一种基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种基板及其制造方法，所述基板包括基底、位于基底上的第一金属层、位于第一金属层上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的第二金属层、位于第二金属层上的第二绝缘层、位于第二绝缘层上的第三绝缘层，所述第三绝缘层通过两次蚀刻工艺完成，第一次蚀刻后，第三绝缘膜层还具有一定厚度的保护膜层；第二次蚀刻后，移除所述保护膜层，形成所述第三绝缘层。本发明专利技术通过使用第三绝缘层作为掩膜版，减少一道掩膜版，缩减了一道过孔的黄光制程，可以进一步减少光刻次数，优化制程，从而节省成本、提高节拍时间，进一步增强竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种基板及其制造方法
本专利技术属于显示面板的
，具体涉及一种基板及其制造方法。技术背景使用有机绝缘层作为蚀刻掩膜版时，具体为在有机绝缘层制作完成后，直接以有机绝缘层作为蚀刻阻挡层对无机绝缘层和栅极绝缘层进行蚀刻，蚀刻原因为需要将下层的金属线信号导通到上层。如图1所示，基板的结构依次是基底10、位于基底10上的第一金属层20、位于第一金属层20上的栅极绝缘层30、位于栅极绝缘层30上的第二金属层40、位于第二金属层40上的无机绝缘层50、位于无机绝缘层50上的有机绝缘层6，以及有机绝缘层沟道70，该技术在制作有机绝缘层沟道70时遇到了问题，由于有机绝缘层沟道所在位置的下方绝缘层不需要刻蚀，但使用有机绝缘层作为蚀刻光罩的技术会使得下方的金属层裸露出来，必须再以ITO层90覆盖刻蚀后裸露的金属层20、40，从而避免金属表面发生氧化的问题。由于有机绝缘层沟道70下方走线密集，ITO层90覆盖要么占用空间较大，要么由于两个ITO层90之间的距离d过小而会造成金属配线的短路。如图2所示，IC内部A1的基板结构包括基底10、位于基底10上的第一金属层20、位于第一金属层20上的栅极绝缘层30、位于栅极绝缘层30上的第二金属层40，IC内部A1还有多个过孔；IC外部B1的基板结构包括基底10、位于基底10上的栅极绝缘层30、位于栅极绝缘层30上的无机绝缘层50、位于无机绝缘层50上的有机绝缘层60。该技术在制作IC区域时遇到了问题，由于第二金属层40的阻挡作用，会导致蚀刻时在第二金属层40下方出现内切(undercut)80，导致后续公共电极90爬坡断线，导致第一金属层20和第二金属层40不能导通。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提出一种基板及其制造方法，在第三绝缘层制作时采用HTM(HalfToneMask，半色调掩膜版)技术，在沟道处采用半透设计，保留半透部分的膜层作为保护膜层，使得金属配线不会裸露出来。同时保护膜层在刻蚀过后消失，结构与不减少光罩制备出来的结构保持一致，在IC处采用半透搭全透的设计，避免IC处出现内切的问题。本专利技术提供一种基板的制造方法，包括如下步骤：形成第一金属层；形成覆盖第一金属层的第一绝缘层；形成位于第一绝缘层上的第二金属层；形成覆盖第二金属层的第二绝缘层；形成位于第二绝缘层上的第三绝缘层；所述第三绝缘层通过两次蚀刻工艺完成，第一次蚀刻后，第三绝缘膜层还具有一定厚度的保护膜层；第二次蚀刻后，移除所述保护膜层，形成所述第三绝缘层。优选地，所述第一次蚀刻采用的掩膜版具有不透区以及半透区或半透区和全透区的组合。优选地，所述第二次蚀刻采用第一次蚀刻后的所述第三绝缘膜层作为掩膜版。优选地，所述第二次蚀刻还移除部分第一绝缘层和第二绝缘层。优选地，所述第二次蚀刻还移除部分位于所述不透区的所述第三绝缘膜层。优选地，所述第二次蚀刻移除的位于所述不透区的第三绝缘膜层的厚度和所述保护膜层的厚度相等。优选地，所述保护膜层位于所述半透区。优选地，所述半透区的透过率介于10％至50％之间。优选地，所述保护膜层的厚度与第一绝缘层和第二绝缘层的厚度和相等。优选地，所述第三绝缘膜是有机绝缘膜。本专利技术还提供一种基板，所述基板采用权利要求1-10中任一项所述的制造方法制造。本专利技术通过提供一种基板及其制造方法，解决了有机绝缘层作为蚀刻掩膜版进行蚀刻时，在沟道处发生金属配线裸露，需要使用电极层进行覆盖而带来的占用空间大或者配线短路的技术问题问题；同时还解决了有机绝缘层作为蚀刻掩膜版进行蚀刻时，金属层下方形成内切的技术问题；以及通过电极层将第一金属层的信号导通到第二金属层时会出现爬坡断线，导致基板IC处的导电性不可靠的技术问题。附图说明下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对本专利技术予以进一步说明。图1所示为现有沟道处的结构示意图；图2所示为现有IC处的结构示意图；图3所示为本专利技术实施例一的第一次蚀刻结构示意图；图4所示为本专利技术实施例一的第二次蚀刻结构示意图；图5所示为本专利技术实施例二的第一次蚀刻结构示意图；图6所示为本专利技术实施例二的第二次蚀刻结构示意图。具体实施方式为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本专利技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本专利技术相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。本专利技术提供了一种基板及其制造方法，基板包括基底、位于基底上的第一金属层、位于第一金属层上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的第二金属层、位于第二金属层上的第二绝缘层、位于第二绝缘层上的第三绝缘层，第三绝缘层通过两次蚀刻工艺完成，第一次蚀刻后，第三绝缘膜层还具有一定厚度的保护膜层；第二次蚀刻后，移除保护膜层，形成第三绝缘层。通过该方法，在制作第三绝缘层时，直接以该绝缘膜层作为光阻挡层对其他绝缘膜层进行蚀刻，而不是使用单独光罩，从而节省了光罩。作为优选地实施例，第一次蚀刻采用的掩膜版具有不透区以及半透区或不透区、半透区以及全透区；第二次蚀刻采用第一次蚀刻后的第三绝缘膜层作为蚀刻阻挡层。通过该方法，在第一次蚀刻时，位于半透区的绝缘膜层形成保护膜层。作为优选地实施例，第二次蚀刻还移除部分第一绝缘层和第二绝缘层。通过该方法，使用第三绝缘膜层作为光阻挡层，蚀刻了位于全透区的第一绝缘层和第二绝缘层，节省了光罩。作为优选地实施例，第二次蚀刻还移除部分位于不透区的所述第三绝缘膜层。通过本方法，第二次蚀刻移除的位于不透区的第三绝缘膜层的厚度和保护膜层的厚度相等。作为优选地实施例，半透区的透过率介于10％至50％之间。作为优选地实施例，保护膜层的厚度与第一绝缘层和第二绝缘层的厚度和相等。通过本方法，既可以移除保护膜层，又可以同时移除过孔位置的第一绝缘层和第二绝缘层。作为优选地实施例，第三绝缘层是有机绝缘膜，第二绝缘层无机绝缘膜，第一绝缘层是栅极绝缘膜。下面以具体实施例详细介绍本专利技术的技术方案。实施例1如图3-4所示，基板的结构依次是基底1、位于基底1上的第一金属层2、覆盖第一金属层2的第一绝缘层3、位于第一绝缘层3上的第二金属层4、覆盖第二金属层4的第二绝缘层5、位于第二绝缘层5上的第三绝缘层6，其中，第一金属层2形成第一金属配线即栅极配线，第二金属层4形成第二金属配线即源极配线，第一绝缘层3是栅极绝缘层，第二绝缘层5是无机绝缘层，第三绝缘层6是有机绝缘层。沟道7位于第一金属配线和第二金属配线的上方，且沟道7处没有第三绝缘层6。基板的制造方法，包括如下步骤：在基底1上形成第一金属层2；形成覆盖第一金属层2的第一绝缘层3；形成位于第一绝缘层3上的第二金属层4；形成覆盖第二金属层4的第二绝缘层5；形成位于第二绝缘层5上的第三绝缘层6；其中，在形成第一金属层2和第二金属层4之间还包括形成半导体层的步骤。其中，第三绝缘层6通过以下步骤形成：第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板的制造方法，包括如下步骤：形成第一金属层；形成覆盖第一金属层的第一绝缘层；形成位于第一绝缘层上的第二金属层；形成覆盖第二金属层的第二绝缘层；形成位于第二绝缘层上的第三绝缘层；其特征在于：所述第三绝缘层通过两次蚀刻工艺完成，第一次蚀刻后，第三绝缘膜层还具有一定厚度的保护膜层；第二次蚀刻后，移除所述保护膜层，形成所述第三绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种基板的制造方法，包括如下步骤：形成第一金属层；形成覆盖第一金属层的第一绝缘层；形成位于第一绝缘层上的第二金属层；形成覆盖第二金属层的第二绝缘层；形成位于第二绝缘层上的第三绝缘层；其特征在于：所述第三绝缘层通过两次蚀刻工艺完成，第一次蚀刻后，第三绝缘膜层还具有一定厚度的保护膜层；第二次蚀刻后，移除所述保护膜层，形成所述第三绝缘层。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一次蚀刻采用的掩膜版具有不透区以及半透区或半透区和全透区的组合。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二次蚀刻采用第一次蚀刻后的所述第三绝缘膜层作为蚀刻阻挡层。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈方，简锦诚，史秀景，郑帅，田汝强，郝光叶，陈宜铭，周刘飞，
申请(专利权)人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司，南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，南京华东电子信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32