半导体器件制造技术

一种半导体器件包括：栅电极，沿着垂直于衬底的上表面的方向堆叠，栅电极在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸到不同的长度，每个栅电极包括在垂直于第一方向且与所述衬底的上表面平行的第二方向上彼此隔开的子栅电极以及将其中的子栅电极彼此连接的至少一个栅极连接部；通道，垂直于衬底的上表面延伸穿过栅电极；以及虚设通道，垂直于衬底的上表面延伸穿过栅电极，虚设通道包括以行和列布置的第一虚设通道以及在包括栅极连接部的区域中布置在第一虚设通道之间的第二虚设通道。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用于2017年7月18日向韩国知识产权局提交的标题为“SemiconductorDevice(半导体器件)”的第10-2017-0090804号韩国专利申请通过引用被全部并入本文。
实施例涉及半导体器件。
技术介绍
半导体器件需要处理大量数据，但半导体器件的体积却正在减小。因此，需要提高形成这种半导体器件的半导体元件的集成度。相应地，作为提高半导体器件的集成度的方法，已经提出了具有垂直晶体管结构而不是平面晶体管结构的半导体器件。
技术实现思路
根据实施例的一方面，半导体器件可以包括：栅电极，沿着垂直于衬底的上表面的方向堆叠，栅电极在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸到不同的长度，每个栅电极包括在垂直于第一方向且与所述衬底的上表面平行的第二方向上彼此隔开的子栅电极和将其中的子栅电极彼此连接的栅极连接部；通道，垂直于衬底的上表面延伸穿过栅电极；以及虚设通道，垂直于衬底的上表面延伸穿过栅电极，虚设通道包括以行和列布置的第一虚设通道以及在包括栅极连接部的区域中布置在第一虚设通道之间的第二虚设通道。根据实施例的另一方面，半导体器件可以包括：栅电极，包括垂直于衬底的上表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：栅电极，所述栅电极沿着垂直于衬底的上表面的方向堆叠，所述栅电极在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸到不同的长度，每个栅电极包括：子栅电极，所述子栅电极在垂直于所述第一方向且与所述衬底的上表面平行的第二方向上彼此隔开；以及至少一个栅极连接部，所述至少一个栅极连接部将所述栅电极的所述子栅电极彼此连接；通道，所述通道垂直于所述衬底的上表面延伸穿过所述栅电极；和虚设通道，所述虚设通道垂直于所述衬底的上表面延伸穿过所述栅电极，所述虚设通道包括以行和列布置的第一虚设通道以及在包括所述栅极连接部的区域中布置在所述第一虚设通道之间的第二虚设通道。

【技术特征摘要】
2017.07.18 KR 10-2017-00908041.一种半导体器件，所述半导体器件包括：栅电极，所述栅电极沿着垂直于衬底的上表面的方向堆叠，所述栅电极在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸到不同的长度，每个栅电极包括：子栅电极，所述子栅电极在垂直于所述第一方向且与所述衬底的上表面平行的第二方向上彼此隔开；以及至少一个栅极连接部，所述至少一个栅极连接部将所述栅电极的所述子栅电极彼此连接；通道，所述通道垂直于所述衬底的上表面延伸穿过所述栅电极；和虚设通道，所述虚设通道垂直于所述衬底的上表面延伸穿过所述栅电极，所述虚设通道包括以行和列布置的第一虚设通道以及在包括所述栅极连接部的区域中布置在所述第一虚设通道之间的第二虚设通道。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二虚设通道以与所述第一虚设通道不同的图案布置，并且所述第二虚设通道中的至少一个第二虚设通道穿过所述栅极连接部。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，多个所述第二虚设通道穿过单个栅极连接部。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二虚设通道中的至少一些第二虚设通道在所述第二方向上位于所述栅极连接部的至少一侧。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极连接部与所述第二虚设通道中的与所述栅极连接部最相邻的第二虚设通道之间的距离，小于所述栅极连接部与所述第一虚设通道中的与所述栅极连接部最相邻的第一虚设通道之间的距离。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述栅电极分别包括位于其边缘处的接触区域，所述栅电极中的下栅电极在所述第一方向上比所述栅电极中的上栅电极延伸更远，所述第一虚设通道位于所述接触区域的边界处，所述第二虚设通道位于所述接触区域中。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述通道设置在所述第一区域中，所述栅电极在所述第二区域中延伸至不同的长度，并且所述栅极连接部和所述第二虚设通道设置在所述第二区域中。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述栅电极分别包括位于其边缘处的接触区域，所述栅电极中的下栅电极在所述第一方向上比所述栅电极中的上栅电极延伸更远，所述半导体器件还包括通过所述接触区域连接到所述栅电极的接触插塞。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，包括所述栅极连接部的接触区域中的接触插塞的数量少于不包括所述栅极连接部的接触区域中的接触插塞的数量。10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，在包括所述栅极连接部的接触区域中，所述接触插塞在远离所述第二虚设通道的方向上偏移。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极中的一些栅电极均包括多个栅极连接部。12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极中的最下面的栅电极通过设置在所述栅极连接部下方的下隔离区域被分成所述子栅电极。13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，堆叠的所述栅电极中的最上部的一个或更多个栅电极通过上隔离区域被分成所述子栅电极。14.根据权利要求1所述的半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛承俊，朴玄睦，申重植，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR