一种用于大功率半导体器件的高能VF腔体制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于大功率半导体器件的高能VF腔体，凸腔、第一圆柱管、第一圆柱管板、第二圆柱管、平腔、通孔、旋紧腔、第二圆柱管板、外螺纹、第三圆柱管、旋紧块、内螺纹、旋紧块通孔；其特征在于：所述高能VF腔体由凸腔、平腔、旋紧腔组成，其中凸腔由第一圆柱管、第一圆柱管板、第二圆柱管组成，其中第一圆柱管板固定安装在第一圆柱管的上顶端，其中第一圆柱管板的外直径等于第一圆柱管的外直径，其中第一圆柱管板的内直径小于第一圆柱管的内直径，其中第二圆柱管固定安装在第一圆柱管板的上顶端，在第一圆柱管的外表面下部固定安装着多个成圆形阵列的旋紧块，在旋紧块上设有内螺纹；本实用新型专利技术为分体式，功率大，制造工艺简单，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种用于大功率半导体器件的高能VF腔体
本技术涉及高能VF腔体，具体涉及一种用于大功率半导体器件的高能VF腔体。
技术介绍
半导体器件（semiconductordevice）通常，利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管（又称晶体三极管）。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C（U3）I等系统中已得到广泛的应用。现有的VF腔体是一体化的，损坏一处，整个都需要更换，造成大量的浪费，并且功率小，现有的VF腔体加工工艺复杂，增加成本。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于大功率半导体器件的高能VF腔体，为分体式，功率大，制造工艺简单，降低了成本。一种用于大功率半导体器件的高能VF腔体，凸腔、第一圆柱管、第一圆柱管板、第二圆柱管、平腔、通孔、旋紧腔、第二圆柱管板、外螺纹、第三圆柱管、旋紧块、内螺纹、旋紧块通孔；其特征在于：所述高能VF腔体由凸腔、平腔、旋紧腔组成，其中凸腔由第一圆柱管、第一圆柱管板、第二圆柱管组成，其中第一圆柱管板固定安装在第一圆柱管的上顶端，其中第一圆柱管板的外直径等于第一圆柱管的外直径，其中第一圆柱管板的内直径小于第一圆柱管的内直径，其中第二圆柱管固定安装在第一圆柱管板的上顶端，其中第二圆柱管的内直径等于第一圆柱管板的内直径，其中第二圆柱管的外直径小于第一圆柱管板的外直径，在第一圆柱管的外表面下部固定安装着多个成圆形阵列的旋紧块，在旋紧块上设有内螺纹。进一步，所述平腔上设有多个直径不相等的通孔，其中平腔上顶端的内直径等于第一圆柱管的外直径。进一步，所述平腔上顶端的内边缘上设有多个成圆形阵列的旋紧块通孔，其中旋紧块通孔与旋紧块一一对应。进一步，所述旋紧腔由第二圆柱管板、第三圆柱管组成。进一步，所述第二圆柱管板固定安装在第三圆柱管的下顶端上。进一步，所述第二圆柱管板的内直径小于第三圆柱管的内直径。进一步，所述第二圆柱管板的外直径大于第三圆柱管的外直径。进一步，所述第三圆柱管的外直径等于平腔下顶端的内直径，在第三圆柱管的内表面上设有外螺纹。进一步，所述凸腔通过内螺纹与外螺纹的连接与旋紧腔连接。本技术的有益效果在于：本装置结构简单，设计巧妙，功率大，本装置为分体式，使本装置制造工艺简单，降低了成本；本装置利用螺纹连接，使本装置的安装与拆卸更加的快捷、方便。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的结构示意图；图3为本技术爆炸结构示意图；图4为本技术凸腔结构示意图；图5为本技术平腔结构示意图；图6为本技术旋紧腔结构示意图。图中，凸腔1、第一圆柱管11、第一圆柱管板12、第二圆柱管13、平腔2、通孔3、旋紧腔4、第二圆柱管板41、外螺纹42、第三圆柱管43、旋紧块5、内螺纹6、旋紧块通孔7。具体实施方式以下为本技术的较佳实施方式，但并不因此而限定本技术的保护范围。