A memory element and its manufacturing method. The memory element comprises a base, a floating gate, a gate insulating layer, an intergate dielectric layer and a control gate. The control gate has a multi-layer structure of more than three layers, and at least one layer of the multi-layer structure is a metal silicide layer.
【技术实现步骤摘要】
存储器元件及其制造方法
本专利技术是涉及一种半导体技术，且特别涉及一种存储器元件及其制造方法。
技术介绍
非易失性存储器由于具有可多次进行数据写入、读取、擦除等动作，并且写入的数据在断电后也不会消失等优点，因此已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种存储器元件。非易失性存储器中的字线(wordline)通常是形成于控制栅极上的金属硅化物层。其中，为了去除金属硅化物层中的不纯物，在形成金属硅化物层后通常会对金属硅化物层进行热处理。然而金属硅化物层中的金属硅化物可能因为这道热处理而扩散至控制栅极中，甚至使金属硅化物接触栅间介电层(IPD)，并导致栅间介电层电容失效、栅间介电层的崩溃电压降低、元件可靠性降低等缺点。图1是现有的一种存储器元件的透射电子显微镜(transmissionelectronmicroscope，TEM)照片。请参照图1，存储器元件包括基底100、基底100内的隔离结构102、浮置栅极104、栅极绝缘层106、栅间介电层108、控制栅极110。其中，控制栅极110一般为双层结构，包括填入浮置栅极104之间的第一层1101与其上的第二层1102，第...
【技术保护点】
1.一种存储器元件，包括：浮置栅极，位于基底上；栅极绝缘层，位于所述浮置栅极与所述基底之间；栅间介电层，位于所述浮置栅极上；以及控制栅极，位于所述栅间介电层上，所述控制栅极为三层以上的多层结构，所述多层结构的至少一层为金属硅化物层。
【技术特征摘要】
1.一种存储器元件，包括：浮置栅极，位于基底上；栅极绝缘层，位于所述浮置栅极与所述基底之间；栅间介电层，位于所述浮置栅极上；以及控制栅极，位于所述栅间介电层上，所述控制栅极为三层以上的多层结构，所述多层结构的至少一层为金属硅化物层。2.如权利要求1所述的存储器元件，其中所述控制栅极包括第一层、第二层以及第三层，所述第二层位于所述第一层与所述第三层之间。3.如权利要求2所述的存储器元件，其中所述控制栅极的所述第一层与所述控制栅极的所述第二层的厚度小于所述控制栅极的所述第三层的厚度。4.如权利要求2所述的存储器元件，其中所述控制栅极的所述第一层的晶粒大小小于所述控制栅极的所述第二层与所述控制栅极的所述第三层的晶粒大小。5.如权利要求1所述的存储器元件，其中所述控制栅极的至少一层为碳掺杂的多晶硅。6.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：周福兴，詹耀富，韩宗廷，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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