基底处理设备制造技术

基底处理设备包括：下电极；上电极；第一交流电源，其连接至所述上电极，并且以第一频率供给交流电力；第二交流电源，其连接至所述上电极，并且以低于所述第一频率的第二频率供给交流电力；内电极，其设置在所述下电极中；滤波电路，其连接至所述内电极；以及直流电源，其经由所述滤波电路连接至所述内电极。所述滤波电路包括：第一滤波电路，其相比于处于所述第二频率的交流电力相对于处于所述第一频率的交流电力变为低阻抗；以及第二滤波电路，其相比于处于所述第一频率的交流电力相对于处于所述第二频率的交流电力变为低阻抗。

【技术实现步骤摘要】
基底处理设备
本专利技术涉及一种用于诸如薄膜成形的基底处理的基底处理设备。
技术介绍
US5366585公开了一种设置有等离子处理反应室的薄膜成形设备。存在如下的基底处理设备：通过向上电极供给交流电力同时向下电极和上电极之间供给材料气体而在下电极和上电极之间产生等离子，并且对下电极上的基底施加处理。这样的基底处理设备要求向下电极施加电压以使用静电吸盘将基底吸取至下电极的高电压直流功率供给。然而，存在如下上述交流电力可能引起对高电压直流电源的损害的问题。
技术实现思路
已经做出本专利技术以解决上述问题，并且本专利技术的目的为提供一种基底处理设备，其能够保护静电吸盘直流电源免于交流电力。本专利技术的特征和优点可以总结如下。根据本专利技术的一个方案，基底处理设备包括：下电极，其由绝缘体形成；上电极，其与所述下电极相对地设置；第一交流电源，其连接至所述上电极并且以第一频率供给交流电力；第二交流电源，其连接至所述上电极并且以低于所述第一频率的第二频率供给交流电力；内电极，其设置在所述下电极中；滤波电路，其连接至所述内电极；以及直流功率供给部，其经由所述滤波电路连接至所述内电极，所述直流功率供给部设置为用于静电吸盘，其中，所述滤波电路包括：第一滤波电路，其相比于处于所述第二频率的交流电力相对于处于所述第一频率的交流电力成为低阻抗；以及第二滤波电路，其相比于处于所述第一频率的交流电力相对于处于所述第二频率的交流电力成为低阻抗。本专利技术的其他目的、特征以及优点将从以下描述中更完全地显现。附图说明图1为根据第一实施例的基底处理设备的截面图；图2为滤波电路的电路图；图3为简单表达图1中的构造的示意图；图4为图示出电容的阻抗如何根据电容量而改变的表格；图5为图示出根据第二实施例的基底处理设备的滤波电路的示意图；图6为图示出根据第三实施例的基底处理设备的示意图；图7为图示出根据第四实施例的基底处理设备的示意图；以及图8为根据变型例的基底处理设备的示意图。具体实施方式将参照附图描述根据本专利技术的实施例的基底处理设备。相同或相对应的部件可以分配有相同的附图标记，并且可以省略重复的描述。第一实施例图1为根据第一实施例的基底处理设备的截面图。基底处理设备设置有腔室12。由绝缘体形成的下电极14和与下电极14相对设置的上电极16设置在腔室12中。下电极14的材料例如能够为诸如氮化铝(AlN)的陶瓷。上电极16设置有狭缝16a。材料气体经由狭缝16a被供给至下电极14与上电极16之间。排气管道20经由O形圈固定至腔室12和上电极16。排气管道20包围上电极16与下电极14之间的空间。供给至上电极16与下电极14之间并且用于基底处理的气体经由排气管道20被排放至外部。第一交流电源22和第二交流电源24连接至上电极16。第一交流电源22以第一频率供给交流电力。第二交流电源24以低于第一频率的第二频率供给交流电力。第一频率可以具有例如1至30MHz的频率范围。该频率带被称为“HRF(highradiofrequency，高射频)”。根据第一实施例的第一交流电源22以13.56MHz供给交流电力。第二频率可以具有100kHz至1000kHz的频率范围。该频率带被称为“LRF(lowradiofrequency，低射频)”。第一实施例的第二交流电源24以430kHz供给交流电力。下电极14被支撑部26包围。下电极14和支撑部26集成到基座中。下电极14也可以被称为“接地基底电极”。加热器28嵌入在下电极14中。例如从平面图中以螺旋的形式设置加热器28。加热器28经由穿过支撑部26的电线连接至电源29。电源29向加热器28供给电流，而下电极14由此被加热并且下电极14上的基底也被加热。内电极30设置在下电极14中。内电极30为在平面图中例如以网状形成的金属。内电极的材料例如为钨(W)。内电极30经由穿过支撑部26的电线连接至滤波电路32。内电极30经由滤波电路32连接至直流电源34。直流电源34向内电极30供给电压从而提供静电吸盘。图2为滤波电路32的电路示意图。滤波电路32包括将内电极30与地面连接的电容器32a。电容器32被称为“第一滤波电路”。第一滤波电路主要设置为以从第一交流电源22供给的第一频率传送交流电力。滤波电路32设置有电感器32b和电容器32c。