垂直存储器中的浮动栅极存储器单元制造技术

本发明专利技术涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部。电荷阻挡结构形成于所述浮动栅极与所述控制栅极之间，其中所述电荷阻挡结构的至少一部分包覆所述突出部。

Floating gate memory cell in vertical memory

The invention relates to a floating gate memory unit in vertical memory. The control grid is formed between the first dielectric material stack and the second dielectric material stack. A floating gate is formed between the first dielectric material lamination and the second dielectric material lamination, wherein the floating gate comprises a projection extending toward the control gate. The charge blocking structure is formed between the floating gate and the control gate, wherein at least a portion of the charge blocking structure encapsulates the protrusion.

【技术实现步骤摘要】
垂直存储器中的浮动栅极存储器单元分案申请信息本专利技术专利申请是申请日为2014年03月05日、申请号为201480024450.2、专利技术名称为“垂直存储器中的浮动栅极存储器单元”的专利技术专利申请案的分案申请。优先权申请案本申请案主张对2013年3月15日提出申请的第13/838,297号美国申请案的优先权权益，所述美国申请案以全文引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及一种存储器单元，尤其涉及一种垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。
技术介绍
用于存储数据的半导体存储器装置可通常划分成两种类别：易失性存储器装置及非易失性存储器装置。易失性存储器装置在电力供应器中断时丢失其中所存储的数据。相比来说，非易失性存储器装置甚至在电力供应器中断时仍保留所存储数据。因此，非易失性存储器装置(例如快闪存储器装置)广泛用于其中电力可能中断的应用中。举例来说，电力可能不可用。例如，在移动电话系统、用于存储音乐及/或电影数据的存储器卡中，可偶尔中断电力或可规定较低电力消耗。随着过程能力增加及小型化，甚至在快闪存储器装置中越来越需要较小大小的存储器单元。
技术实现思路
本专利技术的一个方面涉及一种形成存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成存储器单元的方法，其包括：在垂直隔开的第一电介质层和第二电介质层之间形成控制栅极层；形成延伸穿过所述第一电介质层和所述第二电介质层的开口；在所述控制栅层中形成凹部，所述凹部至少部分地围绕所述开口延伸；在所述凹槽内且邻近于所述控制栅极形成电荷阻挡结构，其中所述电荷阻挡结构包括电介质材料和阻挡材料；及在所述凹槽内且在所述电荷阻挡结构的与所述控制栅极相对的侧上形成浮置栅极，其中所述浮置栅极的第一部分接触所述第一电介质层和第二电介质层中的每一者接触；其中所述阻挡材料的基本垂直部分位于所述控制栅极与所述浮置栅极之间；及其中所述电荷阻挡结构的第一基本水平部分在所述第一电介质材料层与所述浮置栅极...

【技术特征摘要】
2013.03.15 US 13/838,2971.一种形成存储器单元的方法，其包括：在垂直隔开的第一电介质层和第二电介质层之间形成控制栅极层；形成延伸穿过所述第一电介质层和所述第二电介质层的开口；在所述控制栅层中形成凹部，所述凹部至少部分地围绕所述开口延伸；在所述凹槽内且邻近于所述控制栅极形成电荷阻挡结构，其中所述电荷阻挡结构包括电介质材料和阻挡材料；及在所述凹槽内且在所述电荷阻挡结构的与所述控制栅极相对的侧上形成浮置栅极，其中所述浮置栅极的第一部分接触所述第一电介质层和第二电介质层中的每一者接触；其中所述阻挡材料的基本垂直部分位于所述控制栅极与所述浮置栅极之间；及其中所述电荷阻挡结构的第一基本水平部分在所述第一电介质材料层与所述浮置栅极的第二部分之间横向地延伸，且其中所述电荷阻挡结构的第二基本水平部分在所述第二层电介质材料层和所述浮动栅极的第二部分之间横向地延伸。2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述浮动栅极的所述第二部分包括从所述浮动栅极的所述第一部分并沿着所述控制栅极的方向上延伸的突出部，所述突出部具有比所述浮动栅极的所述第一部分小的垂直尺寸。3.根据权利要求2所述的存储器单元，其中所述电荷阻挡结构的所述基本垂直部分的厚度大于所述电荷阻挡结构的所述第一基本水平部分的厚度，且大于所述电荷阻挡结构的所述第二基本水平部分的厚度。4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述电介质材料层之间的所述浮动栅极的长度基本上等于所述电介质材料层之间的所述控制栅极的长度。5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述阻挡材料包括氮化物层。6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述电荷阻挡结构包括第一氧化物层和第二氧化物层。7.根据权利要求2所述的存储器单元，其中所述电荷阻挡结构包括接触所述控制栅极的第一氧化物和接触所述浮动栅极的第二氧化物，且其中所述阻挡材料位于所述第一氧化物和所述第二氧化物之间。8.根据权利要求7所述的存储器单元，其中所述电荷阻挡结构的至少一部分包覆所述突出部。9.根据权利要求7所述的存储器单元，其中所述第二氧化物将所述氮化物层与所述浮动栅极的所述突出部完全分隔开。10.根据权利要求7所述的存储器单元，其中所述浮动栅极与所述阻挡材料和所述第二氧化物接触。11.根据权利要求8所述的存储器单元，其中包覆所述突出部的所述电荷阻挡结构的所述部分包括所述阻挡材料的一部分。12.一种形成存储器阵列的方法，其包括：形成垂直隔开的多个电介质层；形成在相应的垂直相邻电介质层之间延伸的控制栅极层；形成垂直电荷存储装置串，所述垂直电荷存储装置串包括：形成延伸穿过所述多个电介质层和多个控制栅极层的开口；在所述控制栅极层中，形成至少部分地围绕所述开口延伸的凹部；在所述凹槽中，邻近于所述控制栅极形成电荷阻挡结构，其中所述电荷阻挡结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：查尔斯·H·丹尼森，合田晃，约翰·霍普金斯，法蒂玛·雅逊·席赛克艾吉，克里希纳·K·帕拉，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US