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本实用新型公开了一种用于大功率半导体器件的高能VF腔体，凸腔、第一圆柱管、第一圆柱管板、第二圆柱管、平腔、通孔、旋紧腔、第二圆柱管板、外螺纹、第三圆柱管、旋紧块、内螺纹、旋紧块通孔；其特征在于：所述高能VF腔体由凸腔、平腔、旋紧腔组成，其中...
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