一种控制闪存浮栅尖端的方法技术

本发明专利技术提供了一种控制闪存浮栅尖端的方法，包括：提供一衬底；在衬底上形成浮栅层、栅极氧化层以及浮栅掩膜层；刻蚀浮栅掩膜层形成开口，并且形成具有斜率的第一侧墙；刻蚀浮栅层形成沟槽，在开口及沟槽处沉积氧化物形成氧化物层；刻蚀氧化物层形成与第一侧墙的侧面成结合面的第二侧墙，第二侧墙的斜面的斜率与第一侧墙的侧面的斜率相同，量测第二侧墙的斜面或者量测第一侧墙的侧面上下边的尺寸差值；刻蚀剩余的浮栅层和所述栅极氧化层，并沉积氧化物，刻蚀氧化物形成第三侧墙；去除浮栅掩膜层；根据尺寸差值，选择不同的回刻时间，对第二侧墙的斜面进行回刻工艺处理。最终，控制浮栅尖端的高度在预定的范围内，从而保持器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种控制闪存浮栅尖端的方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种控制闪存浮栅尖端的方法。
技术介绍
闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非易失性存储器中研究的热点，并且闪存被广泛用于手机、笔记本、掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中。闪存作为一种非易失性存储器，其工作原理是通过改变晶体管或存贮单元的临界电压来控制栅极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源终端而消失，而闪存作为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。在闪存结构中，浮栅尖端的高度会影响浮栅在编程、擦写时候耦合的电压，从而影响闪存在编程、擦写时的性能。因此，精确控制浮栅的尖端对于控制闪存的性能具有很强的意义。浮栅尖端的高度太高会影响擦除和编写的性能，需要将尖端的高度维持在预定的高度才能保持住器件的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种控制闪存浮栅尖端的方法，在控制浮栅形成过程中，控制浮栅尖端的高度在预定的范围内，从而保持器件的性能。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种控制闪存浮栅尖端的方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成有栅极氧化层、浮栅层以及浮栅掩膜层；刻蚀所述浮栅掩膜层形成开口，开口暴露出所述浮栅层，以形成第一侧墙，所述第一侧墙的侧面具有一定的斜率；以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀部分所述浮栅层形成沟槽，在所述开口及沟槽处沉积氧化物形成氧化物层；刻蚀所述氧化物层以暴露所述浮栅层并形成与所述第一侧墙的侧面成结合面的第二侧墙，所述第二侧墙的斜面的斜率与所述第一侧墙的侧面的斜率相同，量测所述第二侧墙的斜面上下边的尺寸差值或者量测所述第一侧墙的侧面上下边的尺寸差值；依次刻蚀第二侧墙形成的开口内剩余的所述浮栅层和所述栅极氧化层以暴露所述衬底，并沉积氧化物，刻蚀氧化物形成第三侧墙，所述第三侧墙连接所述第二侧墙和所述衬底；去除剩余的所述浮栅掩膜层，暴露所述浮栅层；根据所述尺寸差值，选择不同的回刻时间，对第二侧墙的斜面进行回刻工艺处理。可选的，在所述的控制闪存浮栅尖端的方法中，所述第一侧墙的侧面的上边相对于开口的中心线之间的距离大于其下边相对于开口的中心线之间的距离。可选的，在所述的控制闪存浮栅尖端的方法中，所述第一侧墙的侧面上下边的尺寸差越大，对应所述第二侧墙的斜面的斜率越小。可选的，在所述的控制闪存浮栅尖端的方法中，当所述第二侧墙的斜面的斜率越小时，采用回刻工艺处理的回刻时间越长。可选的，在所述的控制闪存浮栅尖端的方法中，所述回刻工艺为酸刻蚀工艺。可选的，在所述的控制闪存浮栅尖端的方法中，所述回刻工艺要求如下：当所述第二侧墙的斜面上下边的尺寸差值大于0.065μm时，回刻的时间为590秒至610秒。可选的，在所述的控制闪存浮栅尖端的方法中，当所述第二侧墙的斜面上下边的尺寸差值在0.06μm到0.065μm时，回刻时间为290秒至310秒。可选的，在所述的控制闪存浮栅尖端的方法中，当所述第二侧墙的斜面上下边的尺寸差值小于0.06μm时，回刻时间为170秒至190秒。可选的，在所述的控制闪存浮栅尖端的方法中，所述控制闪存浮栅尖端的方法还包括，在回刻工艺后，刻蚀对应第二侧墙的斜面之外的所述浮栅层形成浮栅。可选的，在所述的控制闪存浮栅尖端的方法中，所述浮栅掩膜层的材料为氮化硅。在本专利技术提供的一种控制闪存浮栅尖端的方法中，与现有技术相比，在去除浮栅掩膜层工艺之后加上回刻工艺的步骤，对第二侧墙进行回刻处理，并且根据不同的第二侧墙的斜面的斜率决定回刻的时间，具体方法为第二侧墙的斜面的斜率越小，回刻的时间越长，因此，根据所述第二侧墙的斜面的上下边的差值，选择不同的回刻时间，最终经过不同时间进行回刻工艺处理，从而将第二侧墙的斜面的斜率控制在目标范围内，将浮栅尖端的高度控制在目标范围内，最终增加浮栅的性能，保持器件具有较佳的性能。附图说明图1是本专利技术实施例的控制闪存浮栅尖端的方法的流程图；图2至图8是本专利技术实施例的控制闪存浮栅尖端的方法的剖面示意图；图中：110-衬底、120-栅极氧化层、130-浮栅层、131-沟槽、140-浮栅掩膜层、141-开口、142-第一侧墙、150-第二侧墙、160-第三侧墙、170-多晶硅、180-浮栅、181-浮栅尖端。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。本专利技术提供了一种控制闪存浮栅尖端的方法，参照图1，控制闪存浮栅尖端的方法包括：S11：提供一衬底；S12：在所述衬底上依次形成有栅极氧化层、浮栅层以及浮栅掩膜层；S13：刻蚀所述浮栅掩膜层形成开口，开口暴露出所述浮栅层，以形成第一侧墙，所述第一侧墙的侧面具有一定的斜率；S14以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀部分所述浮栅层形成沟槽，在所述开口及沟槽处沉积氧化物形成氧化物层；S15：刻蚀所述氧化物层以暴露所述浮栅层并形成与所述第一侧墙的侧面成结合面的第二侧墙，所述第二侧墙的斜面的斜率与所述第一侧墙的侧面的斜率相同，量测所述第二侧墙的斜面上下边的尺寸差值或者量测所述第一侧墙的侧面上下边的尺寸差值；此尺寸差值可以直接量测第二侧墙的斜面上下边计算，由于第二侧墙的斜面与第一侧墙的侧面形成结合面，且第二侧墙的斜面的斜率与所述第一侧墙的侧面的斜率相同，因此，也可以量测第一侧墙的侧面上下边计算尺寸差值。S16：依次刻蚀第二侧墙形成的开口内剩余的所述浮栅层和所述栅极氧化层以暴露所述衬底，并沉积氧化物，刻蚀氧化物形成第三侧墙，所述第三侧墙连接所述第二侧墙和所述衬底；S17：去除剩余的所述浮栅掩膜层，暴露所述浮栅层；S18：根据所述尺寸差值，选择不同的回刻时间，对所述第二侧墙的斜面进行回刻工艺处理。首先，请参照图2，提供一衬底110，衬底110可以是一硅衬底，在衬底110上形成一层栅极氧化层120，在栅极氧化层120上形成一浮栅层130，栅极氧化层120的材料可以是二氧化硅，浮栅层130的材料可以是多晶硅，在浮栅层130上形成一浮栅掩膜层140，浮栅掩膜层140的材料可以是氮化硅。