金属氧化物层的形成制造技术

一种用于在晶片上形成金属氧化物层的方法。在一些实施例中，所述方法包括在晶片上形成金属卤氧化物层，接着对所述晶片进行退火，所述退火从所述层移除卤素以形成金属氧化物层。半导体装置可由所述晶片形成。

【技术实现步骤摘要】
金属氧化物层的形成
本专利技术涉及用于在晶片上制造金属氧化物层的方法。
技术介绍
金属氧化物被用于半导体装置，例如晶体管。在一些例子中，金属氧化物可用作栅极介电层，所述栅极介电层具有比二氧化硅更高的介电常数。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供一种方法，包括：在晶片上形成金属卤氧化物层；在所述形成之后，对所述晶片进行退火以从所述层移除卤素；从所述晶片形成半导体装置。在一个或多个实施例中，所述金属卤氧化物包括铪且所述层包括铪。在一个或多个实施例中，所述金属卤氧化物包括锆。在一个或多个实施例中，所述金属卤氧化物包括镧。在一个或多个实施例中，所述金属卤氧化物包括氯且所述退火包括从所述层移除氯。在一个或多个实施例中，所述金属卤氧化物包括溴且所述退火包括从所述层移除溴。在一个或多个实施例中，所述金属卤氧化物包括碘且所述退火包括从所述层移除碘。在一个或多个实施例中，所述半导体装置被表征为晶体管且所述层的部分被表征为所述晶体管的栅极介电层。在一个或多个实施例中，所述层在所述退火之后包括锆酸铪。在一个或多个实施例中，所述形成所述层包括使呈气态形式的金属卤氧化物材料流动到晶片处理腔室中，以供在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其特征在于，包括：在晶片上形成金属卤氧化物层；在所述形成之后，对所述晶片进行退火以从所述层移除卤素；从所述晶片形成半导体装置。

【技术特征摘要】
2017.06.07 US 15/615,8841.一种方法，其特征在于，包括：在晶片上形成金属卤氧化物层；在所述形成之后，对所述晶片进行退火以从所述层移除卤素；从所述晶片形成半导体装置。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属卤氧化物包括铪且所述层包括铪。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属卤氧化物包括锆。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属卤氧化物包括镧。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属卤氧化物包括氯且所述退火包括从所述层移除氯。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属卤氧化物包括溴且所述退火包括从所述层移除溴。7.根据权利要求1所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉马·I·赫格德，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US