【技术实现步骤摘要】
一种电镀制程中的洗边流程
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种电镀制程中的洗边流程。
技术介绍
洗边模块中洗边酸液通过固定的喷嘴喷到晶圆边缘,晶圆单一方向旋转,达到晶圆边缘均匀去边的效果。但是在窄洗边(窄洗边指洗边宽度接近缺口长度,包括洗边宽度接小于或稍大于缺口长度)的情况下,逆着晶圆1旋转方向的缺口(notch)2一侧,因酸液从notch流失,会出现铜膜去除不充分的情况,如图1所示,箭头为晶圆旋转方向,逆着晶圆旋转方向的notch一侧出现由于铜膜去除不充分产生的铜残留3。具体的,酸液喷管喷出的酸液柱喷到晶圆后形成的接触面会比液柱的截面积大。接触面的面积大小和晶圆旋转速度,喷液速度有关。在预设洗边宽度下,设定的酸液落水点是比洗边宽度小的。只要是酸液在晶圆上的落水点在大致等于缺口长度或小于缺口长度,酸液就会从缺口流失,导致出现洗边不充分的现象。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题,本专利技术涉及一种电镀制程中的洗边流程。本专利技术采用如下技术方案:一种电镀制程中的洗边流程,包括提供一经过电镀金属后的预处理晶圆,所述预处理晶圆包括晶圆及经过电镀金属后形成于所述晶圆上表面的金属膜,所述晶圆边缘具有缺口,将所述预处理晶圆放入洗边模块中按照预设旋转方向进行洗边处理以去除所述缺口处的金属膜,所述预设旋转方向包括顺时针旋转和逆时针旋转。优选的,所述金属膜为铜膜优选的,所述洗边模块包括:喷嘴,所述喷嘴用于向旋转的所述预处理晶圆的边缘喷洒洗边酸液;旋转装置,所述旋转装置用于放置并旋转所述预处理晶圆。优选的,所述预处理晶圆放置于所述旋转装置上后,所述喷嘴位于所述预处 ...
【技术保护点】
1.一种电镀制程中的洗边流程,其特征在于,包括提供一经过电镀金属后的预处理晶圆,所述预处理晶圆包括晶圆及经过电镀金属后形成于所述晶圆上表面的金属膜,所述晶圆边缘具有缺口,将所述预处理晶圆放入洗边模块中按照预设旋转方向进行洗边处理以去除所述缺口处的金属膜,所述预设旋转方向包括顺时针旋转和逆时针旋转。
【技术特征摘要】
1.一种电镀制程中的洗边流程,其特征在于,包括提供一经过电镀金属后的预处理晶圆,所述预处理晶圆包括晶圆及经过电镀金属后形成于所述晶圆上表面的金属膜,所述晶圆边缘具有缺口,将所述预处理晶圆放入洗边模块中按照预设旋转方向进行洗边处理以去除所述缺口处的金属膜,所述预设旋转方向包括顺时针旋转和逆时针旋转。2.根据权利要求1的洗边流程,其特征在于,所述金属膜为铜膜。3.根据权利要求1的洗边流程,其特征在于,所述洗边模块包括:喷嘴,所述喷嘴用于向旋转的所述预处理晶圆的边缘喷洒洗边酸液;旋转装置,所述旋转装置用于放置并旋转所述预处理晶圆。4.根据权利要求3的洗边流程,其特征在于,所述预处理晶圆放置于所述旋转装4...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆超,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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