一种沟槽腐蚀时的硅片保护方法及硅片技术

一种沟槽腐蚀时的硅片保护方法及硅片，其特征在于：在所述硅片表面印刷耐酸蜡，所述耐酸蜡成分包括2‑丁氧基乙醇、滑石粉和乙酸‑2‑(2‑乙氧基乙氧基)乙酯。本发明专利技术相较于原工艺的有益效果是采用丝网印刷耐酸胶的工艺代替原有涂覆光刻胶的方法，大大缩短工艺流程，提高GPP生产效率，同时减少化工原料使用量，有效降低成本。

A Silicon Wafer Protection Method and Silicon Wafer in Groove Corrosion

A method for protecting silicon wafers during groove corrosion and a silicon wafer are characterized in that acid-resistant wax is printed on the surface of the silicon wafer. The acid-resistant wax consists of 2 butoxyethanol, talcum powder and 2 (2 ethoxyethoxy) ethyl acetate. Compared with the original process, the invention has the beneficial effect of replacing the original coating photoresist with the screen printing acid-resistant adhesive process, greatly shortening the process flow, improving the GPP production efficiency, reducing the use of chemical raw materials, and effectively reducing the cost.

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽腐蚀时的硅片保护方法及硅片
本申请属于GPP生产
，具体地说，涉及一种沟槽腐蚀时的硅片保护方法及硅片。
技术介绍
GPP是Glassivationpassivationparts的缩写，是玻璃钝化类器件的统称。该产品就是在现有产品普通硅整流扩散片的基础上对拟分割的管芯P/N结面四周烧制一层玻璃，玻璃与单晶硅有很好的结合特性，使P/N结获得最佳的保护，免受外界环境的侵扰，提高器件的稳定性，信赖性极佳。也因此GPP在电子领域的应用越来越广泛。相应的GPP生产工艺，越来越受到行业内的关注，如何更有效、更快速、更高品质的生产GPP成为一个课题。目前常用的沟槽腐蚀前的保护方法是采用光刻工艺，工艺流程有前烘-涂胶双面胶-烘烤-光刻-显影-坚膜-去氧化层-烘烤-背胶-烘烤。工艺流程长，影响GPP生产效率，化工原料使用量大，成本高。
技术实现思路
有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了沟槽腐蚀时的硅片保护方法及硅片，采用丝网印刷耐酸蜡的方法，缩短原工艺的流程，减少化工原料使用量。为了解决上述技术问题，本申请公开了一种沟槽腐蚀时的硅片保护方法及硅片，并采用以下技术方案来实现。一种沟槽腐蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽腐蚀时的硅片保护方法，其特征在于：在硅片表面印刷耐酸蜡对所述硅片进行保护。

【技术特征摘要】
1.一种沟槽腐蚀时的硅片保护方法，其特征在于：在硅片表面印刷耐酸蜡对所述硅片进行保护。2.根据权利要求1所述沟槽腐蚀时的硅片保护方法，其特征在于：所述印刷耐酸蜡的步骤依次包括：前烘-N面印刷耐酸蜡-烘烤-P面印刷耐酸蜡-烘烤；所述N面印刷耐酸蜡步骤和所述P面印刷耐酸蜡步骤顺序可以互换。3.根据权利要求1或2所述沟槽腐蚀时的硅片保护方法，其特征在于：所述耐酸蜡成分包括：2-丁氧基乙醇、滑石粉和乙酸-2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯。4.根据权利要求3所述沟槽腐蚀时的硅片保护方法，其特征在于：所述耐酸蜡的成分不包括石棉纤维。5.根据权利要求1或2所述沟槽腐蚀时的硅片保护方法，其特征在于：所述耐酸蜡的成分不包括石棉纤维、...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓捧，王彦君，孙晨光，徐长坡，陈澄，武卫，梁效峰，王宏宇，杨玉聪，史丽萍，徐艳超，甄辉，齐风，蔡瑞祥，
申请(专利权)人：天津环鑫科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12