一种晶圆抛光方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆抛光方法，使用单面抛光机对晶圆进行双面抛光，单面抛光机包括抛盘、抛光模板和抛光盘，抛光模板与抛盘连接；晶圆抛光方法包括：提供一晶圆，晶圆包括第一待抛光面和第二待抛光面，第一待抛光面与第二待抛光面相对设置；将晶圆放置于抛光模板中，暴露出第一待抛光面；使用抛光盘对第一待抛光面进行抛光；取出晶圆；将晶圆放置于抛光模板中，暴露出第二待抛光面；使用抛光盘对第二待抛光面进行抛光。该晶圆抛光方法，实现使用单面抛光机完成晶圆的双面抛光的目的，降低成本，满足了低端市场对于晶圆的需求。

A Wafer Polishing Method

The invention discloses a wafer polishing method, which uses a single-sided polishing machine to polish the wafer on both sides. The single-sided polishing machine includes a polishing disc, a polishing template and a polishing disc, and the polishing template is connected with a polishing disc. The first surface to be polished is exposed in the polishing template; the first surface to be polished is polished with a polishing disc; the wafer is removed; the wafer is placed in the polishing template to expose the second surface to be polished; and the second surface to be polished is polished with a polishing disc. The wafer polishing method realizes the purpose of double-sided polishing with a single-sided polishing machine, reduces cost and meets the demand of low-end market for wafers.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆抛光方法
本专利技术实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆抛光方法。
技术介绍
半导体晶圆是现代大规模集成电路的主要衬底材料。其中，双面抛光工序是为将晶圆加工成指定厚度并提高晶圆的平坦度所需要的工序。目前，对晶圆进行双面抛光工序都是采用双面抛光设备。然而，双面抛光设备的成本较高，晶圆一旦在抛光过程中出现缺口、崩边、隐裂等晶圆缺陷时会对高端的双面抛光设备造成很大损坏，从而导致成本损耗。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶圆抛光方法，以实现使用单面抛光设备完成晶圆的双面抛光，降低成本，满足了低端市场对于晶圆的需求。本专利技术实施例提供了一种晶圆抛光方法，使用单面抛光机对所述晶圆进行双面抛光，所述单面抛光机包括抛盘、抛光模板和抛光盘，所述抛光模板与所述抛盘连接；所述晶圆抛光方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括第一待抛光面和第二待抛光面，所述第一待抛光面与所述第二待抛光面相对设置；将所述晶圆放置于所述抛光模板中，暴露出所述第一待抛光面；使用所述抛光盘对所述第一待抛光面进行抛光；取出所述晶圆；将所述晶圆放置于所述抛光模板中，暴露出所述第二待抛光面；使用所述抛光盘对所述第二待抛光面进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆抛光方法，其特征在于，使用单面抛光机对所述晶圆进行双面抛光，所述单面抛光机包括抛盘、抛光模板和抛光盘，所述抛光模板与所述抛盘连接；所述晶圆抛光方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括第一待抛光面和第二待抛光面，所述第一待抛光面与所述第二待抛光面相对设置；将所述晶圆放置于所述抛光模板中，暴露出所述第一待抛光面；使用所述抛光盘对所述第一待抛光面进行抛光；取出所述晶圆；将所述晶圆放置于所述抛光模板中，暴露出所述第二待抛光面；使用所述抛光盘对所述第二待抛光面进行抛光。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆抛光方法，其特征在于，使用单面抛光机对所述晶圆进行双面抛光，所述单面抛光机包括抛盘、抛光模板和抛光盘，所述抛光模板与所述抛盘连接；所述晶圆抛光方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括第一待抛光面和第二待抛光面，所述第一待抛光面与所述第二待抛光面相对设置；将所述晶圆放置于所述抛光模板中，暴露出所述第一待抛光面；使用所述抛光盘对所述第一待抛光面进行抛光；取出所述晶圆；将所述晶圆放置于所述抛光模板中，暴露出所述第二待抛光面；使用所述抛光盘对所述第二待抛光面进行抛光。2.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于，所述抛光模板具有容纳空间，所述容纳空间中设置有厚度调整垫片和抛光吸附垫；将所述晶圆放置于所述抛光模板中，暴露出所述第一待抛光面，包括：将所述晶圆放置于所述抛光吸附垫远离所述厚度调整垫片的一侧，暴露出所述第一待抛光面；将所述晶圆放置于所述抛光模板中，暴露出所述第二待抛光面，包括：将所述晶圆放置于所述抛光吸附垫远离所述厚度调整垫片的一侧，暴露出所述第二待抛光面。3.根据权利要求2所述的晶圆抛光方法，其特征在于，沿垂直所述晶圆的方向上，所述厚度调整垫片的厚度与所述晶圆的厚度之和保持不变。4.根据权利要求3所述的晶圆抛光方法，其特征在于，沿垂直所述晶圆的方向上，所述晶圆的厚度为H，所述晶圆朝向所述抛光盘一侧的抛光面到所述抛光模板的距离为L，90μm≤L≤H/3，其中，90μm≤H/3。5.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于，所述单面抛光机还包括抛头和喷淋装置；所述抛头与所述抛盘通过卡扣连接；所述喷淋装置位于所述抛光盘的侧下方，所述喷淋装置包括喷嘴，所述喷嘴与所述第一待抛光面或所述第二待抛...

【专利技术属性】
技术研发人员：张黎欢，沈思情，孙强，柏友荣，张俊宝，陈猛，
申请(专利权)人：上海超硅半导体有限公司，重庆超硅半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31