芯片的制造方法技术

提供芯片的制造方法，不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。该芯片的制造方法包含如下的步骤：第1激光加工步骤，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于第1深度的位置的方式沿着分割预定线仅对芯片区域照射激光束，沿着芯片区域的分割预定线形成第1改质层；第2激光加工步骤，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于第2深度的位置的方式沿着分割预定线照射激光束，形成端部与外周剩余区域重叠的第2改质层；以及分割步骤，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个芯片，在分割步骤中，通过加热和冷却来赋予力而将被加工物分割成各个芯片。

【技术实现步骤摘要】
芯片的制造方法
本专利技术涉及芯片的制造方法，对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。
技术介绍
为了将以晶片为代表的板状的被加工物(工件)分割成多个芯片，公知有如下的方法：使具有透过性的激光束会聚在被加工物的内部，形成因多光子吸收而被改质的改质层(改质区域)(例如参照专利文献1)。改质层比其他区域脆，因此通过在沿着分割预定线(间隔道)形成改质层之后对被加工物施加力，从而能够以该改质层为起点将被加工物分割成多个芯片。在对形成有改质层的被加工物施加力时，例如采用将具有伸展性的扩展片(扩展带)粘贴在被加工物上并进行扩展的方法(例如参照专利文献2)。在该方法中，通常在照射激光束而在被加工物中形成改质层之前，将扩展片粘贴在被加工物上，然后在形成改质层之后对扩展片进行扩展而将被加工物分割成多个芯片。专利文献1：日本特开2002-192370号公报专利文献2：日本特开2010-206136号公报但是，在上述那样的对扩展片进行扩展的方法中，使用后的扩展片无法再次使用，因此制造芯片所需的费用也容易增高。特别是作为粘接材料不容易残留在芯片上的高性能的扩展片，其价格也高，因此当使用这样的扩展片时，制造芯片所需的费用也增高。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供芯片的制造方法，不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。根据本专利技术的一个方式，提供芯片的制造方法，从具有芯片区域和围绕该芯片区域的外周剩余区域的被加工物制造出多个芯片，所述芯片区域由交叉的多条分割预定线划分成将要成为该芯片的多个区域，该芯片的制造方法具有如下的步骤：保持步骤，利用保持工作台直接对被加工物进行保持；第1激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的被加工物的内部的第1深度的位置的方式沿着该分割预定线仅对被加工物的该芯片区域照射该激光束，沿着该芯片区域的该分割预定线形成第1改质层，并且将该外周剩余区域作为未形成该第1改质层的加强部；第2激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的被加工物的内部的与该第1深度不同的第2深度的位置的方式沿着该分割预定线照射该激光束，沿着该分割预定线形成第2改质层，该第2改质层比该第1改质层长并且端部与该外周剩余区域重叠；搬出步骤，在实施了该第1激光加工步骤和该第2激光加工步骤之后，将被加工物从该保持工作台搬出；以及分割步骤，在实施了该搬出步骤之后，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个该芯片，在该分割步骤中，通过加热和冷却来赋予该力而将被加工物分割成各个该芯片。在本专利技术的一个方式中，可以还具有如下的加强部去除步骤：在实施了该第1激光加工步骤和该第2激光加工步骤之后并且在实施该分割步骤之前，将该加强部去除。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，该保持工作台的上表面由柔软的材料构成，在该保持步骤中，利用该柔软的材料对被加工物的正面侧进行保持。在本专利技术的一个方式的芯片的制造方法中，在利用保持工作台直接对被加工物进行保持的状态下，按照将聚光点定位于第1深度的位置的方式仅对被加工物的芯片区域照射激光束而沿着芯片区域的分割预定线形成第1改质层，并且按照将聚光点定位于第2深度的位置的方式照射激光束而沿着分割预定线形成第2改质层，第2改质层比第1改质层长并且端部与外周剩余区域重叠，然后利用加热和冷却来赋予力而将被加工物分割成各个芯片，因此为了对被加工物施加力而将其分割成各个芯片无需使用扩展片。这样，根据本专利技术的一个方式的芯片的制造方法，不使用扩展片而能够对作为板状的被加工物的被加工物进行分割而制造出多个芯片。另外，在本专利技术的一个方式的芯片的制造方法中，仅对被加工物的芯片区域照射激光束而形成沿着分割预定线的第1改质层，并且将外周剩余区域作为未形成第1改质层的加强部，因此通过该加强部对芯片区域进行加强。由此，被加工物不会由于搬送等时所施加的力而被分割成各个芯片，能够适当地搬送被加工物。附图说明图1是示意性示出被加工物的结构例的立体图。图2是示意性示出激光加工装置的结构例的立体图。图3的(A)是用于对保持步骤进行说明的剖视图，图3的(B)是用于对第1激光加工步骤和第2激光加工步骤进行说明的剖视图。图4的(A)是示意性示出沿着所有的分割预定线形成了改质层之后的被加工物的状态的俯视图，图4的(B)是示意性示出沿着各分割预定线所形成的改质层的状态的剖视图。图5的(A)和图5的(B)是用于对加强部去除步骤进行说明的剖视图。图6是用于对分割步骤进行说明的剖视图。图7是用于对变形例的保持步骤进行说明的剖视图。图8的(A)是用于对变形例的分割步骤进行说明的剖视图，图8的(B)是示意性示出变形例的分割步骤之后的被加工物的状态的俯视图。标号说明11：被加工物(工件)；11a：正面；11b：背面；11c：芯片区域；11d：外周剩余区域；13：分割预定线(间隔道)；15：区域；17：激光束；19：改质层；19a：第1改质层；19b：第2改质层；19c：第3改质层；21：流体；23：裂纹；25：芯片；2：激光加工装置；4：基台；6：卡盘工作台(保持工作台)；6a：保持面；6b：吸引路；8：水平移动机构；10：X轴导轨；12：X轴移动工作台；14：X轴滚珠丝杠；16：X轴脉冲电动机；18：X轴标尺；20：Y轴导轨；22：Y轴移动工作台；24：Y轴滚珠丝杠；26：Y轴脉冲电动机；28：Y轴标尺；30：支承台；32：阀；34：吸引源；36：支承构造；38：支承臂；40：激光照射单元；42：相机；44：片材(多孔片材)；44a：上表面；52：分割装置；54：卡盘工作台(保持工作台)；54a：保持面；54b：吸引路；54c：加热器(加热单元)；54d：吸引路；56：阀；58：吸引源；60：阀；62：切削单元；64：主轴；66：切削刀具；68：喷嘴(冷却单元)。具体实施方式参照附图，对本专利技术的一个方式的实施方式进行说明。本实施方式的芯片的制造方法包含：保持步骤(参照图3的(A))、第1激光加工步骤(参照图3的(B)、图4的(A)和图4的(B))、第2激光加工步骤(参照图3的(B)、图4的(A)和图4的(B))、搬出步骤、加强部去除步骤(参照图5的(A)和图5的(B))以及分割步骤(参照图6)。在保持步骤中，利用卡盘工作台(保持工作台)直接对具有由分割预定线划分成多个区域的芯片区域和围绕芯片区域的外周剩余区域的被加工物(工件)进行保持。在第1激光加工步骤中，照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束，沿着芯片区域的分割预定线形成第1改质层，并且将外周剩余区域作为未形成第1改质层的加强部。在第2激光加工步骤中，照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束，沿着分割预定线形成第2改质层，该第2改质层比第1改质层长并且端部与外周剩余区域重叠。在搬出步骤中，将被加工物从卡盘工作台搬出。在加强部去除步骤中，将加强部从被加工物去除。在分割步骤中，利用加热和冷却来赋予力而将被加工物分割成多个芯片。以下，对本实施方式的芯片的制造方法进行详细说明。图1是示意性示出在本实施方式中使用的被加工物(工件)11的结构例的立体图。如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片的制造方法，从具有芯片区域和围绕该芯片区域的外周剩余区域的被加工物制造出多个芯片，所述芯片区域由交叉的多条分割预定线划分成将要成为该芯片的多个区域，该芯片的制造方法的特征在于，具有如下的步骤：保持步骤，利用保持工作台直接对被加工物进行保持；第1激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的被加工物的内部的第1深度的位置的方式沿着该分割预定线仅对被加工物的该芯片区域照射该激光束，沿着该芯片区域的该分割预定线形成第1改质层，并且将该外周剩余区域作为未形成该第1改质层的加强部；第2激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的被加工物的内部的与该第1深度不同的第2深度的位置的方式沿着该分割预定线照射该激光束，沿着该分割预定线形成第2改质层，该第2改质层比该第1改质层长并且端部与该外周剩余区域重叠；搬出步骤，在实施了该第1激光加工步骤和该第2激光加工步骤之后，将被加工物从该保持工作台搬出；以及分割步骤，在实施了该搬出步骤之后，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个该芯片，在该分割步骤中，通过加热和冷却来赋予该力而将被加工物分割成各个该芯片。...

【技术特征摘要】
2017.09.22 JP 2017-1829861.一种芯片的制造方法，从具有芯片区域和围绕该芯片区域的外周剩余区域的被加工物制造出多个芯片，所述芯片区域由交叉的多条分割预定线划分成将要成为该芯片的多个区域，该芯片的制造方法的特征在于，具有如下的步骤：保持步骤，利用保持工作台直接对被加工物进行保持；第1激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的被加工物的内部的第1深度的位置的方式沿着该分割预定线仅对被加工物的该芯片区域照射该激光束，沿着该芯片区域的该分割预定线形成第1改质层，并且将该外周剩余区域作为未形成该第1改质层的加强部；第2激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所...

【专利技术属性】
技术研发人员：淀良彰，赵金艳，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP