一种基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置及方法制造方法及图纸

技术编号:20244930 阅读:63 留言:0更新日期:2019-01-30 00:02
本发明专利技术属于半导体技术领域,并具体公开了一种基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置及方法,包括微器件剥离转移模块、X向扩晶模块、过渡承接模块、Y向扩晶模块、目标基板承载模块、微器件补缺模块、固化模块、封装模块和目标基板搬运模块,微器件剥离转移模块用于剥离微器件;X向扩晶模块用于将微器件沿晶元盘的X向扩晶;过渡承接模块用于将晶元盘旋转90度;Y向扩晶模块用于将微器件沿晶元盘的Y向扩晶;目标基板承载模块用于接收微器件并将目标基板送入微器件补缺模块、固化模块、封装模块、基板搬运模块中,实现补缺、固化、封装及上下料。通过本发明专利技术,利用卷绕工艺实现微器件的巨量转移,具有生产效率高、生产成本低等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置及方法
本专利技术属于半导体
,更具体地,涉及一种基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置及方法。
技术介绍
Micro-LED技术,即LED微缩化和矩阵化技术,指的是在一个晶片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮,可看成是LED显示屏的微缩版,将像素点距离从毫米级降低至微米级。Micro-LED优点表现的很明显,它继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点,并且具自发光无需背光源的特性,更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。同时,相比于OLED,色彩的准确度更高且具由更长的寿命以及更高的亮度。Micro-LED主要通过将传统LED晶体薄膜用微缩制程技术进行微缩化、阵列化、薄膜化,然后通过巨量转移技术将晶体膜批量转移到电路上,利用物理沉积技术制造保护层,最后完成封装。巨量转移技术是Micro-LED制备的关键技术之一,其转移过程精度要求高、数量巨大,需要新技术来满足这一要求。
技术实现思路
针对现有技术的以上缺陷或改进需求,本专利技术提供了一种基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置及方法,其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置,其特征在于,包括微器件剥离转移模块(10)、X向扩晶模块(20)、过渡承接模块(30)、Y向扩晶模块(40)、目标基板承载模块(50)、微器件补缺模块(60)、固化模块(70)、封装模块(80)和目标基板搬运模块(90),其中:所述微器件剥离转移模块(10)位于X向扩晶模块(20)的上方,其用于将微器件从晶元盘(14)上剥离;所述X向扩晶模块(20)用于承接从晶元盘(14)上剥离的微器件,并将微器件沿晶元盘的X向扩晶;所述过渡承接模块(30)位于X向扩晶模块(20)的右下方,用于承接从X向扩晶模块(20)剥离的微器件,并将微器件旋转90度;所述Y向扩...

