一种硅片颗粒标准片的制备装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种硅片颗粒标准片的制备装置，所述的制备装置包括基座以及分别设置在基座上的支架和滑台组件；所述的支架上设置有相连的传动件和固定件，所述的传动件用于带动固定件旋转，所述的固定件用于暂时固定硅片；所述的滑台组件上设置雾化装置，所述的雾化装置正对衬底片，所述的雾化装置用于向衬底片上喷涂标准颗粒溶液；所述的滑台组件用于带动雾化装置沿水平和/或竖直方向独立移动调整喷涂位置。本实用新型专利技术提供的装置具有结构简单、操作方便快捷和成功率高的特点；提高成功率就能降低制备的成本，同时，操作方便可降低对制备人员的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片颗粒标准片的制备装置
本技术属于硅片制备
，涉及一种硅片颗粒标准片的制备装置。
技术介绍
硅片是最重要的半导体材料，目前90％以上的芯片和传感器是基于半导体单晶硅片制造而成，硅片表面的颗粒会影响集成电路中的电学性能，表面的颗粒过多会影响后续的外延加工、器件形成，引起图形缺陷、外延缺陷、器件失效、影响布线的完整性，进而导致产品质量损失，造成产品成品率低。所以需要严格把控硅片质量过程中的颗粒情况。硅片表面颗粒检测的主要依靠颗粒检测设备，为了保证检测设备检测结果的可靠性，在检测前必须要通过标准片对设备进行校准。因此标准片的使用非常频繁，颗粒标准片又不同于其他机械参数的标准片，使用的频率会直接影响到标准片表面颗粒的尺寸和数量，在校准中容易出现峰值偏移，颗粒数量测不准的情况。而颗粒标准片的母片价格高昂，经常更换新的标准片不符合成本控制的要求。因此，对颗粒标准片进行二次标样是一种在控制风险的同时能够降低成本的方法。基于手动操作的制备方法，由于需要控制时间、转速、距离等精确度要求较高，因此成功率不可控。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种硅片颗粒标准片的制备装置，本技术提供的装置具有结构简单、操作方便快捷和成功率高的特点；提高成功率就能降低制备的成本，同时，操作方便可降低对制备人员的要求。为达此目的，本技术采用以下技术方案：第一方面，本技术提供了一种硅片颗粒标准片的制备装置，所述的制备装置包括基座以及分别设置在基座上的支架和滑台组件。所述的支架上设置有相连的传动件和固定件，所述的传动件用于带动固定件旋转，所述的固定件用于暂时固定衬底片。所述的滑台组件上设置雾化装置，所述的雾化装置正对衬底片，所述的雾化装置用于向衬底片上喷涂标准颗粒溶液；所述的滑台组件用于带动雾化装置沿水平和/或竖直方向独立移动调整喷涂位置。本技术提供的制备装置具有使用方便快捷、喷涂颗粒分布均匀的特点，制备时转速及喷涂时间可以得到有效控制，能够保证转速均匀，减少人工计时误差导致的产品外观不良，有利于降低制备难度，提高生产效率。需要说明的是，本技术提供的制备装置适用任意尺寸的硅片颗粒标准片二次标样的制备，同时也可适用于其他类似工件的表面喷涂。作为本技术一种优选的技术方案，所述的支架上还设置有限位组件。所述的限位组件包括套设于支架上的滑动扣以及固定于滑动扣上的挡板。所述的挡板水平固定于滑动扣上。所述的限位组件还包括设置于滑动扣上的锁定旋钮，拧紧所述的锁定旋钮将滑动扣暂时固定于支架上。作为本技术一种优选的技术方案，所述的传动件为电机。所述的电机外接电机控制装置，所述的电机控制装置用于控制电机的转速和运行时间。所述的电机通过连接线外接电机控制装置。作为本技术一种优选的技术方案，所述的固定件为真空吸头，所述的真空吸头连接电机的输出轴，电机带动所述的真空吸头旋转。所述的真空吸头外接抽真空装置，所述的真空吸头在负压作用下吸住衬底片。所述的真空吸头通过真空吸管连接抽真空装置。作为本技术一种优选的技术方案，所述的滑台组件包括相互垂直的水平滑台模块和竖直滑台模块，所述的水平滑台模块用于带动竖直滑台模块水平移动，所述的竖直滑台模块用于带动雾化装置竖直移动。作为本技术一种优选的技术方案，所述的水平滑台模块包括水平丝杆和水平滑块，所述的水平滑块沿水平丝杆移动。所述的水平丝杆贯穿水平滑块。所述的水平滑台模块还包括位于水平滑块上的水平锁定旋钮，拧紧所述的水平锁定旋钮将水平滑块暂时固定于水平丝杆上。所述的水平滑台模块还包括位于水平丝杆一端的水平调节旋钮，所述的水平调节旋钮用于调节水平滑块在水平丝杆上的位置。所述的水平丝杆的下方平行设置有水平标尺。作为本技术一种优选的技术方案，所述的竖直滑台模块设置于水平滑块上，所述的水平滑块带动所述的竖直滑台模块移动。所述的竖直滑台模块包括竖直丝杆和竖直滑块，所述的竖直滑块沿竖直丝杆移动。所述的竖直丝杆贯穿所述的竖直滑块。所述的竖直滑台模块还包括位于竖直滑块上的竖直锁定旋钮，拧紧所述的竖直锁定旋钮将竖直滑块暂时固定于竖直丝杆上。所述的竖直滑台模块还包括位于竖直丝杆一端的竖直调节旋钮，所述的竖直调节旋钮用于调节竖直滑块在竖直丝杆上的位置。所述的竖直丝杆的一侧平行设置有竖直标尺。所述的竖直滑块上固定有雾化装置。作为本技术一种优选的技术方案，所述的基座材质为合金白口铸铁、耐磨铸钢或大理石。所述的支架的高度为100～150mm，例如可以是100mm、105mm、110mm、115mm、120mm、125mm、130mm、135mm、140mm、145mm或150mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。作为本技术一种优选的技术方案，所述的水平标尺的长度为0～100mm，例如可以是5mm、10mm、15mm、20mm、25mm、30mm、35mm、40mm、45mm、50mm、55mm、60mm、65mm、70mm、75mm、80mm、85mm、90mm、95mm或100mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。所述的水平标尺的一端紧贴支座底端。所述的水平标尺紧贴支座一端的刻度为0刻度，由紧贴支座一端至远离支座一端，所述的水平标尺的刻度逐一递增。作为本技术一种优选的技术方案，所述的竖直标尺的长度为100～150mm，例如可以是100mm、105mm、110mm、115mm、120mm、125mm、130mm、135mm、140mm、145mm或150mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。所述的竖直标尺的顶端刻度为0刻度，由上至下所述的竖直标尺的刻度逐一递增。本技术借助水平标尺和竖直标尺控制距离，利用电机控制均匀转速，保证表面颗粒分布的均匀性，电机控制装置可实现对电机工作时间的精确控制，保证表面颗粒数量符合标准要求。采用本技术提供的硅片标准颗粒片的制备装置制备硅片颗粒标准片的方法，所述的方法具体包括如下步骤：(1)衬底片竖直放置在挡板上，通过调整挡板高度确保真空吸头处于衬底片中心，开启真空泵，真空吸头在负压作用下吸住衬底片；(2)将装有标准颗粒液体的雾化装置固定在竖直滑块上；(3)水平滑台模块和竖直滑台模块相互配合，调整竖直滑块的水平位置从而调节雾化装置与衬底片的水平距离，调整竖直滑块的竖直位置使得雾化装置对准衬底片中心；具体的调节方式为：通过水平调节旋钮调节水平滑块的水平位置，拧紧水平锁定旋钮固定水平滑块；通过竖直调节旋钮调节竖直滑块的竖直位置，拧紧竖直锁定旋钮固定竖直滑块；(4)开启电机，通过电机控制装置控制电机的转速和运行时间，电机驱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片颗粒标准片的制备装置，其特征在于，所述的制备装置包括基座以及分别设置在基座上的支架和滑台组件；/n所述的支架上设置有相连的传动件和固定件，所述的传动件用于带动固定件旋转，所述的固定件用于暂时固定衬底片；/n所述的滑台组件上设置雾化装置，所述的雾化装置正对衬底片，所述的雾化装置用于向衬底片上喷涂标准颗粒溶液；所述的滑台组件用于带动雾化装置沿水平和/或竖直方向独立移动调整喷涂位置。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片颗粒标准片的制备装置，其特征在于，所述的制备装置包括基座以及分别设置在基座上的支架和滑台组件；
所述的支架上设置有相连的传动件和固定件，所述的传动件用于带动固定件旋转，所述的固定件用于暂时固定衬底片；
所述的滑台组件上设置雾化装置，所述的雾化装置正对衬底片，所述的雾化装置用于向衬底片上喷涂标准颗粒溶液；所述的滑台组件用于带动雾化装置沿水平和/或竖直方向独立移动调整喷涂位置。


