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本发明提供了一种控制闪存浮栅尖端的方法，包括：提供一衬底；在衬底上形成浮栅层、栅极氧化层以及浮栅掩膜层；刻蚀浮栅掩膜层形成开口，并且形成具有斜率的第一侧墙；刻蚀浮栅层形成沟槽，在开口及沟槽处沉积氧化物形成氧化物层；刻蚀氧化物层形成与第一侧墙...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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