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金属氧化物层的形成制造技术
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下载金属氧化物层的形成的技术资料
文档序号:19781753
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一种用于在晶片上形成金属氧化物层的方法。在一些实施例中,所述方法包括在晶片上形成金属卤氧化物层,接着对所述晶片进行退火,所述退火从所述层移除卤素以形成金属氧化物层。半导体装置可由所述晶片形成。...
该专利属于恩智浦美国有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩智浦美国有限公司授权不得商用。
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