【技术实现步骤摘要】
晶圆传送装置及半导体工艺设备
本技术涉及半导体工艺设备领域，更详细地说，本技术涉及半导体工艺设备的晶圆传送装置。
技术介绍
大多数半导体工艺设备，如刻蚀设备、物理气相沉积设备、化学气相沉积设备等，均需要将晶圆在各腔室之间传递，图1示出了现有技术的一种半导体工艺设备中，晶圆在真空传送腔101和四个独立的工艺腔室102之间的传送装置结构，该晶圆传送装置利用机械臂104在真空传送腔101和各工艺腔室102间传递晶圆，当任一工艺腔室102中的反应完成时，可以打开设置于真空传送腔101和该工艺腔室102之间的真空端门103，利用机械臂104将该工艺腔室102中的晶圆取下后直接送至真空传送腔101中。然而，该过程极易使工艺腔室102中的工艺气体泄露至真空传送腔101中，即使在转移晶圆前耗费大量时间对工艺腔室102进行抽真空处理，由于刚完成反应的晶圆表面能很高，其表面依旧会吸附一定量的工艺气体。因此，从不同工艺腔室进入真空传送腔101的晶圆可能携带不同类型的工艺气体，从而在真空传送腔中101产生交叉污染，影响工艺设备的使用性能和寿命。此外，部分工艺设备(如刻蚀设备)，会采用HB...
【技术保护点】
1.一种用于半导体工艺设备的晶圆传送装置，所述半导体工艺设备包括真空传送腔和多个工艺腔室，所述晶圆传送装置用于在所述真空传送腔和每个所述工艺腔室间传送晶圆，其特征在于，所述晶圆传送装置包括缓冲腔和残气清洁装置，所述缓冲腔分别与所述真空传送腔及所述工艺腔室相连接并与真空泵连通，晶圆在所述缓冲腔内具有残气清洁工位，所述残气清洁装置能够对位于所述残气清洁工位上的晶圆进行清洁，以去除所述晶圆表面残留的工艺气体。
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体工艺设备的晶圆传送装置，所述半导体工艺设备包括真空传送腔和多个工艺腔室，所述晶圆传送装置用于在所述真空传送腔和每个所述工艺腔室间传送晶圆，其特征在于，所述晶圆传送装置包括缓冲腔和残气清洁装置，所述缓冲腔分别与所述真空传送腔及所述工艺腔室相连接并与真空泵连通，晶圆在所述缓冲腔内具有残气清洁工位，所述残气清洁装置能够对位于所述残气清洁工位上的晶圆进行清洁，以去除所述晶圆表面残留的工艺气体。2.如权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述残气清洁装置为气体吹扫装置，能够对位于所述残气清洁工位上的晶圆表面进行吹扫。3.如权利要求2所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述气体吹扫装置采用的气体为N2、Ar、He中的一种或多种。4.如权利要求2所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述气体吹扫装置包括朝向所述残气清洁工位设置的气体吹扫管以及与所述真空泵连通并通向所述缓冲腔内部的真空排...
【专利技术属性】
技术研发人员：阚保国，麦永业，刘家桦，叶日铨，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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