The disclosure relates to a method of manufacturing semiconductor devices. In order to provide semiconductor devices with improved reliability. The method of manufacturing a semiconductor device includes connecting a wire made of copper to a conductive layer formed on a pad electrode of a semiconductor chip, heat treating the semiconductor chip, and then sealing the semiconductor chip and the wire with resin.
【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法相关申请的交叉引用于2017年3月27日提交的日本专利申请No.2017-061806的公开内容(包括说明书、附图和摘要)的全部通过引用并入本文中。
本专利技术涉及制造半导体装置的方法。具体地，本专利技术涉及在应用于制造半导体装置的方法时有效的技术，所述方法包括将铜线经由导电层与焊盘电极的表面连接。
技术介绍
日本未经审查的专利申请公开No.2014-187073(专利文献1)公开了在由Al-Cu合金膜制成的焊盘电极上形成镀膜、将铜线连接到镀膜并由此将焊盘电极与铜线电连接的技术。镀膜由作为下层的OPM膜OP1和作为上层的OPM膜OP2组成。作为OPM膜OP1，公开了Ni膜、Ti膜、Cr膜等，以及作为OPM膜OP2，公开了Pd膜、Au膜等。日本未经审查的专利申请公开No.2008-311316(专利文献2)涉及在其上具有由难熔金属制成的金属化层的陶瓷基板上安装半导体芯片并经由导线将半导体芯片与金属化层连接的技术。该文献公开了在形成在金属化层上的镍镀层和金镀层之间插入防扩散镀层并由此改进导线的连接强度的技术。[专利文献1]日本未经审查的专利申请公开...
【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供具有半导体芯片的半导体晶片，包括：半导体基板，焊盘电极，在所述半导体基板之上形成，以及导电层，包括：第一层，由镍层组成并且在所述焊盘电极之上形成，以及第二层，由金层组成并且在第一层之上形成；(b)将由铜组成的导线与所述导电层连接；(c)在步骤(b)之后，对所述半导体芯片执行第一热处理；以及(d)在步骤(c)之后，用树脂密封所述半导体芯片和所述导线，并且形成密封体，其中，第二层的主表面具有第一区域以及除第一区域以外的第二区域，所述导线接合到第一区域，以及其中，在第二区域中，所述密封体与第二层的主表面接触。
【技术特征摘要】
2017.03.27 JP 2017-0618061.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供具有半导体芯片的半导体晶片，包括：半导体基板，焊盘电极，在所述半导体基板之上形成，以及导电层，包括：第一层，由镍层组成并且在所述焊盘电极之上形成，以及第二层，由金层组成并且在第一层之上形成；(b)将由铜组成的导线与所述导电层连接；(c)在步骤(b)之后，对所述半导体芯片执行第一热处理；以及(d)在步骤(c)之后，用树脂密封所述半导体芯片和所述导线，并且形成密封体，其中，第二层的主表面具有第一区域以及除第一区域以外的第二区域，所述导线接合到第一区域，以及其中，在第二区域中，所述密封体与第二层的主表面接触。2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中，在步骤(c)中，通过在第二层的主表面上沉积来自第一层的镍，在第二区域中形成氧化镍层。3.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中，所述树脂具有含有硅烷偶联剂的环氧树脂。4.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中，在步骤(b)中，在第一区域中，在第二层的主表面上没有沉积来自第一层的镍，并且在第二层的主表面之上形成铜和金的合金层。5.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中，在将多个半导体芯片存储在炉体中时执行步骤(c)。6.根据权利要求5所述的制造半导体装置的方法，其中，步骤(c)在250℃的温度执行16小时。7.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，还包括在步骤(c)和(d)之间的步骤：(e)对第二层的主表面执行氩等离子体处理。8.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳生祐贵，磯崎诚也，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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