温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型提供了一种半导体器件，通过在第一掺杂区上形成信号传输结构，所述信号传输结构包括接触导电层及覆盖所述接触导电层的传输导电层，所述接触导电层防止所述第一掺杂区直接与所述传输导电层接触，其电阻率通常较所述传输导电层的电阻率大，但由于所述...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。