接着，请参照图2和图3，对浮栅掩膜层140进行刻蚀形成一开口141，开口143内暴露出浮栅层130表面，浮栅掩膜层140在开口141处形成第一侧墙142，第一侧墙142具有一定的斜率。即第一侧墙142具有一定倾斜角的倾斜面，也就是说，第一侧墙142的侧面为倾斜面。并且开口141两边的第一侧墙142呈对称分布，两个第一侧墙142的侧面组成的形状的剖面图是一个上边宽下边窄的等腰梯形，其中一个第一侧墙或者等腰梯形上边的尺寸减去下边的尺寸差值越大，说明第一侧墙142的斜率越小，在此步骤中可以量测并且记录第一侧墙142的侧面的上下边的尺寸差。接着，请参照图3和图4，对所述浮栅层130进行部分刻蚀形成一沟槽131，因为采用的是各向同性刻蚀，则被刻蚀的浮栅层130的纵向刻蚀和横向刻蚀速率一致，因此，所述沟槽在浮栅层131的表面具有一坡面，坡面连接浮栅掩膜层140，并且坡面与浮栅掩膜层140的连接处有缺口。接着，请继续参本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制闪存浮栅尖端的方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成有栅极氧化层、浮栅层以及浮栅掩膜层；刻蚀所述浮栅掩膜层形成开口，开口暴露出所述浮栅层，以形成第一侧墙，所述第一侧墙的侧面具有一定的斜率；以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀部分所述浮栅层形成沟槽，在所述开口及沟槽处沉积氧化物形成氧化物层；刻蚀所述氧化物层以暴露所述浮栅层并形成与所述第一侧墙的侧面成结合面的第二侧墙，所述第二侧墙的斜面的斜率与所述第一侧墙的侧面的斜率相同，量测所述第二侧墙的斜面上下边的尺寸差值或者量测所述第一侧墙的侧面上下边的尺寸差值；依次刻蚀第二侧墙形成的开口内剩余的所述浮栅层和所述栅极氧化层，以暴露所述衬底，并沉积氧化物，刻蚀氧化物形成第三侧墙，所述第三侧墙连接所述第二侧墙和所述衬底；去除剩余的所述浮栅掩膜层，暴露所述浮栅层；根据所述尺寸差值，选择不同的回刻时间，对所述第二侧墙的斜面进行回刻工艺处理。

【技术特征摘要】
1.一种控制闪存浮栅尖端的方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成有栅极氧化层、浮栅层以及浮栅掩膜层；刻蚀所述浮栅掩膜层形成开口，开口暴露出所述浮栅层，以形成第一侧墙，所述第一侧墙的侧面具有一定的斜率；以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀部分所述浮栅层形成沟槽，在所述开口及沟槽处沉积氧化物形成氧化物层；刻蚀所述氧化物层以暴露所述浮栅层并形成与所述第一侧墙的侧面成结合面的第二侧墙，所述第二侧墙的斜面的斜率与所述第一侧墙的侧面的斜率相同，量测所述第二侧墙的斜面上下边的尺寸差值或者量测所述第一侧墙的侧面上下边的尺寸差值；依次刻蚀第二侧墙形成的开口内剩余的所述浮栅层和所述栅极氧化层，以暴露所述衬底，并沉积氧化物，刻蚀氧化物形成第三侧墙，所述第三侧墙连接所述第二侧墙和所述衬底；去除剩余的所述浮栅掩膜层，暴露所述浮栅层；根据所述尺寸差值，选择不同的回刻时间，对所述第二侧墙的斜面进行回刻工艺处理。2.如权利要求1所述的控制闪存浮栅尖端的方法，其特征在于，所述第一侧墙的侧面的上边相对于开口的中心线之间的距离大于其下边相对于开口的中心线之间的距离。3.如权利要求1所述的控制闪存浮栅尖端的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：高学，杜天伦，韩国庆，徐涛，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31