测试结构和测试方法技术

本发明专利技术公开了一种测试结构和测试方法，所述测试结构包括N层金属层，N为大于或等于2的整数，所述N层金属层包括至少一层具有第一金属线的第一类金属层和至少一层具有两条以上间隔排列的第二金属线的第二类金属层；位于相邻的两层金属层之间以及同层相邻的两条第二金属线之间的金属层间介质层；用于连接相邻的两层金属层的金属通孔；与所述第二类金属层下方的第一类金属层位于同一层，且所述测试焊垫位于所述第一金属线的两端并电连接的测试焊垫。所述测试方法通过监测所述测试焊垫连接的第一金属层的电性参数，便可有效判断所述金属层间介质层是否发生断裂的现象。所述测试结构简单，布局容易；所述测试方法操作简易，可控性高。

Test structure and test method

The invention discloses a test structure and a test method. The test structure comprises a N-layer metal layer, N being an integer greater than or equal to 2. The N-layer metal layer comprises at least one first-class metal layer with a first metal line and at least one second-class metal layer with two or more spaced second metal lines. The N-layer metal layer is located between two adjacent metal layers and adjacent to the same layer. A metal interlayer dielectric layer between two second metal wires; a metal through hole for connecting two adjacent metal layers; and a test welding pad which is electrically connected at both ends of the first metal wire and is located at the same layer below the second metal layer. By monitoring the electrical parameters of the first metal layer connected by the test pad, the test method can effectively judge whether the metal interlayer dielectric layer has broken or not. The test method has the advantages of simple structure and easy layout, simple operation and high controllability.

【技术实现步骤摘要】
测试结构和测试方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种测试结构和测试方法。
技术介绍
目前，在半导体前端工艺制备器件完成之后，会在半导体后段工艺中制备金属互连层结构，金属互连层结构包括多层金属层、位于相邻的两层金属层之间的金属层间介质层(InterMetalDielectric，IMD)以及位于金属层间介质层中的金属通孔，金属通孔用于连接相邻的两层金属层，金属层间介质层用于隔离相邻的两层金属层以及相邻的金属通孔，金属层间介质层提供良好的绝缘性。随着半导体器件的集成度越来越高、器件封装方式的多样化，金属层间介质层发生断裂问题的频率也越来越高，一旦发生金属层间介质层的断裂，将导致半导体器件电性失效。然而，目前并没有能够检测金属层间介质层是否发生断裂的测试结构和测试方法。因此，本领域技术人员急需提出一种能够测金属层间介质层是否发生断裂的测试结构以及测试方法，对半导体器件的制造工艺进行监控。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种测试结构和测试方法，以对半导体器件的制造工艺进行监控。为解决上述技术问题，本专利技术提供的测试结构包括：N层金属层，N为大于或等于2的整数，所述N本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：N层金属层，N为大于或等于2的整数，所述N层金属层包括至少一层第一类金属层和至少一层第二类金属层，所述第一类金属层具有第一金属线，所述第二类金属层具有两条以上间隔排列的第二金属线，所述第一金属线的长度大于所述第二金属线的长度，至少有一层所述第一类金属层位于所述第二类金属层的下层，且位于所述第二类金属层下方的所述第一金属线在所述金属层的堆叠方向上的投影，与至少一层所述第二类金属层中的相邻两个所述第二金属线、以及之间的间隔在所述堆叠方向上的投影重叠；金属层间介质层，所述金属层间介质层位于相邻的两层金属层之间以及同层相邻的两条第二金属线之间；金属通孔，所述金属通孔...

【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：N层金属层，N为大于或等于2的整数，所述N层金属层包括至少一层第一类金属层和至少一层第二类金属层，所述第一类金属层具有第一金属线，所述第二类金属层具有两条以上间隔排列的第二金属线，所述第一金属线的长度大于所述第二金属线的长度，至少有一层所述第一类金属层位于所述第二类金属层的下层，且位于所述第二类金属层下方的所述第一金属线在所述金属层的堆叠方向上的投影，与至少一层所述第二类金属层中的相邻两个所述第二金属线、以及之间的间隔在所述堆叠方向上的投影重叠；金属层间介质层，所述金属层间介质层位于相邻的两层金属层之间以及同层相邻的两条第二金属线之间；金属通孔，所述金属通孔位于所述相邻的两层金属层之间，用于连接所述相邻的两层金属层；测试焊垫，所述测试焊垫与所述第二类金属层下方的第一类金属层位于同一层，且所述测试焊垫位于所述第一金属线的两端并电连接，所述测试焊垫暴露于所述金属层间介质层之外。2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括4层金属层，所述4层金属层包括1层第一类金属层和依次位于所述第一类金属层上的3层第二类金属层，每层所述第二类...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈福刚，唐丽贤，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12