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一种GPP玻钝工艺方法，步骤包括：S1、印刷保护层，以便在后续沟槽腐蚀时对硅片的无需腐蚀部分进行保护；S2、沟槽开槽：对硅片进行开槽处理，使开槽程度达到GPP芯片的要求；S3、LPCVD‑poly：槽内进行Poly生长，使电参数更稳定；S4...
该专利属于天津环鑫科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津环鑫科技发展有限公司授权不得商用。

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