平衡晶圆弯曲度分布的方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种平衡晶圆弯曲度分布的方法。所述平衡晶圆弯曲度分布的方法包括如下步骤：提供一晶圆；获取所述晶圆的弯曲度分布；根据所述弯曲度分布调整反应物在所述晶圆表面的密度分布，于所述晶圆表面形成厚度非均匀分布的膜层。本发明专利技术能够于晶圆表面形成厚度非均匀分布的膜层，实现对晶圆弯曲度分布的平衡，且适用于各种形状的晶圆，有效改善了晶圆产品的质量。

【技术实现步骤摘要】
平衡晶圆弯曲度分布的方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种平衡晶圆弯曲度分布的方法。
技术介绍
随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3DNOR(3D或非)闪存和3DNAND(3D与非)闪存。其中，3DNAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。然而，晶圆在经过各种半导体工艺处理之后，晶圆的弯曲度分布不能达到平衡，从而使得晶圆呈现翘曲的状态，严重影响晶圆产品的质量。因此，如何改善晶圆的弯曲度分布，提高晶圆产品的质量，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种平衡晶圆弯曲度分布的方法，用于解决现有技术中晶圆经多步处理工艺后弯曲度分布不平衡的问题，以改善晶圆产品的质量。为了解决上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平衡晶圆弯曲度分布的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一晶圆；获取所述晶圆的弯曲度分布；根据所述弯曲度分布调整反应物在所述晶圆表面的密度分布，于所述晶圆表面形成厚度非均匀分布的膜层。

【技术特征摘要】
1.一种平衡晶圆弯曲度分布的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一晶圆；获取所述晶圆的弯曲度分布；根据所述弯曲度分布调整反应物在所述晶圆表面的密度分布，于所述晶圆表面形成厚度非均匀分布的膜层。2.根据权利要求1所述的平衡晶圆弯曲度分布的方法，其特征在于，获取所述晶圆的弯曲度分布的具体步骤包括：按照预设规则将所述晶圆表面划分为多个区域；获取所述晶圆表面每一所述区域的弯曲度，得到所述晶圆的弯曲度分布。3.根据权利要求2所述的平衡晶圆弯曲度分布的方法，其特征在于，根据所述弯曲度分布调整反应物在所述晶圆表面的密度分布的具体步骤包括：判断与一区域对应的弯曲度是否大于预设值，若是，则增大该区域表面的所述膜层的厚度。4.根据权利要求2所述的平衡晶圆弯曲度分布的方法，其特征在于，所述晶圆置于反应腔室中；根据所述弯曲度分布调整反应物在所述晶圆表面的密度分布的具体步骤包括：根据所述弯曲度分布调整反应物在所述反应腔室内的密度分布。5.根据权利要求4所述的平衡晶圆弯曲度分布的方法，其特征在于，所述反应腔室为进行等离子体化学气相沉积工艺的反应腔室。6.根据权利要求5所述的平衡晶圆弯曲度分布的方法，其特征在于，根据所述弯曲度分布调整反应物在所述反应腔室内的密度分布的具体步骤包括：根据所述弯曲度分布...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟昭生，徐文浩，李展信，刘聪，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42