【技术特征摘要】
1.一种基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置,其特征在于,包括微器件剥离转移模块(10)、X向扩晶模块(20)、过渡承接模块(30)、Y向扩晶模块(40)、目标基板承载模块(50)、微器件补缺模块(60)、固化模块(70)、封装模块(80)和目标基板搬运模块(90),其中:所述微器件剥离转移模块(10)位于X向扩晶模块(20)的上方,其用于将微器件从晶元盘(14)上剥离;所述X向扩晶模块(20)用于承接从晶元盘(14)上剥离的微器件,并将微器件沿晶元盘的X向扩晶;所述过渡承接模块(30)位于X向扩晶模块(20)的右下方,用于承接从X向扩晶模块(20)剥离的微器件,并将微器件旋转90度;所述Y向扩晶模块(40)位于过渡承接模块(30)的右上方,用于承接从过渡承接模块(30)上剥离的微器件,并将微器件沿着Y向扩晶;所述目标基板承载模块(50)位于Y向扩晶模块(40)的右下方,用于接收微器件并将目标基板(55)送入微器件补缺模块(60)、固化模块(70)与封装模块(80)中;所述微器件补缺模块(60)、固化模块(70)、封装模块(80)与基板搬运模块(90)依次布置于目标基板承载模块(50)的右侧,所述微器件补缺模块(60)用于实现目标基板(55)上微器件的补缺,所述固化模块(70)用于实现微器件与基板的连接,所述封装模块(80)用于对连接后的微器件与基板整体封装一层保护层,所述基板搬运模块(90)用于实现目标基板(55)的上下料。2.如权利要求1所述的基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置,其特征在于,所述微器件剥离转移模块(10)包括晶元自动换盘单元(11)、晶元盘移动单元(16)、晶元盘托盘(15)、转移激光扫描单元(12)、转移激光剥离单元(13)以及遍历视觉单元(17),所述晶元自动换盘单元(11)布置于晶元盘移动单元(16)的后方,用于将晶元盘(14)装入晶元盘移动单元(16)上方的晶元盘托盘(15)上,所述转移激光扫描单元(12)与转移激光剥离单元(13)并列布置于晶元盘(14)的上方,分别用于弱化晶元盘上微器件与晶元盘的粘结强度以及将微器件从晶元盘上剥离,所述遍历视觉单元(17)布置于晶元盘(14)的下方,用于检测微器件的质量并标识不良微器件。3.如权利要求1所述的基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置,其特征在于,所述X向扩晶模块(20)包括初级放料卷(21)、初级载带(24)、初级对辊(22)、初级惰辊(23)、初级视觉单元(25)、初级激光扫描单元(26)、初级激光剥离单元(27)以及初级收料卷(28),所述初级载带(24)首尾绕卷在初级放料卷(21)和初级收料卷(28)上,其表面带有胶层,所述初级放料卷(21)、初级对辊(22)、初级惰辊(23)、初级视觉单元(25)、初级激光扫描单元(26)、初级激光剥离单元(27)以及初级收料卷(28)沿着初级载带(24)的进给方向依次布置,所述初级对辊(22)位于初级载带(24)的两侧,用于驱动初级载带(24)进给,所述初级惰辊(23)位于初级载带(24)的下方,用于支撑初级载带(24)并调整初级载带(24)跨距布局,所述初级视觉单元(25)用于检测微器件在初级载带(24)上的分布以及初级载带(24)的运行速度,所述初级激光扫描单元(26)用于弱化微器件与初级载带(24)的粘结强度,所述初级激光剥离单元(27)用于将微器件从初级载带(24)剥离。4.如权利要求1所述的基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置,其特征在于,所述过渡承接模块(30)包括承载盘自动换盘单元(31)、循环输送单元(32)以及循环导轨(33),所述承载盘自动换盘单元(31)设于循环输送单元(32)的旁侧,用于将承载盘装设在循环输送单元(32)上,所述循环输送单元(32)在循环导轨(33)的导向下带动承载盘做循环运动。5.如权利要求1所述的基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置,其特征在于,所述Y向扩晶模块(40)包括次级放料卷(401)、次级载带(405)、次级惰辊(402)、过渡激光扫描单元(403)、过渡激光剥离单元(404)、次级视觉单元(406)、次级激光扫描单元(407)、次级激光剥离单元(408)、次级对辊(409)以及次级收料卷(410),所述次级载带(405)首尾绕卷在次级放料卷(401)和次级收料卷(410)上,其表面带有胶层,所述次级放料卷(401)、次级惰辊(402)、过渡激光扫描单元(403)、过渡激光剥离单元(404)、次级视觉单元(406)、次级激光扫描单元(407)、次级激光剥离单元(408)、次级对辊(409)以及次级收料卷(410)沿着次级载带(405)的进给方向依次布置,所述次级惰辊(402)用于支撑次级载带(405)并调整次级载带(405)跨距布局,所述过渡激光扫描单元(403)用于弱化微器件与过渡承载基板(321)的粘结强度,所述过渡激光剥离单元(404)用于将微器件从过渡承载基板(321)剥离,所述次级视觉单元(406)用于检测次级载带(405)上微器件的分布,所述次级激光扫描单元(407)用于弱化微器件与次级载带(405)的粘结强度,所述次级激光剥离单元(408)用于将微器件从次级载带(405)剥离至目标基板(55),所述次级对辊(409)用于驱动次级载带(405)进给。6.如权利要求1所述的基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置,其特征在于,所述基板承载模块(50)包括XYZ模组(51)、基板底座(52)、调节组件(53)、基板支撑板(54)以及基板视觉单元(56),其中,所述基板底座(52...

【专利技术属性】
技术研发人员:尹周平陈建魁金一威
申请(专利权)人:华中科技大学
类型:发明
国别省市:湖北,42

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