一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法技术

本发明专利技术提出了一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法，该阻变存储器阵列中的阻变存储单元具有自整流特性，可以克服交叉存储阵列的漏电流，使得该阻变存储器可以方便构建交叉存储阵列；同时阻变存储器单元的自建整流二极管可以通过电脉冲可控消除，可以实现破坏储阵列正常读写的功能，使得构建的阻变存储阵列具有可控自毁的特性，在敏感数据存储领域具有应用价值。本发明专利技术具有自整流和自整流消除特性，在微纳电子学，数据存储等领域具有应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法
本专利技术提出了一种可控自毁阻变存储器阵列制备领域，在微纳电子学，数据存储等领域具有应用前景。
技术介绍
阻变式存储器具有结构简单、低功耗、读写速度快等优点，有前景成为下一代信息存储器，其中具有自整流特性的阻变存储器不仅可以实现高密度的数据存储而且可以克服交叉存储阵列的漏电流，因而受到工业界和科学界的关注。相对于传统材料(硅等)，石墨烯(graphene)等二维材料表现出许多优异的特性，对未来电子学发展具有重要意义。三氧化钼(MoO3)由于其容易缺失氧离子而形成氧空位导电通道，具有成为阻变存储器介质材料的潜能。三氧化钼存在多种缺失氧空位的形态，与石墨烯的接触可以是整流接触或是欧姆接触。
技术实现思路
本专利技术目的在于提出一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法。本专利技术可通过如下技术方案实现：(1)石墨烯下电极的制备：可以直接使用石墨做下电极。可以采用湿法或是干法转移的方法将石墨烯薄膜转移到绝缘体或半导体或金属衬底表面。也可以采用化学气相沉积(CVD)或是等离子增强化学气相沉积直接在衬底表面生长石墨烯薄膜。该石墨烯可以是单层或是多层。(2)MoO3介本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法，其特征在于，包括：1)制备石墨烯下电极、MoO3介质层和金属上电极，石墨烯是单层或是多层，MoO3介质层厚度在2nm‑1000nm之间；形成具有自整流特性的阻变存储器阵列；2)在阻变存储器阵列由高阻态转变成低阻态的过程中，对上述阻变存储器阵列中的存储单元延长电平的设置时间为30微秒—3秒，或是加大电平的电压值为0.5V‑10V，或同时施加上述设置时间和上述电压值，实现阻变存储器阵列的自毁。

【技术特征摘要】
1.一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法，其特征在于，包括：1)制备石墨烯下电极、MoO3介质层和金属上电极，石墨烯是单层或是多层，MoO3介质层厚度在2nm-1000nm之间；形成具有自整流特性的阻变存储器阵列；2)在阻变存储器阵列由高阻态转变成低阻态的过程中，对上述阻变存储器阵列中的存储单元延长电平的设置时间为30微秒—3秒，或是加大电平的电压值为0.5V-10V，或同时施加上述设置时间和上述电压值，实现阻变存储器阵列的自毁。2.如权利要求1所述的实现方法，其特征在于，步骤1)石墨烯是采用湿法或是干法转移方法制备；或是采用化学气相沉积(CVD)或是等离子增强化学气相沉积直接生长的石墨烯。3.如权利要求1所述的实现方法，其特征在于，步骤1)中，采用湿法或是干法转...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭沛，李慕禅，王紫东，田仲政，宋建宏，任黎明，傅云义，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京,11