焊盘结晶缺陷的去除方法技术

本发明专利技术公开了一种焊盘结晶缺陷的去除方法，步骤1、利用PVD机台获得惰性气体等离子体；步骤2、利用所述惰性气体等离子体轰击晶圆表面；步骤3、惰性气体等离子体对焊盘中的正常铝表面和结晶缺陷同时产生溅射作用，使焊盘不断减薄；当焊盘减薄量超过结晶缺陷的厚度后，结晶缺陷被彻底去除。本发明专利技术简单易实现，低成本，效果好。

【技术实现步骤摘要】
焊盘结晶缺陷的去除方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其是涉及一种焊盘结晶缺陷的去除方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中，随集成电路集成度的增加和尺寸的减小，集成电路的封装精度要求越来越高，焊盘作为芯片与外部电气互连与信息沟通的媒介，其与金属线的键合质量及可靠性的控制难度也随之增大。键合质量很大程度上取决于焊盘本身的质量，其中焊盘表面的结晶缺陷是引起键合工艺失效的主要原因之一。焊盘结晶缺陷是指焊盘表面铝铜合金与氟元素在一定湿度环境中发生反应而形成的一种晶体缺陷，该晶体的存在会造成封装工艺中焊盘与金属线的粘结不足，进而引发键合问题。焊盘结晶缺陷的中心一般位于多个铝晶粒的交界处，形状一般呈现为花瓣状或荷叶状，大小为几十纳米到十几微米之间，厚度为几十纳米到几百纳米之间。常见的焊盘结晶缺陷去除方法主要包括有机溶剂和光刻加干法刻蚀法，这些方法适用于去除尺寸较小的焊盘结晶缺陷，但对于尺寸较大的结晶缺陷效果不佳，且易造成较大的铝损失并导致凹坑以及表面平整度差等问题，可能影响后续封装键合的质量。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种焊盘结晶缺陷的去除方法，它简单易实现，低成本。为解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种焊盘结晶缺陷的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、利用PVD机台获得惰性气体等离子体；步骤2、利用所述惰性气体等离子体轰击晶圆表面；步骤3、惰性气体等离子体对焊盘中的正常铝表面和焊盘结晶缺陷同时产生溅射作用，使焊盘不断减薄；当焊盘减薄量超过焊盘结晶缺陷的厚度后，焊盘结晶缺陷被彻底去除。

【技术特征摘要】
1.一种焊盘结晶缺陷的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、利用PVD机台获得惰性气体等离子体；步骤2、利用所述惰性气体等离子体轰击晶圆表面；步骤3、惰性气体等离子体对焊盘中的正常铝表面和焊盘结晶缺陷同时产生溅射作用，使焊盘不断减薄；当焊盘减薄量超过焊盘结晶缺陷的厚度后，焊盘结晶缺陷被彻底去除。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨小燕，林爱梅，张磊，许向辉，陈昊瑜，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31