用于系统级封装的TSV转接板及其制备方法技术方案

本发明专利技术涉及一种用于系统级封装的TSV转接板及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底内制备纵向结构的SCR管；刻蚀所述Si衬底在所述SCR管两侧依次制备隔离沟槽和TSV；在所述隔离沟槽填充SiO2材料形成隔离区；在所述TSV填充铜材料形成TSV区；制备所述TSV区与所述SCR管的铜互连线以完成所述TSV转接板的制备。本发明专利技术提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工ESD防护器件SCR管，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。

【技术实现步骤摘要】
用于系统级封装的TSV转接板及其制备方法
本专利技术属半导体集成电路
，特别涉及一种用于系统级封装的TSV转接板及其制备方法。
技术介绍
目前为止集成电路的特征尺寸已经低至7nm，在单个芯片上集成的晶体管数量已经到达百亿级别，伴随百亿级别的晶体管数量的要求，片上资源和互连线长度问题成为现今集成电路领域发展的瓶颈，3D集成电路被认为是未来集成电路的发展方向，它在原有电路的基础上，在Z轴上层叠，以求在最小的面积上集成更多的功能，这种方法克服了原有集成度的限制，利用新兴技术硅通孔(Through-SiliconVia,TSV)，大幅度的提高了集成电路的性能，降低线上延迟，减小芯片功耗。在半导体行业里面，随着集成电路集成度的提高以及器件特征尺寸的减小，集成电路中静电放电((Electro-StaticDischarge,ESD))引起的潜在性损坏已经变得越来越明显。据有关报道，集成电路领域的故障中有近35％的故障是由ESD所引发的，因此芯片内部都设计有ESD保护结构来提高器件的可靠性。转接板通常是指芯片与封装基板之间的互连和引脚再分布的功能层。转接板可以将密集的I/O引线进行再分布，实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于系统级封装的TSV转接板的制备方法，其特征在于，包括：S101、选取Si衬底；S102、在所述Si衬底内制备纵向结构的SCR管；S103、刻蚀所述Si衬底在所述SCR管两侧依次制备隔离沟槽和TSV；S104、在所述隔离沟槽填充SiO2材料形成隔离区；S105、在所述TSV填充铜材料形成TSV区；S106、制备所述TSV区与所述SCR管的铜互连线以完成所述TSV转接板的制备。

【技术特征摘要】
1.一种用于系统级封装的TSV转接板的制备方法，其特征在于，包括：S101、选取Si衬底；S102、在所述Si衬底内制备纵向结构的SCR管；S103、刻蚀所述Si衬底在所述SCR管两侧依次制备隔离沟槽和TSV；S104、在所述隔离沟槽填充SiO2材料形成隔离区；S105、在所述TSV填充铜材料形成TSV区；S106、制备所述TSV区与所述SCR管的铜互连线以完成所述TSV转接板的制备。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S102包括：S1021、在所述Si衬底第一侧制备所述SCR管的P+控制极接触区和阴极；S1022、在所述Si衬底第二侧制备所述SCR管的N+控制极接触区和阳极。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，S1021包括：S10211、利用CVD工艺，在所述Si衬底第一侧淀积掩蔽层；S10212、在所述掩蔽层上光刻P+控制极图形，采用离子注入工艺进行P+注入，去除光刻胶，在所述隔离区之间形成所述SCR管的P+控制极；S10213、光刻P+控制极接触区图形，采用离子注入工艺进行P+注入，去除光刻胶，形成所述P+控制极接触区；S10214、光刻阴极图形，采用离子注入工艺进行N+注入，去除光刻胶，形成所述阴极。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，S1022包括：S10221、利用CVD工艺，在所述Si衬底第二侧淀积保护层；S10222、利用光刻工艺，光刻器件沟槽刻蚀图形；S10223、刻蚀所述Si衬底形成所述器件沟槽；S10224、光刻N+控制极接触区图形，采用离子注入工艺进行N+注入，去除光刻胶，形成所述N+控制极接触区；S10225、光刻阳极图形，采用离子注入工艺进行P+注入，去除光刻胶，形成所述阳极。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，S103包括：S1031、利用光刻工艺，在所述Si衬底第一侧形成所述TSV和所述隔离沟槽的刻蚀图形；S1032、利用DRIE工艺，刻蚀所述Si衬底形成所述TSV和所述隔离沟槽；所述TSV和所述隔离沟槽的深度小于所述Si衬底的厚度，所述隔离沟槽和...

【专利技术属性】
技术研发人员：张捷，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61