半导体元件与其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法，包括提供包括一导电类型的主动区以及隔离结构的基底，隔离结构围绕主动区；在基底上形成字符线沟槽，贯穿主动区；以及，在字符线沟槽两侧的主动区中分别形成两掺杂区，各掺杂区与字符线沟槽的底面位于同一水平面，且各掺杂区包括该导电类型的掺质或本征半导体掺质。

Semiconductor components and their fabrication methods

The invention discloses a semiconductor element and a making method, including providing an active area of a conductive type and a base of an isolating structure. The isolation structure surrounds the active region; a character line groove is formed on the base, through the active region; and two doping zones are formed in the main moving areas on both sides of the character line grooves, and each is mixed with each other. The impurity area is located at the same horizontal plane as the bottom of the character line groove, and the doped regions include the doped or intrinsic semiconductor doping of the conductive type.

【技术实现步骤摘要】
半导体元件与其制作方法
本专利技术涉及一种半导体元件与其制作方法，特别涉及一种减缓行锤击(rowhammer)效应的半导体元件和其制作方法。
技术介绍
一般而言，随机动态存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)的单元由一个晶体管以及一个电容所构成，并通过其中的电容来存储电荷，进而记录所欲数据。随着应用的增加，DRAM的尺寸需要不断微缩，以提升DRAM的积极度、加快元件的操作速度、提高DRAM的容量以及符合消费者对于小型化电子装置的需求。随着存储器的尺寸越来越小，作为栅极的字符线密度越来越高，进而导致行锤击(rowhammer)的问题。也就是说，由于硅基底与氧化层之间有缺陷，会捕捉电荷，因此在对存储器重复进行读写的动作时，这些电荷容易产生漏电流，并跨越相邻字符线，造成单元数据错误的问题。特别是邻近位于隔离结构中的字符线的主动区与隔离结构之间的缺陷因邻近存储节点使得电荷更容易累积，进而在进行重复读写的动作时跨越相邻字符线而流入位线，造成数据错误。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种半导体元件与其制作方法，以避免行锤击的问题发生，进而降低数据错误。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：基底，包括主动区、隔离结构以及字符线沟槽，其中该隔离结构围绕该主动区，该字符线沟槽贯穿该主动区，且该主动区具有第一导电类型，与第二导电类型互补；两第一掺杂区，分别设置于该字符线沟槽两侧的该主动区中，其中各该第一掺杂区与该字符线沟槽的底面位于同一水平面，且各该第一掺杂区包括该第一导电类型的掺质或本征半导体掺质；字符线结构，设置于该字符线沟槽中；以及两源极/漏极区，分别设置于该字符线沟槽两侧的各该第一掺杂区上的该主动区中，其中该多个源极/漏极区具有该第二导电类型。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：基底，包括主动区、隔离结构以及字符线沟槽，其中该隔离结构围绕该主动区，该字符线沟槽贯穿该主动区，且该主动区具有第一导电类型，与第二导电类型互补；两第一掺杂区，分别设置于该字符线沟槽两侧的该主动区中，其中各该第一掺杂区与该字符线沟槽的底面位于同一水平面，且各该第一掺杂区包括该第一导电类型的掺质或本征半导体掺质；字符线结构，设置于该字符线沟槽中；以及两源极/漏极区，分别设置于该字符线沟槽两侧的各该第一掺杂区上的该主动区中，其中该多个源极/漏极区具有该第二导电类型。2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括第二掺杂区，设置于该字符线沟槽下的该基底中，且该第二掺杂区包括该第一导电类型掺质或本征半导体掺质。3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，该隔离结构的底面的水平面介于该第二掺杂区与各该第一掺杂区之间。4.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，该多个第一掺杂区与该第二掺杂区于一垂直投影方向上所形成的大小与该主动区的大小相同。5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，各该第一掺杂区包括该第一导电类型掺质，且各该第一掺杂区的掺杂浓度大于该主动区的掺杂浓度。6.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该字符线沟槽的深度小于该隔离结构的深度。7.一种制作半导体元件的方法，包括：提供一基底，其中该基底包括一主动区以及一隔离结构，该隔离结构围绕该主动区，且该主动区具有一第一导电类型；在该基底上形成一字符线沟槽，贯穿该主动区；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：林哲平，詹电鍼，詹书俨，王永铭，何建廷，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71