【技术实现步骤摘要】
封装结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种封装结构及其形成方法。
技术介绍
晶圆级封装(WaferLevelPackaging，WLP)是芯片封装方式的一种，是整片晶圆生成完成后，直接在晶圆上进行封装和测试，完成之后才切割制备单颗芯片，不须经过打线或填胶。晶圆级封装具有封装尺寸小和封装后电性能优良的优点，晶圆级封装还容易与晶圆制造和芯片组装兼容，简化晶圆制造到产品出货的过程，降低生产成本。随着封装技术的发展，封装结构的厚度越来越薄，于是，提出扇出晶圆级封装(FOWLP)。扇出晶圆级封装具有无需使用印刷电路板(PCB)、I/Opad能弹性扩充、封装面积小等优点，因此，扇出晶圆级封装能大幅降低生产成本。然而，扇出晶圆级封装易引起晶圆的性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种封装结构及其形成方法，以提高封装结构的平整度。为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种封装结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆具有第一面和与第一面相对的第二面，所述晶圆包括若干第一芯片区和相邻第一芯片区之间的间隔区；将所述晶圆第二面与第一胶合层贴合；在...
【技术保护点】
1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆具有第一面和与第一面相对的第二面，所述晶圆包括若干第一芯片区和相邻第一芯片区之间的间隔区；将所述晶圆第二面与第一胶合层贴合；在贴合所述第一胶合层之后，对所述晶圆间隔区进行分割处理，形成贯穿晶圆间隔区的开口以及位于开口两侧第一芯片区内的若干第一芯片；在所述开口内形成塑封层，所述塑封层覆盖第一芯片的侧壁，且所述塑封层暴露出第一芯片的顶部表面。
【技术特征摘要】
1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆具有第一面和与第一面相对的第二面，所述晶圆包括若干第一芯片区和相邻第一芯片区之间的间隔区；将所述晶圆第二面与第一胶合层贴合；在贴合所述第一胶合层之后，对所述晶圆间隔区进行分割处理，形成贯穿晶圆间隔区的开口以及位于开口两侧第一芯片区内的若干第一芯片；在所述开口内形成塑封层，所述塑封层覆盖第一芯片的侧壁，且所述塑封层暴露出第一芯片的顶部表面。2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一芯片和开口的形成步骤包括：对所述晶圆间隔区进行半切处理，形成暴露出第一胶合层的第一初始开口，所述第一初始开口具有第一预设深度，所述第一预设深度小于晶圆的厚度；形成所述第一初始开口之后，对所述晶圆第一面进行磨平处理，直至暴露出第一初始开口，形成所述第一芯片；形成所述第一芯片之后，对所述第一初始开口进行扩膜处理，形成所述开口。3.如权利要求2所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述扩膜处理的步骤包括：提供扩膜机，所述扩膜机上具有载台；将晶圆放置于载台上，使晶圆第一面向上；对第一初始开口进行扩膜处理。4.如权利要求3所述的封装结构的形成方法，其特征在于，将晶圆放置于载台上之前，还包括：将载台预热至45度～55度，预热时间为5分钟～10分钟；扩膜处理的参数包括：温度为45度～55度。5.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述间隔区内还包括若干第二芯片区，所述第二芯片区内还具有若干第二芯片。6.如权利要求5所述的封装结构的形成方法，其特征在于，若干所述第二芯片、第一芯片和开口的形成步骤包括：对所述第一芯片区和第二芯片区之间的间隔区进行半切处理，形成暴露出第一胶合层的第二初始开口，所述第二初始开口具有第二预设深度，所述第二预设深度小于晶圆的厚度；形成所述第二初始开口之后，对所述晶圆第一面进行磨平处理，直至暴露出第二初始开口，在所述晶圆第一芯片区内形成第一芯片，在所述晶圆第二芯片区内形成第二芯片；形成所述第一芯片和第二芯片之后，取出所述第二芯片，在相邻第一芯片之间形成所述开口。7.如权利要求6所述的封装结构的形成方法，其特征在于，取出所述第二芯片的工具为针状物，所述针状物包括：顶针或者针管。8.如权利要求5所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述间隔区内还包括若干第三芯片区，所述第三芯片区内还具有若干...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆建刚，陈福成，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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