The invention discloses a semiconductor structure, which comprises a material layer, a cutting path area and a rectangular area in the cutting path area. The rectangular area has a pair of first edges parallel to the width direction of the cutting path area, a pair of second edges parallel to the length direction of the cutting path area, a pair of first patterns embedded in the material layer along the pair of first edges, and a pair of second patterns. The case is buried in the material layer along the second edge of the pair, in which the distance between the first pattern and the second pattern is larger.
【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术涉及一种半导体结构及其制作方法，特别涉及一种用于光刻制作工艺的对准标记(alignmentmark)结构及其制作方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory,DRAM)属于一种挥发性存储器，每个存储芯片至少是由多个存储单元(memorycell)构成的阵列区(arrayarea)以及由控制电路构成的周边区(peripheralarea)构成。各存储单元包含一晶体管(transistor)电连接至一电容(capacitor)，由该晶体管控制该电容中电荷的存储或释放来达到存储数据的目的。控制电路通过横跨阵列区并与各存储单元电连接的字符线(wordline,WL)与位线(bitline,BL)，可定位至每一存储单元，控制其数据的存取。请参考图1左边，一般而言会在基底(例如硅晶片)200上制作出多个芯片区220，彼此之间由沿着X方向和Y方向延伸的切割道区240区隔开，制作完成后再沿着切割道区240进行切割，得到个别的存储芯片。为了缩小存储单元的尺寸而制作出具备更高集密度的芯片，存储器的结构已朝向三维(thr...
【技术保护点】
1.一种半导体结构,包含:材料层，包含一切割道区；矩形区域，位于该切割道区中，其中该矩形区域包含一对第一边缘，与该切割道区的宽度方向平行，以及一对第二边缘，与该切割道区的长度方向平行；一对第一图案，分别沿着该对第一边缘埋设在该材料层中，；以及一对第二图案，分别沿着该对第二边缘埋设在该材料层中，其中该对第一图案的间距大于该对第二图案的间距。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构,包含:材料层，包含一切割道区；矩形区域，位于该切割道区中，其中该矩形区域包含一对第一边缘，与该切割道区的宽度方向平行，以及一对第二边缘，与该切割道区的长度方向平行；一对第一图案，分别沿着该对第一边缘埋设在该材料层中，；以及一对第二图案，分别沿着该对第二边缘埋设在该材料层中，其中该对第一图案的间距大于该对第二图案的间距。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一图案与该第二图案共同构成一用于光刻制作工艺的对准标记(overlaymark)。3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二图案的长度小于该第二边缘的长度。4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该第一图案的长度大于该第一边缘的长度。5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第一图案的两端与该对第二图案的边缘切齐。6.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第一图案的两端不与该对第二图案的边缘切齐。7.如权利要求3所述的半导体结构，其中该第一图案的长度等于该第一边缘的长度。8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二图案的长度大于该第二边缘的长度，且该第一图案的长度小于该第一边缘的长度。9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一图案与该第二图案具有不同的宽度。10.如权利要求1所述的半导体结构，其中从顶视图来看，该第一图案与该第二图案...
【专利技术属性】
技术研发人员：张峰溢，李甫哲，詹益旺，廖家樑，童宇诚，陈建豪，王嘉鸿，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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