半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体器件，通过在第一掺杂区上形成信号传输结构，所述信号传输结构包括接触导电层及覆盖所述接触导电层的传输导电层，所述接触导电层防止所述第一掺杂区直接与所述传输导电层接触，其电阻率通常较所述传输导电层的电阻率大，但由于所述接触导电层低于所述衬底的顶表面，通过减小所述接触导电层的厚度来降低所述信号传输结构的接触电阻，增大了流过所述信号传输结构的电流，从而提高了半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件。
技术介绍
集成电路存储器由若干存储单元组成，所述存储单元中通常形成有一位线接触，所述位线接触与所述存储单元中晶体管的源区/漏区接触。然而，目前的半导体器件中，位线接触与源区/漏区之间仍存在着较大的接触电阻，导致流过位线的电流值较小，进而减慢存储电容充放电速度，进而对半导体器件的性能造成影响。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种半导体器件，以解决由于位线接触的电阻过大导致器件性能下降等问题。为了达到上述目的，本技术提供了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底中形成有第一掺杂区；以及，信号传输结构，所述信号传输结构位于所述衬底上并部分延伸进所述衬底内部，以与所述第一掺杂区电连接；其中，所述信号传输结构包括形成在所述第一掺杂区上的接触导电层及覆盖所述接触导电层的传输导电层，所述传输导电层的电阻率小于所述接触导电层的电阻率，且所述接触导电层的顶表面低于所述衬底的顶表面，以使所述信号传输结构的所述传输导电层嵌入至所述衬底中并和所述接触导电层电连接。可选的，所述接触导电层的导电类型与其电连接的所述第一掺杂区的导电类型相同，且，所述接触导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有第一掺杂区；以及，信号传输结构，所述信号传输结构位于所述衬底上并部分延伸进所述衬底内部，以与所述第一掺杂区电连接；其中，所述信号传输结构包括形成在所述第一掺杂区上的接触导电层及覆盖所述接触导电层的传输导电层，所述传输导电层的电阻率小于所述接触导电层的电阻率，且所述接触导电层的顶表面低于所述衬底的顶表面，以使所述信号传输结构的所述传输导电层嵌入至所述衬底中并和所述接触导电层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有第一掺杂区；以及，信号传输结构，所述信号传输结构位于所述衬底上并部分延伸进所述衬底内部，以与所述第一掺杂区电连接；其中，所述信号传输结构包括形成在所述第一掺杂区上的接触导电层及覆盖所述接触导电层的传输导电层，所述传输导电层的电阻率小于所述接触导电层的电阻率，且所述接触导电层的顶表面低于所述衬底的顶表面，以使所述信号传输结构的所述传输导电层嵌入至所述衬底中并和所述接触导电层电连接。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述接触导电层的导电类型与其电连接的所述第一掺杂区的导电类型相同，且，所述接触导电层的离子掺杂浓度大于与其电连接的所述第一掺杂区的离子掺杂浓度。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底中还形成有字线结构，所述字线结构的底部延伸至所述衬底的第一深度位置，所述信号传输结构电连接的第一掺杂区位于所述衬底的第二深度位置及第三深度位置之间，所述第三深度位置低于所述第二深度...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱仕兵，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34