A GPP glass passivation process includes: S1, printing protective layer to protect the non-corrosive part of silicon wafer during subsequent groove corrosion; S2, grooving: grooving silicon wafer to meet the requirements of GPP chip; S3, LPCVD poly: poly growth in the groove to make the electrical parameters more stable; S4, printing passivation layer: printing passivation layer Passivation of silicon wafers by grooving, solidification of glass powder in passivation layer at high temperature, and ultimately passivation effect. Compared with the original process, the invention has the advantages of shortening the process flow, improving the GPP performance and improving the production efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种GPP玻钝工艺方法
本申请属于GPP生产
，具体地说，涉及一种GPP玻钝工艺方法。
技术介绍
GPP是Glassivationpassivationparts的缩写，是玻璃钝化类器件的统称。该产品就是在现有产品普通硅整流扩散片的基础上对拟分割的管芯P/N结面四周烧制一层玻璃，玻璃与单晶硅有很好的结合特性，使P/N结获得最佳的保护，免受外界环境的侵扰，提高器件的稳定性，信赖性极佳。也因此GPP在电子领域的应用越来越广泛。相应的GPP生产工艺，尤其钝化工艺，越来越受到行业内的关注，如何更有效、更快速、更高品质的生产GPP成为一个课题。
技术实现思路
有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了一种GPP玻钝工艺方法，能够使得生产出的GPP性能更稳定，同时提高生产效率。为了解决上述技术问题，本申请公开了一种GPP玻钝工艺方法，并采用以下技术方案来实现。一种GPP玻钝工艺方法，步骤包括：S1、印刷保护层：便于在后续沟槽腐蚀时对硅片无需腐蚀部分进行保护；S2、沟槽开槽：对硅片进行开槽处理，使开槽程度达到GPP芯片的要求；S3、LPCVD-poly：槽内进行Poly生长，...
【技术保护点】
1.一种GPP玻钝工艺方法，步骤包括：S1、印刷保护层：便于在后续沟槽腐蚀时对硅片无需腐蚀部分进行保护；S2、沟槽开槽：对硅片进行开槽处理，使开槽程度达到GPP芯片的要求；S3、LPCVD‑poly：槽内进行Poly生长，使电参数更稳定；S4、印刷钝化层：采用印刷钝化层的方式使开槽完成的硅片钝化；S5、烧成：经过高温将所述钝化层中玻璃粉固化，最终达到钝化的效果。
【技术特征摘要】
1.一种GPP玻钝工艺方法，步骤包括：S1、印刷保护层：便于在后续沟槽腐蚀时对硅片无需腐蚀部分进行保护；S2、沟槽开槽：对硅片进行开槽处理，使开槽程度达到GPP芯片的要求；S3、LPCVD-poly：槽内进行Poly生长，使电参数更稳定；S4、印刷钝化层：采用印刷钝化层的方式使开槽完成的硅片钝化；S5、烧成：经过高温将所述钝化层中玻璃粉固化，最终达到钝化的效果。2.根据权利要求1所述GPP玻钝工艺方法，其特征在于：所述S1印刷保护层的步骤依次包括上片、打标面识别、翻转硅片、硅片双面印保护层和烘烤；优选的，所述上片工位处设有外观检查工位和周转缓冲站。3.根据权利要求2所述GPP玻钝工艺方法，其特征在于：所述硅片双面印保护层的步骤依次包括：反面印保护层、烘干、翻面、正面印保护层和烘干；所述反面印保护层步骤和所述正面印保护层步骤的顺序可以互换；优选的，所述翻面工位处设有外观检查工位和周转缓冲站。4.根据权利要求1所述GPP玻钝工艺方法，其特征在于：所述S2沟槽开槽包括初步的激光开槽和进一步的腐蚀开槽；优选的，所述沟槽开槽的步...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓捧，王彦君，孙晨光，徐长坡，陈澄，武卫，梁效峰，王宏宇，杨玉聪，史丽萍，徐艳超，陈亚彬，
申请(专利权)人：天津环鑫科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12
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