半导体晶圆的清洗装置制造方法及图纸

技术编号:19779930 阅读:35 留言:0更新日期:2018-12-15 11:51
本申请公开了一种半导体晶圆的清洗装置,包括清洗室、快排快冲室、烘干室、传动系统、加酸箱、控制系统和触控面板,传动系统分别与控制系统、清洗室、快排快冲室和烘干室连接,加酸箱与清洗室连接,控制系统与触控面板连接。该清洗装置集成了半导体晶圆的清洗所需要的几乎所有功能,降低手工参与的频率,最大化地实现自动化清洗,有效解决目前清洗存在的各种问题,而且对半导体晶圆的清洗效果好、清洗良品率高,有很好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
半导体晶圆的清洗装置
本技术属于半导体芯片制造
,具体涉及一种半导体晶圆的清洗装置。
技术介绍
半导体IC制程主要以20世纪50年代以后专利技术的四项基础工艺(离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展起来,由于集成电路内各元件及连线相当微细,因此制造过程中,如果遭到尘粒、金属的污染,很容易造成晶片内电路功能的损坏,形成短路或断路等,导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外,集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下,有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。自动清洗设备与手动清洗机相比,具有自动化程度高,操作安全方便,工艺一致性保证,系统可靠性好等优点。但自动设备在清洗后,其污染物的去除效果不是很好。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种半导体晶圆的清洗装置,提高对半导体晶圆表面的污染物的清洗效果,具备较好的市场应用前景。本专利技术是这样实现的:一种半导体晶圆的清洗装置,包括清洗室、快排快冲室、烘干室、传动系统、加酸箱、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶圆的清洗装置,其特征在于:包括清洗室、快排快冲室、烘干室、传动系统、加酸箱、控制系统、触控面板和片盒,传动系统分别与片盒、控制系统、清洗室、快排快冲室和烘干室连接,加酸箱与清洗室连接,控制系统与触控面板连接;清洗室内设有加热器、温度传感器、液位传感器和酸水排放管道,加热器置于清洗室底部,酸水排放管道设有酸水排放阀,加热器、温度传感器、液位传感器和酸水排放阀分别与控制系统连接;快排快冲室内设有水箱、交叉喷淋管路和排水管,排水管上设有水排放阀,交叉喷淋管路的出水口设有雾化喷头,雾化喷头和水排放阀与控制系统连接;烘干室内顶部设有风机,底部为出风口,风机与控制系统连接;加酸箱出口设有流...

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆的清洗装置,其特征在于:包括清洗室、快排快冲室、烘干室、传动系统、加酸箱、控制系统、触控面板和片盒,传动系统分别与片盒、控制系统、清洗室、快排快冲室和烘干室连接,加酸箱与清洗室连接,控制系统与触控面板连接;清洗室内设有加热器、温度传感器、液位传感器和酸水排放管道,加热器置于清洗室底部,酸水排放管道设有酸水排放阀,加热器、温度传感器、液位传感器和酸水排放阀分别与控制系统连接;快排快冲室内设有水箱、交叉喷淋管路和排水管,排水管上设有水排放阀,交叉喷淋管路的出水口设有雾化喷头,雾化喷头和水排放阀与控制系统连接;烘干室内顶部设有风机,底部为出风口,风机与控制系统连接;加酸箱出口设有流量阀,流量阀与控制系统连接。2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的清洗装置,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:翁国权
申请(专利权)人:广西桂芯半导体科技有限公司
类型:新型
国别省市:广西,45

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