叠层薄膜的制备方法和叠层薄膜技术

本发明专利技术提供了一种叠层薄膜的制备方法和叠层薄膜，其中，该制备方法包括：在衬底上沉积第一膜层；在所述第一膜层上形成疏松多孔的释力接触层；在所述释力接触层上形成第二膜层；其中，第一膜层为金属层，第二膜层为半导体层，或者第一膜层为半导体层，第二膜层为金属层。本发明专利技术提供的叠层薄膜的制备方法和叠层薄膜通过沉积一层释力接触层，使得金属层和半导体层之间的应力能够得到释放，避免了膜层的脱落，提高了生产质量。

【技术实现步骤摘要】
叠层薄膜的制备方法和叠层薄膜
本专利技术涉及太阳能电池的制造技术，尤其涉及一种叠层薄膜的制备方法和叠层薄膜。
技术介绍
在目前的光伏、平板显示等半导体器件制造领域，为了满足产品的多重需求，磁控溅射薄膜技术被广泛应用于获得具有特定功能的复杂器件制备中。因此，在实际工艺中需要将两层或多层不同材料、不同功能性的膜层进行叠层复合，其中，金属与半导体叠层薄膜的结构被广泛地用作前、背接触的电极结构。金属与半导体材料在力学和电学性能方法存在显著差异，当它们以膜层的形式进行接触形成界面时，容易在界面处产生严重的物理性能失配的现象。现有技术中，在金属膜层成膜后，固有的应力态使得金属膜层和半导体膜层之间的界面存在应变，造成膜层相互脱落，影响生产质量。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种叠层薄膜的制备方法和叠层薄膜，以解决现有技术中的问题，提高金属膜层和半导体膜层之间的附着力，避免膜层脱落，提高生产质量。本专利技术提供了一种叠层薄膜的制备方法，其中，包括：在衬底上沉积第一膜层；在所述第一膜层上形成疏松多孔的释力接触层；在所述释力接触层上形成第二膜层，其中：所述第一膜层为金属层，所述第二膜层为半导体层，或者所述第一膜层为半导体层，所述第二膜层为金属层。如上所述的叠层薄膜的制备方法，其中，优选的是，所述在所述第一膜层上形成疏松多孔的释力接触层具体包括：在所述第一膜层上沉积由单质构成的释力接触层；或通过化学反应形成由化合物构成的释力接触层。如上所述的叠层薄膜的制备方法，其中，优选的是，所述由单质构成的释力接触层的材料包括：铜、银、铁、铝、钨、钼、铬、镍、钽、钒、钛或锰中的一种。如上所述的叠层薄膜的制备方法，其中，优选的是，所述通过化学反应形成由化合物构成的释力接触层具体包括：加入氧族元素进行反应溅射，以得到外延结构的释力接触层。如上所述的叠层薄膜的制备方法，其中，优选的是，所述加入氧化物进行反应溅射具体包括：通入氧或硫或硒的固体蒸汽。如上所述的叠层薄膜的制备方法，其中，优选的是，所述加入氧化物进行反应溅射具体包括：通入气态的氧或气态的硫或气态的硒。如上所述的叠层薄膜的制备方法，其中，优选的是，沉积所述释力接触层的工作压强在0.5Pa-2Pa之间。本专利技术还提供了一种叠层薄膜，其中，包括：金属层、释力接触层和半导体层；所述释力接触层设置在所述金属层和所述半导体层之间。如上所述的叠层薄膜，其中，优选的是，所述释力接触层为微孔或介孔的多孔结构。如上所述的叠层薄膜，其中，优选的是，所述释力接触层的厚度为10nm-1000nm。本专利技术提供的叠层薄膜的制备方法和叠层薄膜通过沉积一层释力接触层，使得金属层和半导体层之间的应力能够得到释放，避免了膜层的脱落，提高了生产质量。附图说明图1为本专利技术实施例提供的叠层薄膜的制备方法的流程图；图2为本专利技术实施例提供的叠层薄膜的结构断面图。附图标记说明：1-金属层2-释力接触层3-半导体层具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能解释为对本专利技术的限制。如图1所示，本专利技术实施例提供了一种叠层薄膜的制备方法，包括如下步骤：S1、在衬底上沉积第一膜层；S2、在第一膜层上形成疏松多孔的释力接触层；S3、在释力接触层上形成第二膜层，其中：第一膜层为金属层，第二膜层为半导体层，或者第一膜层为半导体层，第二膜层为金属层。在上述步骤中，可以是在衬底上先沉积金属层，在释力接触层上形成半导体层；也可以先在衬底上沉积半导体层，对应的，在释力接触层上形成金属层。本专利技术实施例提供的叠层薄膜的制备方法通过沉积一层释力接触层，使得金属层和半导体层之间的应力能够得到释放，避免了膜层的脱落，提高了生产质量。