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一种用于形成电阻的半导体结构。所述用于形成电阻的半导体结构包括位于半导体衬底上的场氧化层，所述场氧化层隔离出第一有源区；位于所述第一有源区宽度第一侧上方的第一掩膜层；位于所述第一有源区宽度第二侧上方的第二掩膜层；所述第一掩膜层和所述第二掩膜...该专利属于深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司授权不得商用。