一种硅晶圆的包装方法技术

本发明专利技术涉及硅晶圆生产技术领域，具体公开一种硅晶圆的包装方法。该硅晶圆的包装方法包括如下步骤：步骤S1：将片盒放置于第一包装袋内，片盒内承载有硅晶圆；步骤S2：对第一包装袋抽真空，并对第一包装袋的开口进行压合，其中，第一包装袋内部的真空度为2KPa～20KPa；步骤S3：将包装有片盒的第一包装袋放置于第二包装袋内；步骤S4：对第二包装袋抽真空，并对第二包装袋的开口进行压合，其中，第二包装袋内部的真空度为2KPa～20KPa。该硅晶圆的包装方法，不仅能够实现较好的包装效果，保证运输过程中的安全性，还可以避免在取出硅晶圆的过程中硅晶圆的表面发生污染，保证硅晶圆的使用性能。

A packaging method of silicon wafer

【技术实现步骤摘要】
一种硅晶圆的包装方法
本专利技术涉及硅晶圆生产
，尤其涉及一种硅晶圆的包装方法。
技术介绍
随着社会经济的发展，人们对高科技产品的需求量和要求也在日益增加，作为芯片原材料的硅晶圆技术也在发展。硅晶圆在完成加工后出厂之前需要对其进行包装，以方便对硅晶圆的运输。现有技术中，硅晶圆的包装方法一般是：将硅晶圆放置于片盒内，然后将片盒放置于包装袋中，且包装袋抽真空，包装袋内的真空度通常可以达到65KPa-75KPa，在如此高的真空度调节下，通常会出现以下问题：(1)在片盒的外壁上通常设置有第一定位结构，第一定位结构能够与加工设备上的第二定位结构相配合实现对承载有硅晶圆的片盒的定位作用，但是，在高真空度的条件下，第一定位结构很容易发生变形，导致片盒与加工设备的定位效果较差，影响加工质量；(2)由于包装袋内外压差较大，在拆除包装袋的瞬间，外部气体会形成气流通过片盒上的过滤器快速进入片盒内部，造成过滤器附近的硅晶圆的表面受到小粒径颗粒污染，影响硅晶圆的性能；(3)由于在对包装袋抽取真空时，抽真空设备通过过滤器也会对片盒内部进行抽真空，因此，当拆除包装袋后，片盒内部与外部的压差也较大，会导致片盒的门板打开困难，甚至出现打不开或者发生异响的情况；(4)由于片盒内部与外部的压差较大，在打开片盒门板的瞬间，外部气体会形成气流大量、瞬间进入片盒内部，造成片盒内部的硅晶圆表面被污染。因此，亟需提出一种硅晶圆的包装方法，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种硅晶圆的包装方法，包装效果较好，且能够防止硅晶圆表面受到空气中的颗粒的污染。如上构思，本专利技术所采用的技术方案是：一种硅晶圆的包装方法，包括如下步骤：步骤S1：将片盒放置于第一包装袋内，所述片盒内承载有硅晶圆；步骤S2：对所述第一包装袋抽真空，并对所述第一包装袋的开口进行压合，其中，所述第一包装袋内部的真空度为2KPa～20KPa；步骤S3：将包装有所述片盒的所述第一包装袋放置于第二包装袋内；步骤S4：对所述第二包装袋抽真空，并对所述第二包装袋的开口进行压合，其中，所述第二包装袋内部的真空度为2KPa～20KPa。作为一种硅晶圆的包装方法的优选方案，所述步骤S2中在对所述第一包装袋的开口进行压合之前还包括：将所述第一包装袋的开口处的两层所述第一包装袋完全重叠。作为一种硅晶圆的包装方法的优选方案，所述步骤S4中在对所述第二包装袋的开口进行压合之前还包括：将所述第二包装袋的开口处的两层所述第二包装袋完全重叠。作为一种硅晶圆的包装方法的优选方案，在所述步骤S2中对所述第一包装袋进行压合时的具体参数包括：第一加热温度T1＝160℃～170℃，第一保温时间t1＝0.8s～1.2s，第一冷却温度T2＝70℃～80℃。作为一种硅晶圆的包装方法的优选方案，在所述步骤S4中对所述第二包装袋进行压合时的具体参数包括：第二加热温度T3＝160℃～170℃，第二保温时间t2＝0.8s～1.2s，第二冷却温度T4＝70℃～80℃。作为一种硅晶圆的包装方法的优选方案，在所述步骤S3和所述步骤S4之间还包括：步骤S3ˊ：在所述第二包装袋内放入干燥剂。作为一种硅晶圆的包装方法的优选方案，所述干燥剂采用二氧化硅材质制成。作为一种硅晶圆的包装方法的优选方案，在所述步骤S4之后还包括：步骤S5：在所述第二包装袋上粘贴条形码。作为一种硅晶圆的包装方法的优选方案，所述第一包装袋采用聚乙烯材质制成。作为一种硅晶圆的包装方法的优选方案，所述第二包装袋采用铝箔材质制成。本专利技术的有益效果为：本专利技术提出一种硅晶圆的包装方法，通过将承载有硅晶圆的片盒放置于两层包装袋中，实现对硅晶圆较严密的包装，保证硅晶圆在运输过程中的安全性。第一包装袋内部的真空度和第二包装袋内部的真空度均为2KPa～20KPa，相较于现有技术中的将承载有硅晶圆的片盒放置于真空度为65KPa-75KPa的环境中的方案，本专利技术大大降低了第一包装袋的真空度，可以防止片盒上的第一定位结构发生变形，保证后续硅晶圆加工时与加工设备的定位效果；由于第一包装袋内部的真空度较小，第一包装袋内部和外部的压差相对较小，可以避免在拆开第一包装袋时外部强烈的气流通过片盒的过滤器进入到片盒内部导致过滤器周围的硅晶圆被污染；在拆开第一包装袋之后，由于片盒内部和外部的压差较小，不会影响片盒门板的打开，同时也能避免强烈的气流在打开片盒门板的瞬间进入片盒内部造成硅晶圆的污染。该硅晶圆的包装方法，不仅能够实现较好的包装效果，保证运输过程中的安全性，还可以避免在取出硅晶圆的过程中硅晶圆的表面发生污染，保证硅晶圆的使用性能。附图说明图1是本专利技术实施例提供的硅晶圆的包装方法的流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。如图1所示，本实施例提供了一种硅晶圆的包装方法，该硅晶圆的包装方法包括如下步骤：步骤S1：将片盒放置于第一包装袋内，片盒内承载有硅晶圆；步骤S2：对第一包装袋抽真空，并对第一包装袋的开口进行压合，其中，第一包装袋内部的真空度为2KPa～20KPa；步骤S3：将包装有片盒的第一包装袋放置于第二包装袋内；步骤S4：对第二包装袋抽真空，并对第二包装袋的开口进行压合，其中，第二包装袋内部的真空度为2KPa～20KPa。本实施例提供的硅晶圆的包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅晶圆的包装方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤S1：将片盒放置于第一包装袋内，所述片盒内承载有硅晶圆；/n步骤S2：对所述第一包装袋抽真空，并对所述第一包装袋的开口进行压合，其中，所述第一包装袋内部的真空度为2KPa～20KPa；/n步骤S3：将包装有所述片盒的所述第一包装袋放置于第二包装袋内；/n步骤S4：对所述第二包装袋抽真空，并对所述第二包装袋的开口进行压合，其中，所述第二包装袋内部的真空度为2KPa～20KPa。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅晶圆的包装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：将片盒放置于第一包装袋内，所述片盒内承载有硅晶圆；
步骤S2：对所述第一包装袋抽真空，并对所述第一包装袋的开口进行压合，其中，所述第一包装袋内部的真空度为2KPa～20KPa；
步骤S3：将包装有所述片盒的所述第一包装袋放置于第二包装袋内；
步骤S4：对所述第二包装袋抽真空，并对所述第二包装袋的开口进行压合，其中，所述第二包装袋内部的真空度为2KPa～20KPa。


2.根据权利要求1所述的硅晶圆的包装方法，其特征在于，所述步骤S2中在对所述第一包装袋的开口进行压合之前还包括：
将所述第一包装袋的开口处的两层所述第一包装袋完全重叠。


3.根据权利要求1所述的硅晶圆的包装方法，其特征在于，所述步骤S4中在对所述第二包装袋的开口进行压合之前还包括：
将所述第二包装袋的开口处的两层所述第二包装袋完全重叠。


4.根据权利要求1所述的硅晶圆的包装方法，其特征在于，在所述步骤S2中对所述第一包装袋进行压合时的具体参数包括：第一加热温度T1＝16...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凤凤，张俊宝，宋洪伟，陈猛，
申请(专利权)人：上海超硅半导体有限公司，重庆超硅半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31