一种嵌入式闪存结构的形成方法技术

本发明专利技术涉及一种嵌入式闪存结构的形成方法，包括以下步骤：提供衬底，执行第一光罩工艺，以在存储区暴露第一阱注入区域和在逻辑区暴露第二阱注入区域；执行第一离子注入，同时在第一阱注入区域和第二阱注入区域进行阱注入；执行第二光罩工艺以暴露存储区的闪存单元区域，所述闪存单元区域位于第一阱注入区域范围内；执行第二离子注入，对闪存单元区域的阱离子浓度进行调整；以及在闪存单元区域形成闪存单元。利用本发明专利技术的嵌入式闪存结构的形成方法可以减少光罩次数，节约了工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
一种嵌入式闪存结构的形成方法
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种嵌入式闪存结构的形成方法。
技术介绍
闪存(flash)作为一种安全、快速的存储体，以其体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点，成为了嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。近年来，随着智能电子产品市场的飞速发展，各类MCU(microcontrollerunit，微控制器)及SoC(System-on-Chip，片上系统)的使用已经深入到汽车电子、工业控制和医疗产品等日常生活的各个方面。而高性能的MCU或SoC产品都离不开高性能嵌入式闪存(embeddedflash,E-flash)内核的支持。无论是从芯片面积、系统性能和功耗上，还是从制造良率和设计周期上考虑，嵌入式闪存对SoC设计的主导作用都在不断增加。嵌入式闪存将现有的闪存与逻辑模块从物理或电学的角度进行结合，提供更多样的性能。在嵌入式闪存制造工艺中，CELL器件区域和逻辑区均需要进行阱离子注入工艺。现有技术中，通常在CELL器件区域注入阱离子、在Cell器件区域制作闪存单元以及在逻辑区注入阱离子至少需要进行三次光罩工艺，增加了工艺的复杂性。专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种嵌入式闪存结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上定义有存储区和逻辑区，在所述衬底上形成有浮栅堆叠层；执行第一光罩工艺，以在所述存储区暴露出第一阱注入区域，并在所述逻辑区暴露出第二阱注入区域；执行第一离子注入，同时在所述第一阱注入区域和所述第二阱注入区域进行阱注入；在所述浮栅堆叠层上形成控制栅堆叠层；执行第二光罩工艺，以在所述存储区暴露出闪存单元区域，所述闪存单元区域位于所述第一阱注入区域范围内；执行第二离子注入，对所述闪存单元区域的阱离子浓度进行调整；以及在所述闪存单元区域形成闪存单元。

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式闪存结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上定义有存储区和逻辑区，在所述衬底上形成有浮栅堆叠层；执行第一光罩工艺，以在所述存储区暴露出第一阱注入区域，并在所述逻辑区暴露出第二阱注入区域；执行第一离子注入，同时在所述第一阱注入区域和所述第二阱注入区域进行阱注入；在所述浮栅堆叠层上形成控制栅堆叠层；执行第二光罩工艺，以在所述存储区暴露出闪存单元区域，所述闪存单元区域位于所述第一阱注入区域范围内；执行第二离子注入，对所述闪存单元区域的阱离子浓度进行调整；以及在所述闪存单元区域形成闪存单元。2.如权利要求1所述的嵌入式闪存结构的形成方法，其特征在于，第一离子注入和第二离子注入时注入的离子包括硼离子或砷离子。3.如权利要求2所述的嵌入式闪存结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入分三批次进行注入：第一批次离子能量为270～290千电子伏，每平方厘米离子量为1*1013±5*1012；第二批次离子能量为150～170千电子伏，每平方厘米离子量为1*1013±5*1012；第三批次离子能量为80～100千电子伏，每平方厘米离子量为1*1012±5*1011。4.如权利要求2所述的嵌入式闪存结构的形成方法，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冰寒，王哲献，江红，高超，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31