半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体器件，包括：基底，基底包含第一区域与第二区域，第一区域与第二区域交界处具有第一边界，相互分隔的虚拟栅极图形与功能栅极图形，位于第二区域的基底上，且虚拟栅极图形靠近第一区域，虚拟栅极图形的栅极多晶硅层靠近第一区域的一侧具有一第二边界，虚拟栅极图形的栅极金属层和栅极保护层覆盖栅极多晶硅层并延伸至第二边界与第一边界之间，即一部分虚拟栅极图形位于第一边界与第二边界之间，与现有技术中位于第二边界远离第一边界一侧的虚拟栅极图形相比，所述虚拟栅极图形更加靠近第一区域，从而节省了第二区域的面积，增加了集成电路密集度，提高了半导体器件的面积利用率。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本技术涉及集成电路设计与制造领域，特别涉及一种半导体器件。
技术介绍
DRAM(动态随机存取存储器)是一种半导体存储器件，DRAM包括存储阵列区(memoryarrayaera)以及外围电路(peripheralcircuits)，其中，存储阵列区包括存储器、电容等结构，外围电路包括用于控制存储单元阵列排布的电路。通常，在边界区域(存储阵列区和外围电路过渡区域)设置有虚拟晶体管(DummyMOSgate)，以解决边界区域在光刻工艺中的边缘效应(boundaryedgeeffect)与化学机械研磨工艺中的微负载效应(microloadingeffect)，但是虚拟晶体管的设置会造成集成电路密度降低。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种半导体器件，减少虚拟晶体管的占地面积以提高集成电路密度。为实现上述目的，本技术提供一种半导体器件，包括：基底，所述基底包含第一区域与第二区域，所述第一区域与所述第二区域交界处具有一第一边界；相互分隔的虚拟栅极图形与功能栅极图形，位于所述第二区域的所述基底上，且所述虚拟栅极图形靠近所述第一区域；所述虚拟栅极图形与功能栅极图形均包含依次位于所述基底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底，所述基底包含第一区域与第二区域，所述第一区域与所述第二区域交界处具有一第一边界；相互分隔的虚拟栅极图形与功能栅极图形，位于所述第二区域的所述基底上，且所述虚拟栅极图形靠近所述第一区域；所述虚拟栅极图形与功能栅极图形均包含依次位于所述基底上的栅极多晶硅层、栅极金属层与栅极保护层，且所述虚拟栅极图形的所述栅极多晶硅层靠近所述第一区域的一侧具有一第二边界，所述虚拟栅极图形栅极金属层和栅极保护层覆盖栅极多晶硅层并延伸至所述第二边界与所述第一边界之间，使所述虚拟栅极图形的高度从所述第二边界至所述第一边界逐渐降低；介质层，位于所述基底上，且填充于所述虚拟栅极图形...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底，所述基底包含第一区域与第二区域，所述第一区域与所述第二区域交界处具有一第一边界；相互分隔的虚拟栅极图形与功能栅极图形，位于所述第二区域的所述基底上，且所述虚拟栅极图形靠近所述第一区域；所述虚拟栅极图形与功能栅极图形均包含依次位于所述基底上的栅极多晶硅层、栅极金属层与栅极保护层，且所述虚拟栅极图形的所述栅极多晶硅层靠近所述第一区域的一侧具有一第二边界，所述虚拟栅极图形栅极金属层和栅极保护层覆盖栅极多晶硅层并延伸至所述第二边界与所述第一边界之间，使所述虚拟栅极图形的高度从所述第二边界至所述第一边界逐渐降低；介质层，位于所述基底上，且填充于所述虚拟栅极图形与功能栅极图形之间。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述虚拟栅极图形在所述第一边界与所述第二边...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34