连接内电极30和电容器32a的电线经由电感器32b和电容器32c而连接至地面。电容器32c和电感器32b的串联电路将内电极30与地面连接。电容器32c和电感器32b共同被称为“第二滤波电路”。第二滤波电路主要设置为以从第二交流电源24供给的第二频率传送交流电力。而且，电阻器32d连接在内电极30与直流电源34之间。电阻器32d设置为防止处于第一频率或第二频率的交流电力被施加至直流电源34。然而，在本专利技术的第一实施例中，由于如上所述地设置有第一滤波电路和第二滤波电路，交流电力不太可能被施加至直流电源34。因此，预备设置电阻器32d并可以省略电阻器32d。(基底处理设备的操作)将描述基底处理期间基底处理设备的操作。图3为简单地表达图1中的构造从而以简单易懂的方式描述基底处理期间的操作的示意图。通过将基地50放置在下电极14上来开始处理。基底50例如为硅薄片。根据需要由加热器28将基底50加热至预定的温度。使用第一交流电源22和第二交流电源24将交流电力供给至上电极16，同时将材料气体供给至上电极16与下电极14之间。通过将处于第一频率的交流电力和处于第二频率的交流电力以有层次的方式供给至上电极16，在上电极16与下电极14之间产生等离子52。如果直流电源34以该条件下将电压供给至内电极30，那么下电极14被极化，并且能够提供静电吸盘。即，下电极14上的基底50静电地吸附至下电极14。注意到，由于在本专利技术的第一实施例中只存在一个内电极30，所以只当等离子产生时能够提供静电吸盘。例如，当使用该基底处理设备将等离子CVD施加至基底50时，基底50可能弯曲。基底50的弯曲假设可归结于当基底50被传送至高温基座时基座与基底之间的温度差。存在基底50尤其是在3D-NAND存储的制造步骤中明显弯曲的问题。然而，根据本专利技术的第一实施例的基底处理设备，基底50被静电地吸附至下电极14，并且由此能够将基底50固定至下电极14同时抑制基底50的弯曲。而且，包括电容器32a的第一滤波电路能够以第一频率通过交流电力，而包括电感器32b和电容器32c的第二滤波电路能够以第二频率通过交流电力。例如，包括具有1.3699mH的电感的电感器32b和具有相对于处于430kHz计算的100pF的电容的电容器32c的第二滤波电路的阻抗大约为0.123458Ω。在该计算方法中，交流电力的相位假设为-90°。而且，当第一滤波电路的电容器32a的电容假设为25000pF时，相对于处于13.56MHz的交流电力的阻抗小到0.5Ω。注意到的是，在该示例中，相当于430kHz的联合电容为2.5Ω。(比较例)在此，将考虑比较例，其中没有设置第二滤波电路并且只设置第一滤波电路。比较例中的基底处理设备与图1中的基底处理设备基本相同，但是不同于图1中的基底处理设备之处在于省略了电感器32b和电容器32c。在比较例的情况下，第一滤波电路需要相对于处于第一频率的交流电力本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基底处理设备，包括：下电极，其由绝缘体形成；上电极，其与所述下电极相对设置；第一交流电源，其连接至所述上电极，并且以第一频率供给交流电力；第二交流电源，其连接至所述上电极，并且以低于所述第一频率的第二频率供给交流电力；内电极，其设置在所述下电极中；滤波电路，其连接至所述内电极；以及直流电源，其经由所述滤波电路连接至所述内电极，所述直流电源设置为用于静电吸盘，其中所述滤波电路包括：第一滤波电路，其相比于处于所述第二频率的交流电力相对于处于所述第一频率的交流电力变为低阻抗；以及第二滤波电路，其相比于处于所述第一频率的交流电力相对于处于所述第二频率的交流电力变为低阻抗。

【技术特征摘要】
2016.12.06 US 15/370,8341.一种基底处理设备，包括：下电极，其由绝缘体形成；上电极，其与所述下电极相对设置；第一交流电源，其连接至所述上电极，并且以第一频率供给交流电力；第二交流电源，其连接至所述上电极，并且以低于所述第一频率的第二频率供给交流电力；内电极，其设置在所述下电极中；滤波电路，其连接至所述内电极；以及直流电源，其经由所述滤波电路连接至所述内电极，所述直流电源设置为用于静电吸盘，其中所述滤波电路包括：第一滤波电路，其相比于处于所述第二频率的交流电力相对于处于所述第一频率的交流电力变为低阻抗；以及第二滤波电路，其相比于处于所述第一频率的交流电力相对于处于所述第二频率的交流电力变为低阻抗。2.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述第一滤波电路包括将所述内电极与地面连接的电容器，并且所述第二滤波电路包括电容器和电感器的串联电路，所述串...

【专利技术属性】
技术研发人员：辻直人，村主拓也，池户洋三，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL