【技术实现步骤摘要】
位线结构及存储器
本技术涉及半导体
，特别涉及一种位线结构及存储器。
技术介绍
存储器通常包括存储电容器以及连接到所述存储电容器的存储晶体管，所述存储电容器用来存储代表存储信息的电荷。所述存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，所述栅极用于控制所述源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线，所述源区用于构成位线接触区，以连接至位线，所述漏区用于构成存储节点接触区，以连接至存储电容器。随着半导体制作工艺中集成度的不断增加，提升存储器的集成密度已成为一种趋势，而位线的集成密度也随之增加。然而，在位线之间的间距变得越来越小的情况下，位线之间的寄生电容对器件性能的影响越来越大。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种位线结构及存储器，减小位线之间的寄生电容，提升器件的性能。为解决上述技术问题，本技术提供一种位线结构，包括：基底，位于所述基底上的多条位线，多条所述位线间隔排列；隔离材料层，位于所述基底和所述位线上，所述隔离材料层覆盖所述位线的顶部和侧壁；多孔绝缘材料层，位于所述隔离材料层上，所述多孔绝缘材料层覆盖所述隔离材料层，且所述多孔绝缘材料层中具有多个孔隙；空气隙，位于所述位线...
【技术保护点】
1.一种位线结构，其特征在于，包括：基底，位于所述基底上的多条位线，多条所述位线间隔排列；隔离材料层，位于所述基底和所述位线上，所述隔离材料层覆盖所述位线的顶部和侧壁；多孔绝缘材料层，位于所述隔离材料层上，所述多孔绝缘材料层覆盖所述隔离材料层，且所述多孔绝缘材料层中具有多个孔隙；空气隙，位于所述位线两侧并在所述隔离材料层和所述多孔绝缘材料层之间，且所述空气隙与所述多孔绝缘材料层中的多个孔隙连通。
【技术特征摘要】
1.一种位线结构，其特征在于，包括：基底，位于所述基底上的多条位线，多条所述位线间隔排列；隔离材料层，位于所述基底和所述位线上，所述隔离材料层覆盖所述位线的顶部和侧壁；多孔绝缘材料层，位于所述隔离材料层上，所述多孔绝缘材料层覆盖所述隔离材料层，且所述多孔绝缘材料层中具有多个孔隙；空气隙，位于所述位线两侧并在所述隔离材料层和所述多孔绝缘材料层之间，且所述空气隙与所述多孔绝缘材料层中的多个孔隙连通。2.如权利要求1所述的位线结构，其特征在于，还包括位线隔离层，所述位线隔离层覆盖所述多孔绝缘材料层并填充相邻所述位线之间的间隙。3.如权利要求2所述的位线结构，其特征在于，所述隔离材料层的材质包含氮化硅或氮氧化硅或二氧化硅，所述多孔绝缘材料层的材质包含介孔二氧化硅，所述位线隔离层的材质包含二氧化硅。4.如权利要求1所述的位线结构，其特征在于，所述位线包含依次位于所述基底上...
【专利技术属性】
技术研发人员：祝啸，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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