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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，包括提供包括一导电类型的主动区以及隔离结构的基底，隔离结构围绕主动区；在基底上形成字符线沟槽，贯穿主动区；以及，在字符线沟槽两侧的主动区中分别形成两掺杂区，各掺杂区与字符线沟槽的底面位于同一水平面，且各...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。