一种晶片传送装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体设备制造技术领域，旨在提供一种晶片传送装置。该装置包括左上料锁定装置、右上料锁定装置和反应腔；还包括晶片传送主体，左上料锁定装置和右上料锁定装置均通过门阀设于晶片传送主体同一侧部；对侧通过门阀连接反应腔，用于对晶片进行化学气相沉积处理。本产品使用双上料锁定装置，减少换料等待时间；使用氮气吹扫来保持晶片搬运腔室的无污染环境，避免晶片在向反应腔搬运过程中带入污染物，从而提升晶片进行化学气相沉积处理效率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片传送装置
本专利技术涉及半导体设备制造
，特别一种晶片传送装置。
技术介绍
在当前的半导体制造工艺中，在晶片表面进行化学气相沉积处理已经有了长期的实践应用。化学气相沉积处理是使含沉积物的反应物气体与置换气体在高温下流过晶片表面并发生反应，沉积得到更高纯度的单晶。在化学气相沉积装置中，晶片批量处理工艺曾得到过大量应用，然而其存在如下缺点：反应物气体浓度会随着沉积反应的进行而逐渐下降；导致沉积速率的不一致；多晶片同时处理需要更大的空间，而这往往意味着使该空间内温度控制一致的目的更难实现。这些缺点会导致同一晶片的不同点或不同晶片的沉积层厚度不一致。特别是在大尺寸晶片(直径200～300mm)越来越受青睐后，单晶片沉积工艺开始受到更广泛的关注。目前该工艺最具针对性的技术是在晶片上下料过程中，使用晶圆匣升降机来实现晶片的单独提取和存放。晶圆匣升降机内部处于真空状态，可以阻止大气从晶圆匣升降机内部缝隙进入晶片上料锁定装置。晶圆匣通过晶圆匣载台，置于晶圆匣升降机上，在上料锁定工况下，晶片依次被移动至与取放料口对齐。当晶圆匣内的最后一块晶片处理完成，如果使用单一上料锁定装置，则只有等到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片传送装置，包括左上料锁定装置、右上料锁定装置和反应腔；其特征在于，还包括晶片传送主体，所述左上料锁定装置和右上料锁定装置均通过门阀设于晶片传送主体同一侧部；对侧通过门阀连接反应腔，用于对晶片进行化学气相沉积处理；所述晶片传送主体为通过晶片传送腔体与顶部的晶片传送盖板组成的腔形结构；所述晶片传送腔体内设有机械臂，机械臂端部连接有吸盘，所述机械臂的运动由设于晶片传送主体底部的机械手进行控制；所述晶片传送腔体的左上料锁定装置和右上料锁定装置所在处的侧壁上均开有取放料口；所述左上料锁定装置和右上料锁定装置结构相同，均包括通过上上料腔体和下上料腔体围成的腔形结构；上上料腔体后侧设有通过内闸门...

【技术特征摘要】
1.一种晶片传送装置，包括左上料锁定装置、右上料锁定装置和反应腔；其特征在于，还包括晶片传送主体，所述左上料锁定装置和右上料锁定装置均通过门阀设于晶片传送主体同一侧部；对侧通过门阀连接反应腔，用于对晶片进行化学气相沉积处理；所述晶片传送主体为通过晶片传送腔体与顶部的晶片传送盖板组成的腔形结构；所述晶片传送腔体内设有机械臂，机械臂端部连接有吸盘，所述机械臂的运动由设于晶片传送主体底部的机械手进行控制；所述晶片传送腔体的左上料锁定装置和右上料锁定装置所在处的侧壁上均开有取放料口；所述左上料锁定装置和右上料锁定装置结构相同，均包括通过上上料腔体和下上料腔体围成的腔形结构；上上料腔体后侧设有通过内闸门板和外闸门板所组成的闸门，前侧设有开孔，当门阀开启时，用于与晶片传送主体进行连通；下下料腔体内部底面上设有由晶圆匣上载板和晶圆匣下载板组成的晶圆匣载台，用于放置晶圆匣；下下料腔体底部连接晶圆匣升降机；晶圆匣升降机的升降轴端部与晶圆匣载台相连。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈文杰，傅林坚，潘文博，麻鹏达，曹建伟，汤成伟，章杰峰，
申请(专利权)人：浙江求是半导体设备有限公司，浙江晶盛机电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33