晶圆传递模块及传递晶圆的方法技术

本公开实施例提供一种晶圆传递模块及传递晶圆的方法。晶圆传递模块包括一驱动组件。晶圆传递模块还包括一载片。载片设置于驱动组件上且包括一延伸部。延伸部沿一延伸方向自一第一端延伸至一第二端并按序包括一第一段部、一第二段部及一第三段部。该第一段部与该第二段部配置用于承载该晶圆，且该第二段部与该第三段部的交界与该第一端的距离大于该晶圆的宽度。晶圆传递模块也包括一末端压力感测器。末端压力感测器设置于载片的第三段部之上并配置用于感测一压力并根据所感测的压力发出电子信号。本公开实施例可以避免晶圆掉片、晶圆刮伤或机台被偏移的晶圆传递模块碰撞等问题，以有效提高晶圆制造的良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆传递模块及传递晶圆的方法
本专利技术实施例涉及半导体制造
，具体而言，涉及一种用于传递半导体晶圆的晶圆传递模块与传递半导体晶圆的方法。
技术介绍
半导体装置被用于多种电子应用，例如个人电脑、移动电话、数码相机以及其他电子设备。半导体装置的制造通常是通过在半导体基板上按序沉积绝缘或介电层材料、导电层材料以及半导体层材料，并通过包括光刻(lithography)制程及微影制程等程序将各种材料层图案化，以形成电路组件和零件于此半导体基板之上。通常数十个或数百个集成电路是在一个半导体晶圆上进行制造。在集成电路制程中，随着对产量及良率与日渐增的需求，而发展出高度专业化与自动化的系统来传递晶圆。晶圆通常储存在卡匣(Cassette)内，且根据不同制程，例如溅镀(Sputtering)制程、化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition)制程、微影(Photolithography)制程、或蚀刻制程、化学电镀(ECP)制程、化学机械研磨(CMP)制程等，需不同反应室或反应槽。而在各个卡匣与制程反应室间，便需使用晶圆传递模块(Robot)来传递晶圆。然现有的晶圆传递技术及设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆传递模块，适用于承载一晶圆，包括：一驱动组件；一载片，设置于该驱动组件上且包括用于承载该晶圆的一延伸部，其中该延伸部沿一延伸方向自一第一端延伸至一第二端，且在该延伸方向上按序包括一第一段部、一第二段部及一第三段部，该第一段部与该第二段部配置用于承载该晶圆，且该第二段部与该第三段部的交界与该第一端的距离大于该晶圆的宽度；以及一第一末端压力感测器，设置于该延伸部的该第三段部并配置用于感测一压力并根据所感测的压力发出电子信号。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆传递模块，适用于承载一晶圆，包括：一驱动组件；一载片，设置于该驱动组件上且包括用于承载该晶圆的一延伸部，其中该延伸部沿一延伸方向自一第一端延伸至一第二端，且在该延伸方向上按序包括一第一段部、一第二段部及一第三段部，该第一段部与该第二段部配置用于承载该晶圆，且该第二段部与该第三段部的交界与该第一端的距离大于该晶圆的宽度；以及一第一末端压力感测器，设置于该延伸部的该第三段部并配置用于感测一压力并根据所感测的压力发出电子信号。2.如权利要求1所述的晶圆传递模块，还包括：一后端压力感测器，设置于该第一段部；以及一前端压力感测器，设置于该第二段部，其中该第一段部连结该第二段部于一横轴线，该后端压力感测器与该横轴线间之间距相同于该前端压力感测器与该横轴线之间距。3.如权利要求1所述的晶圆传递模块，还包括两个后端压力感测器，该两个后端压力感测器设置于该第一段部并分别位于该载片的一长轴线的两侧，且与该长轴线相隔相同间距。4.如权利要求3所述的晶圆传递模块，还包括两个前端压力感测器，该两个前端压力感测器设置于该第二段部并分别位于该载片的该长轴线的两侧，且与该长轴线相隔相同间距。5.如权利要求1所述的晶圆传递模块，还包括一第二末端压力感测器，该第一末端压力感测器设置于该载片相对于该第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：王林伟，任勇彰，陈政廷，张正峰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71