半导体元件以及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件以及其制作方法，包括提供基板、多条字符线与多条位线，然后于各源极/漏极区上形成存储节点接触，使各存储节点接触的上表面于一方向上的宽度小于各存储节点接触的下表面于此方向上的宽度。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件以及其制作方法
本专利技术涉及一种半导体元件及其制作方法，特别是涉及一种避免相邻存储节点短路的动态随机存取存储器及其制作方法。
技术介绍
一般而言，随机动态存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)的单元结构由一个晶体管以及一个电容所构成，并通过其中的电容来存储电荷，进而记录所欲数据。随着应用的增加，DRAM的尺寸需要不断微缩，以提升DRAM的积极度、加快元件的操作速度、提高DRAM的容量以及符合消费者对于小型化电子装置的需求。常见的DRAM是将晶体管制作于基底中，并通过字符线将排列在同一方向上的晶体管的栅极串联，然后于晶体管上设置与字符线交错的位线。接着，为了避免与位线与字符线电连接，存储节点接触可通过任两相邻的字符线与任两相邻的位线所围绕出的区域与晶体管的源极/漏极区连接。最后，再依序于每一个存储节点接触上形成存储节点、电容介电层及电容器上电极。为了尽量减少每一个电容所占芯片面积，且另一方面又要维持一定的电容值，目前均将电容制作得又高又细。为此，在制作存储节点时需于存储节点接触上形成高深宽比的开孔，且每一个开孔需仅对应一个存储节点接触，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：基板，包括多个主动区，且各该主动区包括两个源极/漏极区，分别位于各该主动区的两端；多条字符线，设置于该基板中，且各该字符线沿着一第一方向延伸设置；多条位线，设置于该基板上，且各该位线沿着一第二方向延伸设置并横跨该多个字符线，其中各该源极/漏极区分别设置于由任两相邻的该多个字符线与任两相邻的该多个位线围绕出的一区域中；以及多个存储节点接触，分别设置于该多个源极/漏极区上，其中各该存储节点接触的上表面于该第二方向上的宽度小于各该存储节点接触的下表面于该第二方向上的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：基板，包括多个主动区，且各该主动区包括两个源极/漏极区，分别位于各该主动区的两端；多条字符线，设置于该基板中，且各该字符线沿着一第一方向延伸设置；多条位线，设置于该基板上，且各该位线沿着一第二方向延伸设置并横跨该多个字符线，其中各该源极/漏极区分别设置于由任两相邻的该多个字符线与任两相邻的该多个位线围绕出的一区域中；以及多个存储节点接触，分别设置于该多个源极/漏极区上，其中各该存储节点接触的上表面于该第二方向上的宽度小于各该存储节点接触的下表面于该第二方向上的宽度。2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，各该存储节点接触于该第二方向上具有梯形形状。3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括多个绝缘区块，设置于任两相邻的该多个位线之间的该多个字符线上，其中任两相邻的该多个绝缘区块之间具有一穿孔，且各该存储节点接触分别设置于各该穿孔中。4.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，各该绝缘区块于该第二方向上具有一倒梯形形状。5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括多个存储节点，分别设置于该多个存储节点接触上。6.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，各该存储节点接触包括多层结构。7.一种半导体元件的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板、多条字符线以及多条位线，其中该基板包括多个主动区，各该主动区包括两个源极/漏极区，该多个字符线嵌入该基板中，各该字符线沿着一第一方向延伸设置，该多个位线设置于该基板上，各该位线沿着一第二方向延伸设置并横跨该多个字符线，且各该源极/漏极区分别设置于由任两相邻的该多个字符线与任两相邻的该多个位线围绕出的一区域中；在该基板上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘姿岑，冯立伟，何建廷，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71