2.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述的支架上还设置有限位组件；
所述的限位组件包括套设于支架上的滑动扣以及固定于滑动扣上的挡板；
所述的挡板水平固定于滑动扣上；
所述的限位组件还包括设置于滑动扣上的锁定旋钮，拧紧所述的锁定旋钮将滑动扣暂时固定于支架上。


3.根据权利要求2所述的制备装置，其特征在于，所述的传动件为电机；
所述的电机外接电机控制装置，所述的电机控制装置用于控制电机的转速和运行时间；
所述的电机通过连接线外接电机控制装置。


4.根据权利要求3所述的制备装置，其特征在于，所述的固定件为真空吸头，所述的真空吸头连接电机的输出轴，电机带动所述的真空吸头旋转；
所述的真空吸头外接抽真空装置，所述的真空吸头在负压作用下吸住衬底片；
所述的真空吸头通过真空吸管连接抽真空装置。


5.根据权利要求4所述的制备装置，其特征在于，所述的滑台组件包括相互垂直的水平滑台模块和竖直滑台模块，所述的水平滑台模块用于带动竖直滑台模块水平移动，所述的竖直滑台模块用于带动雾化装置竖直移动。


6.根据权利要求5所述的制备装置，其特征在于，所述的水平滑台模块包括水平丝杆和水平滑块，所述的水平...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈蓓颖，沈思情，张俊宝，陈猛，
申请(专利权)人：上海超硅半导体有限公司，重庆超硅半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31