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本实用新型提供一种半导体器件，包括：基底，基底包含第一区域与第二区域，第一区域与第二区域交界处具有第一边界，相互分隔的虚拟栅极图形与功能栅极图形，位于第二区域的基底上，且虚拟栅极图形靠近第一区域，虚拟栅极图形的栅极多晶硅层靠近第一区域的一侧...
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