半导体元件的制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件的制作方法，至少包含有以下步骤:首先，提供一基底，该基底内定义有一存储区域以及一周边区域，该存储区域内包含有多个存储单元，各该存储单元至少包含有一第一晶体管以及一电容结构，该周边区包含有至少一第二晶体管，接着于该存储区域以及该周边区域内，以一原子层沉积方式形成一第一绝缘层，至少覆盖该存储区域内的各该存储单元的该电容结构以及该周边区域内的该第二晶体管，然后形成一第二绝缘层，覆盖于该第一绝缘层上，以及于该周边区域内的该第二绝缘层内形成一接触结构，至少电连接该第二晶体管。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的制作方法
本专利技术涉及半导体制作工艺领域，尤其是涉及一种改善动态随机存取存储器中介电层碎裂问题的方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，以下简称为DRAM)是一种主要的挥发性(volatile)存储器，且是很多电子产品中不可或缺的关键元件。DRAM由数目庞大的存储单元(memorycell)聚集形成一阵列区，用来存储数据，而每一存储单元则由一金属氧化半导体(metaloxidesemiconductor，MOS)晶体管与一电容(capacitor)串联组成。其中，电容位于存储区内，而存储区的旁边存在有周边区，周边区内包含有其他晶体管元件以及接触结构等。一般而言，位于存储区内的电容有较大的高度，如此具有较好的存储电荷效能，但存储区与相邻的周边区交界处，因为受力不均或电容的高度落差等原因，可能会影响位于周边区内所形成的介电层以及接触结构的品质。更详细而言，请参考图1，其为申请人发现的一动态随机存取存储器位于一存储区以及一周边区交界处，所发生的介电层以及接触结构碎裂问题的示意图。如图1所示，提供一动态随机存取存储器10，动态随本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件的制作方法，包含有：提供一基底，该基底内定义有一存储区域以及一周边区域，该存储区域内包含有多个存储单元，各该存储单元至少包含有第一晶体管以及电容结构，该周边区包含有至少一第二晶体管；在该存储区域以及该周边区域内，以一原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)方式形成一第一绝缘层，至少覆盖该存储区域内的各该存储单元的该电容结构以及该周边区域内的该第二晶体管；形成一第二绝缘层，覆盖于该第一绝缘层上；以及在该周边区域内的该第二绝缘层内形成一接触结构，至少电连接该第二晶体管。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制作方法，包含有：提供一基底，该基底内定义有一存储区域以及一周边区域，该存储区域内包含有多个存储单元，各该存储单元至少包含有第一晶体管以及电容结构，该周边区包含有至少一第二晶体管；在该存储区域以及该周边区域内，以一原子层沉积(atomiclayerdeposition，ALD)方式形成一第一绝缘层，至少覆盖该存储区域内的各该存储单元的该电容结构以及该周边区域内的该第二晶体管；形成一第二绝缘层，覆盖于该第一绝缘层上；以及在该周边区域内的该第二绝缘层内形成一接触结构，至少电连接该第二晶体管。2.如权利要求1所述的制作方法，其中各该电容结构包含有一粗糙表面，且该第一绝缘层至少覆盖该粗糙表面。3.如权利要求1所述的制作方法，其中位于该存储区域以及该周边区域的交界处包含有一底部夹角区，且该第一绝缘层至少覆盖于该底部夹角区。4.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一绝缘层的厚度小于500埃。5.如权利要求1所述的制作方法，其中该第二绝缘层的厚度大于1.5微米。6.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一绝缘层的材料包含氧化硅或氮化硅。7.如权利要求1所述的制作方法，其中该第二绝缘层的材料包含四乙氧基硅烷(tetraethylorthosilicate，TEOS)。8.如权利要求1所述的制作方法，其中形成该第二绝缘层的过程中，制作工艺温度高于摄氏400度。9.如权利要求1所述的制作方法，其中形成该第二绝缘层之后，制作工艺温度低于摄氏40度以下。10.一种半导体元件的制作方法，包含有：提供一基底，该基底内定义有一存储区域以及一周边区域，该存储区域内包含有多个存储单元，各该存储单元至少包含有一第一晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈美玲，刘玮鑫，陈意维，张家隆，李瑞珉，张景翔，吴姿锦，邹世芳，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71