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本发明涉及一种嵌入式闪存结构的形成方法，包括以下步骤：提供衬底，执行第一光罩工艺，以在存储区暴露第一阱注入区域和在逻辑区暴露第二阱注入区域；执行第一离子注入，同时在第一阱注入区域和第二阱注入区域进行阱注入；执行第二光罩工艺以暴露存储区的闪存...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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