【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体器件的方法
本公开涉及集成电路芯片的制造，并且更特别地涉及制造可配置的集成电路芯片。
技术介绍
常规的解决方案包括在晶圆的制造完成以后测量关于目标值的器件偏差，并经由额外的处理来相应地补偿偏差。依据器件类型，目前使用不同的解决方案。例如，熔丝概念可以被用来在产品的在晶圆级的最终电气测试之后微调产品的电气特性。对于另一示例，将电流传感器嵌入在许多IC中以确保器件在电路启动或故障期间的持续监测和保护。激光熔丝可以被用来配置晶圆或晶圆上的器件。然而，激光熔丝的使用需要激光工具，所述激光工具可能引入负面影响，诸如晶圆的应力诱发开裂。
技术实现思路
根据一种在晶圆上制造多个半导体器件的方法的实施例，该方法包括形成包括多个相同半导体器件结构的结构层和在该结构层上提供保护层。在多个半导体器件结构中的第一半导体器件结构上的保护层不同于在多个半导体器件结构中的第二半导体器件结构上的保护层。根据一种半导体器件的实施例，该半导体器件包括具有半导体器件结构的结构层和在该结构层上的钝化层。该钝化层具有在电路元件上方的开口。将配置物质沉积在该开口中，该配置物质改变该电路元件的电气性...
【技术保护点】
1.一种在晶圆上制造多个半导体器件的方法，该方法包括：形成包括多个相同半导体器件结构的结构层；以及在该结构层上提供保护层，其中在多个半导体器件结构中的第一半导体器件结构上的保护层不同于在多个半导体器件结构中的第二半导体器件结构上的保护层。
【技术特征摘要】
2017.07.21 US 15/6563881.一种在晶圆上制造多个半导体器件的方法，该方法包括：形成包括多个相同半导体器件结构的结构层；以及在该结构层上提供保护层，其中在多个半导体器件结构中的第一半导体器件结构上的保护层不同于在多个半导体器件结构中的第二半导体器件结构上的保护层。2.根据权利要求1所述的方法，其中该多个半导体器件结构中的第一半导体器件结构与多个半导体器件中的第一半导体器件相关联，并且该多个半导体器件结构中的第二半导体器件结构与多个半导体器件中的第二半导体器件相关联，该多个半导体器件中的第二半导体器件与该多个半导体器件中的第一半导体器件分离，以及其中该多个半导体器件结构中的第一半导体器件结构和该多个半导体器件结构中的第二半导体器件结构具有相同的器件几何结构。3.根据权利要求1所述的方法，其中提供保护层包括：在多个半导体器件上方形成具有多个相同开口的基底保护层；以及在基底保护层的开口中选择性地沉积保护物质。4.根据权利要求3所述的方法，该方法进一步包括：生成供在被配置成分配保护物质的分配设备的控制中使用的数据文件。5.根据权利要求3所述的方法，该方法进一步包括：测试该多个半导体器件结构。6.根据权利要求5所述的方法，该方法进一步包括：基于测试结果，导出要被配置的晶圆上的所选电路元件。7.根据权利要求6所述的方法，其中该所选电路元件包括导电耦合。8.根据权利要求1所述的方法，该方法进一步包括：在保护层上应用配置物质。9.根据权利要求8所述的方法，其中该配置物质包括来自由蚀刻剂、溶剂、氧化剂和复合成形剂组成的反应物的组的一种或多种反应物。10.根据权利要求9所述的方法，其中该保护层被配置成抵抗所述一种或多种反应物。11.根据权利要求10所述的方法，其中该保护层是光致抗蚀剂层。12.根据权利要求6所述的方法，其中该所选电路元件包括非导电贮器。13.根据权利要求8所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：H胡贝尔，M克纳布尔，M米希茨，C斯贾罗韦洛，C特拉万，ACG伍德，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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