优选地，在第一膜层上形成疏松多孔的释力接触层具体可以包括：在第一膜层上直接沉积由单质构成的释力接触层；或通过化学反应形成由化合物构成的释力接触层。具体地，释力接触层的沉积一般是在正常金属电极层溅射工作压强的2倍以上、起辉压强以下的范围内。本实施例中，沉积所述释力接触层的工作压强在0.5Pa-2Pa之间。例如：可以为0.5pa，0.8pa，1pa，1.1pa，1.3pa，1.5pa，1.75pa，1.9pa，2p等，这里就不再一一赘述。相对于工作压强较高的压强下进行溅射，溅射粒子散射造成的动能损失概率较大，形成的薄膜结构相对疏松具有一定的多孔性，膜层微观应力很容易在这种结构下得到释放，在宏观上不具有较为明显的内应力表现，从而避免了金属层或半导体层的膜层的脱落。可以根据半导体层和金属层的特性加入氧族元素进行反应溅射获得理想的外延结构，氧元素的族引入可以是通入氧或硫或硒的固体蒸汽。也或者通入气态的氧或气态的硫或气态的硒。为获得最佳的综合界面性能，释力接触层可以采用不与金属层的形成材料相同的材料，可以包括铜、银、铁、铝、钨、钼、铬、镍、钽、钒、钛或锰中的一种。或者，释力接触层也可以是金属层或半导体层与通入的氧族元素发生化学反应后形成的化合物。如图2所示，本专利技术实施例还提供了一种叠层薄膜，包括金属层1、疏松多孔结构的释力接触层2和半导体层3；所述释力接触层2设置在所述金属层1和所述半导体层3之间。该释力接触层2通过本专利技术实施例提供的制备方法得到，使得金属层1和半导体层3之间的应力能够得到释放，避免了膜层的脱落，提高了生产质量。本领域技术人员可以理解的是，为了清楚的示出膜层之间的关系，图2并不是按照膜层实际厚度的比例绘制。本专利技术实施例提供的叠层薄膜通过上述方法制备能够得到厚度为10nm-1000nm的释力接触层，该接触层可以为微孔或介孔的多孔结构，膜层微观应力很容易在这种结构下得到释放，在宏观上不具有较为明显的内应力表现，从而避免了金属层或半导体层的膜层的脱落。上述释力接触层的厚度可以为10nm，200nm，400nm，800nm，850nm，900nm，1000nm等，这里就不再一一赘述。上述的微孔是根据国际纯粹与应用化学协会(IUPAC)的定义，孔径小于2纳米的孔。以上实施例详细说明了本专利技术的构造、特征及作用效果，以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，凡是依照本专利技术的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时，均应在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上沉积第一膜层；在所述第一膜层上形成疏松多孔的释力接触层；在所述释力接触层上形成第二膜层，其中：所述第一膜层为金属层，所述第二膜层为半导体层，或者所述第一膜层为半导体层，所述第二膜层为金属层。

【技术特征摘要】
1.一种叠层薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上沉积第一膜层；在所述第一膜层上形成疏松多孔的释力接触层；在所述释力接触层上形成第二膜层，其中：所述第一膜层为金属层，所述第二膜层为半导体层，或者所述第一膜层为半导体层，所述第二膜层为金属层。2.根据权利要求1所述的叠层薄膜的制备方法，其特征在于，所述在所述第一膜层上形成疏松多孔的释力接触层具体包括：在所述第一膜层上沉积由单质构成的释力接触层；或通过化学反应形成由化合物构成的释力接触层。3.根据权利要求2所述的叠层薄膜的制备方法，其特征在于，所述由单质构成的释力接触层的材料包括：铜、银、铁、铝、钨、钼、铬、镍、钽、钒、钛或锰中的一种。4.根据权利要求2所述的叠层薄膜的制备方法，其特征在于，所述通过化学反应形成由化合物构成的释力接触层具体包括：加入氧族元...

【专利技术属性】
技术研发人员：田晶，曲铭浩，胡超，黄昭雄，吴建清，徐国军，
申请(专利权)人：米亚索乐装备集成福建有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35