PVD设备总成制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PVD设备总成，包括工艺腔室，工艺腔室中设置有工艺源、载板和冷却板；载板与工艺源之间形成有工艺区；冷却板位于所述工艺区之外；冷却板上开设有冷却通道；冷却通道预留有进风口和出风口，出风口朝向载板；冷却气体经过进风口进入冷却通道，并从出风口吹至载板上。当载板置于工艺腔室中之后，冷却板的出风口朝向载板吹出冷却气体，从而将载板连同基片进行冷却，冷却效率非常高，并且能同时适用于批次式加工的PVD设备和在线式PVD设备。

【技术实现步骤摘要】
PVD设备总成
本技术涉及PVD
，尤其涉及一种PVD设备总成。
技术介绍
物理气相沉积(PVD)是指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由溅射阴极或者蒸镀源转移到基材表面上的过程。它的作用是可以使某些有特殊性能(强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等)的微粒喷涂在性能较低的母体上，使得母体具有更好的性能，PVD设备加工的基本方法包括真空蒸发、溅射和离子镀等。在半导体与太阳能行业，常常会用到PVD设备，其共同特征是有一个用于镀膜等工艺加工的腔室，该腔室与大气隔绝，内部抽成高真空。常用的PVD设备10有两种，如图1所示，为批次式加工的PVD设备10，PVD设备10上设置有工艺腔室11，该工艺腔室11与大气隔绝，内部使用真空泵12抽成高真空；加工时，每次有一块载板13进入工艺腔室11，载板13上放置一个或者多个基片14，载板13进入工艺腔室11之后，停在溅射阴极15或蒸发源的对面，以使基片14面向溅射阴极15或者蒸发源的对面，然后开始进行镀膜等工艺的加工，当膜层沉积完成，载板13携带基片14离开工艺腔室11。如图2所示，为在线式PVD设备10，即多个载板13放置在传送设备上进入工艺腔室11，一边前进一边镀膜，整个工艺过程是连续的。那么在工艺腔室11中一般多会同时存在多个载板13。在不同的加工工艺中，有的需要加热，有的则需要温度尽可能低。由于溅射本身会产生大量的热，蒸镀源也会带来高温，对于要求低温的工艺，如何进行载板和基片冷却是一个难题。
技术实现思路
本技术提供了一种PVD设备总成，以解决上述问题，在需要低温加工时，可以对载板和基片进行冷却，避免加工过程中温度太高，从而确保加工顺利进行。本技术提供了一种PVD设备总成，包括工艺腔室，所述工艺腔室中设置有工艺源和载板，所述载板承载有基片的一面朝向所述工艺源；所述载板与所述工艺源之间形成有工艺区；所述PVD设备总成还包括：冷却板，所述冷却板设置在所述工艺腔室中，且位于所述工艺区之外；所述冷却板上开设有冷却通道；所述冷却通道预留有进风口和出风口，所述出风口朝向所述载板；冷却气体经过所述进风口进入所述冷却通道，并从所述出风口吹至所述载板上。如上所述的PVD设备总成，其中，优选的是，所述冷却板位于所述载板未承载所述基片的一侧。如上所述的PVD设备总成，其中，优选的是，所述冷却板位于所述载板承载有所述基片的一侧。如上所述的PVD设备总成，其中，优选的是，所述载板承载有所述基片的一侧和相对的另一侧均设置有所述冷却板。如上所述的PVD设备总成，其中，优选的是，所述冷却通道包括主通道和多个分通道，所述主通道与所述分通道相通；所述进风口与所述主通道相通，所述出风口开设在所述分通道上。如上所述的PVD设备总成，其中，优选的是，还包括挡板组件，所述挡板组件设置于所述工艺腔室中，且用于阻挡所述冷却气体流通至所述工艺区；所述挡板组件包括引导板和阻挡板；所述引导板和所述阻挡板之间形成有通气道，所述冷却气体能从所述出风口流通至所述通气道中。如上所述的PVD设备总成，其中，优选的是，所述引导板设置在靠近所述冷却板的位置，所述引导板从所述工艺腔室靠近所述工艺源的内壁面，或者从所述工艺腔室中与所述工艺源相对的内壁面，延伸至与所述出风口相平齐；所述阻挡板从所述工艺腔室靠近所述工艺源的内壁面，或者从所述工艺腔室中与所述工艺源相对的内壁面，延伸至接近所述载板。如上所述的PVD设备总成，其中，优选的是，所述挡板组件的数量为四个，所述冷却板的两侧分别设置两个所述挡板组件。如上所述的PVD设备总成，其中，优选的是，还包括分子泵，所述分子泵的抽风口与所述通气道相通。如上所述的PVD设备总成，其中，优选的是，还包括连接管，所述连接管的一端与所述进风口相连，所述连接管的另一端用于通入所述冷却气体。如上所述的PVD设备总成，其中，优选的是，所述冷却气体为氦气。本技术提供的PVD设备总成，包括工艺腔室、载板和冷却板；载板和冷却板均设置在工艺腔室中，且冷却板位于载板的下方；冷却板上开设有冷却通道；冷却通道预留有进风口和出风口，出风口朝向载板；冷却气体经过进风口进入冷却通道，并从出风口吹至载板上。