如图所示，一种用于大功率半导体器件的高能VF腔体，凸腔1、第一圆柱管11、第一圆柱管板12、第二圆柱管13、平腔2、通孔3、旋紧腔4、第二圆柱管板41、外螺纹42、第三圆柱管43、旋紧块5、内螺纹6、旋紧块通孔7；其特征在于：所述高能VF腔体由凸腔1、平腔2、旋紧腔4组成，其中凸腔1由第一圆柱管11、第一圆柱管板12、第二圆柱管13组成，其中第一圆柱管板12固定安装在第一圆柱管11的上顶端，其中第一圆柱管板12的外直径等于第一圆柱管11的外直径，其中第一圆柱管板12的内直径小于第一圆柱管11的内直径，其中第二圆柱管13固定安装在第一圆柱管板12的上顶端，其中第二圆柱管13的内直径等于第一圆柱管板12的内直径，其中第二圆柱管13的外直径小于第一圆柱管板12的外直径，在第一圆柱管11的外表面下部固定安装着多个成圆形阵列的旋紧块5，在旋紧块5上设有内螺纹6。进一步，所述平腔2上设有多个直径不相等的通孔3，其中平腔2上顶端的内直径等于第一圆柱管11的外直径，在平腔2上顶端的内边缘上设有多个成圆形阵列的旋紧块通孔7，其中旋紧块通孔7与旋紧块5一一对应；所述旋紧腔4由第二圆柱管板41、第三圆柱管43组成，其中第二圆柱管板41固定安装在第三圆柱管43的下顶端上，其中第二圆柱管板41的内直径小于第三圆柱管43的内直径，其中第二圆柱管板41的外直径大于第三圆柱管43的外直径，其中第三圆柱管43的外直径等于平腔2下顶端的内直径，在第三圆柱管43的内表面上设有外螺纹42；所述凸腔1通过内螺纹6与外螺纹42的连接与旋紧腔4连接。本技术设计了一种用于大功率半导体器件的高能VF腔体：本装置结构简单，设计巧妙，功率大，本装置为分体式，使本装置制造工艺简单，降低了成本；本装置利用螺纹连接，使本装置的安装与拆卸更加的快捷、方便。以上仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于大功率半导体器件的高能VF腔体，凸腔、第一圆柱管、第一圆柱管板、第二圆柱管、平腔、通孔、旋紧腔、第二圆柱管板、外螺纹、第三圆柱管、旋紧块、内螺纹、旋紧块通孔；其特征在于：所述高能VF腔体由凸腔、平腔、旋紧腔组成，其中凸腔由第一圆柱管、第一圆柱管板、第二圆柱管组成，其中第一圆柱管板固定安装在第一圆柱管的上顶端，其中第一圆柱管板的外直径等于第一圆柱管的外直径，其中第一圆柱管板的内直径小于第一圆柱管的内直径，其中第二圆柱管固定安装在第一圆柱管板的上顶端，其中第二圆柱管的内直径等于第一圆柱管板的内直径，其中第二圆柱管的外直径小于第一圆柱管板的外直径，在第一圆柱管的外表面下部固定安装着多个成圆形阵列的旋紧块，在旋紧块上设有内螺纹。

【技术特征摘要】
1.一种用于大功率半导体器件的高能VF腔体，凸腔、第一圆柱管、第一圆柱管板、第二圆柱管、平腔、通孔、旋紧腔、第二圆柱管板、外螺纹、第三圆柱管、旋紧块、内螺纹、旋紧块通孔；其特征在于：所述高能VF腔体由凸腔、平腔、旋紧腔组成，其中凸腔由第一圆柱管、第一圆柱管板、第二圆柱管组成，其中第一圆柱管板固定安装在第一圆柱管的上顶端，其中第一圆柱管板的外直径等于第一圆柱管的外直径，其中第一圆柱管板的内直径小于第一圆柱管的内直径，其中第二圆柱管固定安装在第一圆柱管板的上顶端，其中第二圆柱管的内直径等于第一圆柱管板的内直径，其中第二圆柱管的外直径小于第一圆柱管板的外直径，在第一圆柱管的外表面下部固定安装着多个成圆形阵列的旋紧块，在旋紧块上设有内螺纹。2.根据权利要求1所述的一种用于大功率半导体器件的高能VF腔体，其特征是：所述平腔上设有多个直径不相等的通孔，其中平腔上顶端的内直径等于第一圆柱管的外直径。3.根据权利要求2所述的一种用于大功率半导体器件的高能VF腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：金昆根，张海娟，
申请(专利权)人：杭州翔烽科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33