度测量电路所占面积小，功耗小，可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
温度测量电路
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种温度测量电路。
技术介绍
逻辑集成电路应用广泛，其中许多情形下要求测量温度并转换成数字形式。常用的温度测量电路是采用温敏电阻测量与温度相关的电压，然后用模数转换器，将此电压转换为数字形式。然而这种电路系统复杂，成本高，可靠性不好。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种温度测量电路，以采用更加简单地电路结构，实现对温度的测量，在保证温度测量可靠性的同时，节省成本。为解决上述问题，本专利技术提供了一种温度测量电路，包括：第一MOS管，所述第一MOS管的栅极连接信号输入端；所述第一MOS管的源极、漏极与衬底相连接；比较器，所述第一MOS管的栅极连接所述比较器的正相输入端；所述第一MOS管的源极、漏极与衬底连接所述比较器的反相输入端；三极管，所述三极管的发射极连接所述比较器的反相输入端；所述三极管的集电极和基极共地；第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极与衬底共地；单脉冲逻辑电路单元，所述单脉冲逻辑电路单元的输入端连接所述比较器的输出端，所述单脉冲逻辑电路单元的输出端连接所述第二MO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种温度测量电路，其特征在于，包括：第一MOS管，所述第一MOS管的栅极连接信号输入端；所述第一MOS管的源极、漏极与衬底相连接；比较器，所述第一MOS管的栅极连接所述比较器的正相输入端；所述第一MOS管的源极、漏极与衬底连接所述比较器的反相输入端；三极管，所述三极管的发射极连接所述比较器的反相输入端；所述三极管的集电极和基极共地；第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极与衬底共地；单脉冲逻辑电路单元，所述单脉冲逻辑电路单元的输入端连接所述比较器的输出端，所述单脉冲逻辑电路单元的输出端连接所述第二MOS管的栅极；电流源，所述电流源连接所述三极管...

【技术特征摘要】
1.一种温度测量电路，其特征在于，包括：第一MOS管，所述第一MOS管的栅极连接信号输入端；所述第一MOS管的源极、漏极与衬底相连接；比较器，所述第一MOS管的栅极连接所述比较器的正相输入端；所述第一MOS管的源极、漏极与衬底连接所述比较器的反相输入端；三极管，所述三极管的发射极连接所述比较器的反相输入端；所述三极管的集电极和基极共地；第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极与衬底共地；单脉冲逻辑电路单元，所述单脉冲逻辑电路单元的输入端连接所述比较器的输出端，所述单脉冲逻辑电路单元的输出端连接所述第二MOS管的栅极；电流源，所述电流源连接所述三极管的发射极。2.如权利要求1所述的温度测量电路，其特征在于，所述信号输入端包括反相器和连接在所述反相器输出端的电阻，所述电阻连接至所述第一MOS管的栅极。3.如权利要求1所述的温度测量电路，其特征在于，所述第一MOS管为增强型PMOS。4.如权利要求1所述的温度测量电路，其特征在于，所述三极管为PNP管或NPN管。5.如权利要求1所述的温度测量电路，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建魁，
申请(专利权)人：深圳元顺微电子技术有限公司，厦门元顺微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44