当载板置于工艺腔室中之后，冷却板的出风口朝向载板吹出冷却气体，从而将载板连同基片进行冷却，冷却效率非常高，并且能同时适用于批次式加工的PVD设备和在线式PVD设备。附图说明图1为批次式加工的PVD设备的结构示意图；图2为在线式PVD设备的结构示意图；图3为本技术实施例提供的PVD设备总成；图4为本技术实施例提供的PVD设备总成的局部放大图。10-PVD设备11-工艺腔室12-真空泵13-载板14-基片15-工艺源100-PVD设备101-工艺腔室102-载板103-工艺源200-冷却板201-顶板202-底板203-主通道204-分通道300-连接管400-挡板组件401-引导板402-阻挡板403-通气道500-分子泵具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。请参考图3和图4，本技术实施例提供的PVD设备总成，包括工艺腔室101，工艺腔室101中设置有载板102、工艺源103和冷却板200，载板102上多承载有基片。载板102承载有基片的一面朝向工艺源103；载板102与工艺源103之间形成有工艺区；且冷却板200位于工艺区之外；冷却板200上开设有冷却通道；冷却通道预留有进风口和出风口，出风口朝向载板102；冷却气体经过进风口进入冷却通道，并从出风口吹至载板102上。优选地，上述冷却气体为氦气；由于氦气导热率高，可是更有效率的降温。请参考图3，进行加工时，工艺源103朝向载板102溅射原子、分子或离子等用于镀膜的原材料，因此在图3中载板102与工艺源103之间的区域为工艺区(图中工艺源103两侧的虚线内的区域)，实际上也即工艺源103溅射出原子、分子或离子等的方向的一定范围内为工艺区。为避免冷却气体影响工艺区的真空度，从而影响加工过程的顺利进行，因此冷却板200需设置在工艺区之外。本技术实施例提供的PVD设备总成，当载板102置于工艺腔室101中之后，载板102下侧的冷却板200的出风口朝向载板102吹出冷却气体，从而将载板102连同基片进行冷却，冷却效率非常高，并且能同时适用于批次式加工的PVD设备100和在线式PVD设备100。由于批次式加工的PVD设备100的工艺源103正对载板102，因此，针对批次式加工的PVD设备100，仅需在载板102未承载基片的一侧设置冷却板200即可，也即图中所示载板102的下方。以图3中的方向为参考，由于工艺源103与载板102之间的区域为工艺区，而批次式加工的PVD设备，载板102处于静止状态，因此将冷却板200设置在载板102之下，也即从上至下依次为工艺源103、载板102,、冷却板200。对于在线式PVD设备100，由于载板102处于移动状态，因此可以在载板102移动至未面对工艺源103时，对其进行冷却，请参考图3，具体地，可以在两组工艺源本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PVD设备总成，包括工艺腔室，所述工艺腔室中设置有工艺源和载板，所述载板承载有基片的一面朝向所述工艺源；所述载板与所述工艺源之间形成有工艺区；其特征在于，所述PVD设备总成还包括：冷却板，所述冷却板设置在所述工艺腔室中，且位于所述工艺区之外；所述冷却板上开设有冷却通道；所述冷却通道预留有进风口和出风口，所述出风口朝向所述载板；冷却气体经过所述进风口进入所述冷却通道，并从所述出风口吹至所述载板上。

【技术特征摘要】
1.一种PVD设备总成，包括工艺腔室，所述工艺腔室中设置有工艺源和载板，所述载板承载有基片的一面朝向所述工艺源；所述载板与所述工艺源之间形成有工艺区；其特征在于，所述PVD设备总成还包括：冷却板，所述冷却板设置在所述工艺腔室中，且位于所述工艺区之外；所述冷却板上开设有冷却通道；所述冷却通道预留有进风口和出风口，所述出风口朝向所述载板；冷却气体经过所述进风口进入所述冷却通道，并从所述出风口吹至所述载板上。2.根据权利要求1所述的PVD设备总成，其特征在于，所述冷却板位于所述载板未承载所述基片的一侧。3.根据权利要求1所述的PVD设备总成，其特征在于，所述冷却板位于所述载板承载有所述基片的一侧。4.根据权利要求1所述的PVD设备总成，其特征在于，所述载板承载有所述基片的一侧和相对的另一侧均设置有所述冷却板。5.根据权利要求1所述的PVD设备总成，其特征在于，所述冷却通道包括主通道和多个分通道，所述主通道与所述分通道相通；所述进风口与所述主通道相通，所述出风口开设在所述分通道上。6.根据权利要求1所述的PVD设备总...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲春，
申请(专利权)人：北京创昱科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11