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本发明公开了用于制造半导体器件的方法。根据一种在晶圆上制造多个半导体器件的方法的实施例，该方法包括形成包括多个相同半导体器件结构的结构层；以及在该结构层上提供保护层。在多个半导体器件结构中的第一半导体器件结构上的保护层不同于在多个半导体器件...
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